UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01

UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01 - Eletrônica III Permitido uso de calculadora – Duração 80 min.
/ 04 / 05 – Turma A – Sem Consulta
Nome ....................................................................................................................................
N.o
Nota .......................
1.a Questão : ( Valor 3,0) Determinar os seguintes parâmetros para o circuito a JFET a seguir.
São dados : IDSS = 9mA, VP = - 3V, VDD = 20V. Pede-se :
a) IDq e VGSq
b) VDS
a) IDq = 6,75mA e VGSq = - 0,3V.
IDss
IDq 6.75mA
-3V
VGSq = -0,3
b) VDS = VDD – ID (RS + RD) – (-10) = 20 – 6,75(1,8 + 1,5) + 10 = 8,275V
2.a Questão : (Valor 2,0) Determine para o circuito a seguir com Mosfet modo deplexão, onde
são dados IDSS = 10mA e VP = - 4V e VDD = 20V :
a) A tensão VDS
a) Como VGSq = 0, então IDq = IDSS = 10mA.
VDS = VDD – RD.ID = 20V – 1,5(10) = 5V.
3.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir Mosfet intensificação, sendo dados :
VDD = 40V, IDON = 3mA VGSTH = 5V e VGSON = 10V e VGSq = 12,5V . Pede-se :
a) A tensão em VG
b) A tensão em VDS
c) A corrente ID
18
a) VG = VDD .  = 18V.
18 + 22
18 – 12,5
c) VG = VGS + RSID ⇒ ID =  = 6,7mA.
0,82K
b) VDS = VDD – ID(RS + RD) = 40 – 6,7(3 + 0,82) = 14,4V.
4.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir, dados : β = 50, PZ = 560mW, VBE = 0,6V e
VENT = 12V, calcular :
a) A tensão de saída da fonte de tensão.
b) Potência dissipada no transistor
c) A corrente de saída sobre o resistor de 100Ω.
a) VSAÍDA = VZ – VBE = 5,6 – 0,6 = 5,0V.
b) PC = VCE . IC = (VENT – VSAÍDA) . IC.
VSAÍDA
5V
c) IC =  =  = 50mA.
100
100
b) PC = (12 – 5) . 50mA = 350mW.
UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01 - Eletrônica III Permitido uso de calculadora – Duração 80 min.
/ 04 / 05 – Turma B – Sem Consulta
Nome ....................................................................................................................................
N.o
Nota .......................
1.a Questão : ( Valor 3,0) Determinar os seguintes parâmetros para o circuito a JFET a seguir.
São dados : IDSS = 9mA, VP = - 3V, VDD = 25V. Pede-se :
a) IDq e VGSq
b) VDS
a) IDq = 6,75mA e VGSq = - 0,3V.
IDss
IDq 6.75mA
-3V
VGSq = -0,3
b) VDS = VDD – ID (RS + RD) – (-10) = 25 – 6,75(1,8 + 1,5) + 10 = 12,275V
2.a Questão : (Valor 2,0) Determine para o circuito a seguir com Mosfet modo deplexão, onde
são dados IDSS = 8mA e VP = - 4V e VDD = 20V :
a) A tensão VDS
a) Como VGSq = 0, então IDq = IDSS = 8mA.
VDS = VDD – RD.ID = 20V – 1,5(8) = 8V.
3.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir Mosfet intensificação, sendo dados :
VDD = 40V, IDON = 3mA VGSTH = 5V e VGSON = 10V e VGSq = 13 V . Pede-se :
a) A tensão em VG
b) A tensão em VDS
c) A corrente ID
18
a) VG = VDD .  = 18V.
18 + 22
18 – 13
c) VG = VGS + RSID ⇒ ID =  = 6,1mA.
0,82K
b) VDS = VDD – ID(RS + RD) = 40 – 6,1(3 + 0,82) = 16,7V.
4.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir, dados : β = 50, PZ = 560mW, VBE = 0,6V e
VENT = 15V, calcular :
a) A tensão de saída da fonte de tensão.
b) Potência dissipada no transistor
c) A corrente de saída sobre o resistor de 100Ω.
a) VSAÍDA = VZ – VBE = 5,6 – 0,6 = 5,0V.
b) PC = VCE . IC = (VENT – VSAÍDA) . IC.
VSAÍDA
5V
c) IC =  =  = 50mA.
100
100
b) PC = (15 – 5) . 50mA = 500mW.