UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01
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UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01 - Eletrônica III Permitido uso de calculadora – Duração 80 min. / 04 / 05 – Turma A – Sem Consulta Nome .................................................................................................................................... N.o Nota ....................... 1.a Questão : ( Valor 3,0) Determinar os seguintes parâmetros para o circuito a JFET a seguir. São dados : IDSS = 9mA, VP = - 3V, VDD = 20V. Pede-se : a) IDq e VGSq b) VDS a) IDq = 6,75mA e VGSq = - 0,3V. IDss IDq 6.75mA -3V VGSq = -0,3 b) VDS = VDD – ID (RS + RD) – (-10) = 20 – 6,75(1,8 + 1,5) + 10 = 8,275V 2.a Questão : (Valor 2,0) Determine para o circuito a seguir com Mosfet modo deplexão, onde são dados IDSS = 10mA e VP = - 4V e VDD = 20V : a) A tensão VDS a) Como VGSq = 0, então IDq = IDSS = 10mA. VDS = VDD – RD.ID = 20V – 1,5(10) = 5V. 3.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir Mosfet intensificação, sendo dados : VDD = 40V, IDON = 3mA VGSTH = 5V e VGSON = 10V e VGSq = 12,5V . Pede-se : a) A tensão em VG b) A tensão em VDS c) A corrente ID 18 a) VG = VDD . = 18V. 18 + 22 18 – 12,5 c) VG = VGS + RSID ⇒ ID = = 6,7mA. 0,82K b) VDS = VDD – ID(RS + RD) = 40 – 6,7(3 + 0,82) = 14,4V. 4.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir, dados : β = 50, PZ = 560mW, VBE = 0,6V e VENT = 12V, calcular : a) A tensão de saída da fonte de tensão. b) Potência dissipada no transistor c) A corrente de saída sobre o resistor de 100Ω. a) VSAÍDA = VZ – VBE = 5,6 – 0,6 = 5,0V. b) PC = VCE . IC = (VENT – VSAÍDA) . IC. VSAÍDA 5V c) IC = = = 50mA. 100 100 b) PC = (12 – 5) . 50mA = 350mW. UNIP – B1i - 1.a Prova – EE/EN/ET7P01 - Eletrônica III Permitido uso de calculadora – Duração 80 min. / 04 / 05 – Turma B – Sem Consulta Nome .................................................................................................................................... N.o Nota ....................... 1.a Questão : ( Valor 3,0) Determinar os seguintes parâmetros para o circuito a JFET a seguir. São dados : IDSS = 9mA, VP = - 3V, VDD = 25V. Pede-se : a) IDq e VGSq b) VDS a) IDq = 6,75mA e VGSq = - 0,3V. IDss IDq 6.75mA -3V VGSq = -0,3 b) VDS = VDD – ID (RS + RD) – (-10) = 25 – 6,75(1,8 + 1,5) + 10 = 12,275V 2.a Questão : (Valor 2,0) Determine para o circuito a seguir com Mosfet modo deplexão, onde são dados IDSS = 8mA e VP = - 4V e VDD = 20V : a) A tensão VDS a) Como VGSq = 0, então IDq = IDSS = 8mA. VDS = VDD – RD.ID = 20V – 1,5(8) = 8V. 3.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir Mosfet intensificação, sendo dados : VDD = 40V, IDON = 3mA VGSTH = 5V e VGSON = 10V e VGSq = 13 V . Pede-se : a) A tensão em VG b) A tensão em VDS c) A corrente ID 18 a) VG = VDD . = 18V. 18 + 22 18 – 13 c) VG = VGS + RSID ⇒ ID = = 6,1mA. 0,82K b) VDS = VDD – ID(RS + RD) = 40 – 6,1(3 + 0,82) = 16,7V. 4.a Questão : (Valor 3,0) Para o circuito a seguir, dados : β = 50, PZ = 560mW, VBE = 0,6V e VENT = 15V, calcular : a) A tensão de saída da fonte de tensão. b) Potência dissipada no transistor c) A corrente de saída sobre o resistor de 100Ω. a) VSAÍDA = VZ – VBE = 5,6 – 0,6 = 5,0V. b) PC = VCE . IC = (VENT – VSAÍDA) . IC. VSAÍDA 5V c) IC = = = 50mA. 100 100 b) PC = (15 – 5) . 50mA = 500mW.
