3 . lista de exercícios optativa

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10 . Semestre
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VLSI p/ Telecomunicações - TEL-646 - Professor Carlos E. VIANA
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3A. LISTA DE EXERCÍCIOS OPTATIVA
Exercício I
Quais os tipos de contaminantes que as etapas de limpeza química
removem do substrato de silício?
Exercício II
Qual a finalidade da etapa de fotolitografia?
Exercício III
Quais as etapas de um processo fotolitográfico?
Exercício IV
Defina fotomáscara e explique a sua finalidade.
Exercício V
Quais as principais diferenças entre a etapa de dopagem convencional e a
dopagem por implantação iônica?
Exercício VI
O que é a ativação de dopantes?
Exercício VII
Explique o processo de corrosão por plasma (ou corrosão seca).
Exercício VIII
Explique o processo de corrosão úmida.
Exercício IX
Explique e indique as diferenças entre as seguintes etapas: RTP (Processo
térmico Rápido), RTA (Recozimento térmico Rápido) e recozimento em forno convencional.
Exercício X
Quais as principais reações que regem os processos de: oxidação térmica
seca e oxidação térmica úmida?
Exercício XI
Defina
CVD
(explique
o
significado
da
sigla
bem
como
seu
funcionamento)?
Exercício XII
Quais os tipos de CVD mais comuns? Quais os tipos de material que
podem ser obtidos por essa técnica?
Exercício XIII
Quais são os principais tipos de classificação das técnicas CVD? Dê
exemplos.
Exercício XIV
Para os materiais listados, indique uma técnica de obtenção e uma
aplicação na fabricação de um chip:
o) SiO2;
r) Silício amorfo;
p) Si3N4;
s) Silício microcristalino;
q) Metais (Al, Cu, etc.);
t) Silício policristalino.
Exercício XV
Quais os sinônimos mais utilizados para uma lâmina de silício?
CUFSA – FAENG – ENGENHARIA ELÉTRICA – TELECOMUNICAÇÕES