Lista_3 de problemas FDS 1. Um metal com função trabalho de 4,3

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Lista_3 de problemas FDS
1. Um metal com função trabalho de 4,3 V e depositado sobre silício tipo n. Determinar a
concentração de dopagem, para qual não se forma região de carga espacial (T = 300 K).
2. Um diodo de barreira Schottky é feito depositando ouro sobre silício tipo n com ND =
5,0x1014 cm-3. A área da junção é de 0,5 mm2. T = 300 K. Calcular:
a) “Built-in voltage” Vbi.
b) A espessura da região de depleção.
c) O campo elétrico máximo sem tensão aplicada.
d) A capacitância da camada de depleção para uma tensão reversa de -3 V.
3. Um diodo de barreira Schottky é feito depositando alumínio (Φm = 4.1 V) sobre silício tipo p
com NA = 1018 cm-3. e tem tensão de ruptura de 5 V. Calcular o campo elétrico crítico e a
máxima extensão da zona de depleção (T = 300 K).
4. Um capacitor MOS possui dopagem do substrato de silício ND = 4,0x1016 cm-3. Calcular o
potencial da superfície e a espessura da região de depleção no ponto inicial da inversão. T = 300
K.
5. Um capacitor MOS possui dopagem do silício ND = 5,0x1014 cm-3 , espessura do óxido de 8
nm, Φms = 0 e Qeff = 0. Calcular a densidade de carga Qn na camada de inversão para VG = -4 V.
T = 300 K.