UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ DEPARTAMENTO ACADÊMICO DE INFORMÁTICA CURSO DE ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO FRANCISCO OTAVIO COELHO STURM ANTUNES ANDRÉ CRISTIANO CORDEIRO GUILHERME DOS SANTOS FUJIYOSHI FONTE DE ALIMENTAÇÃO PARA ELETROFORESE: ENSAIO COMETA. TRABALHO ACADÊMICO CURITIBA 2011 FRANCISCO OTAVIO COELHO STURM ANTUNES ANDRÉ CRISTIANO CORDEIRO GUILHERME DOS SANTOS FUJIYOSHI FONTE DE ALIMENTAÇÃO PARA ELETROFORESE: ENSAIO COMETA. Trabalho Acadêmico apresentado à Unidade Curricular de Oficina de Integração II do Curso de Engenharia de Computação da Universidade Tecnológica Federal do Paraná como requisito parcial para aprovação. Orientador: Fernando C. Castaldo, Dr. Co-orientadora: Lucia Regina Rocha Martins, Dra. CURITIBA 2011 AGRADECIMENTOS Agradecemos às professoras Lucia e Wanessa do DAQBI, pelo apoio no projeto, cedendonos espaço no laboratório de quı́mica e pelo preparo dos materias utilizados nos testes realizados. Agradecemos também ao professor Fernando Castaldo, nosso orientador, que soube nos esclarecer, com clara boa vontade, algumas dúvidas que vieram a surgir durante o projeto. RESUMO ANTUNES, Francisco O. C. S.; FUJIYOSHI, Guilherme dos S.; CORDEIRO, André C.. Fonte de Alimentação para Eletroforese: Ensaio Cometa.. 33 f. Trabalho Acadêmico – Curso de Engenharia de Computação, Universidade Tecnológica Federal do Paraná. Curitiba, 2011. Este trabalho consiste no desenvolvimento de uma fonte de alimentação com corrente ajustável e controlada para a realização de um procedimento eletroquı́mico denominado eletroforese. Baseia-se na análise do processo da eletroforese e no estudo de fontes de alimentação e de seus circuitos elétricos, visando assim adquirir conhecimento suficiente para entender o modo como funcionam e poder, com isso, desenvolver uma fonte de alimentação com as especificações necessárias para a realização da eletroforese em gel, ou Ensaio Cometa. Nosso grupo pretendeu, com este trabalho, desenvolver uma fonte de alimentação cujo custo-benefı́cio fosse viável se comparado ao alto custo das já existentes no mercado. Palavras-chave: Fonte de Alimentação. Corrente ajustável. Ensaio Cometa. ABSTRACT ANTUNES, Francisco O. C. S.; FUJIYOSHI, Guilherme dos S.; CORDEIRO, André C.. Power Suppply for Electrophoresis: Comet Assay. 33 f. Trabalho Acadêmico – Curso de Engenharia de Computação, Universidade Tecnológica Federal do Paraná. Curitiba, 2011. This work consists in the development of a power supply with adjustable and controlled current for the realization of a electrochemistry procedure called electrophoresis. Its based on analyzing the electrophoresis’ process and the study of power supplies and their electrical circuits, and, with that, to acquire enough acknowledgement to understand how a power supply works and how to construct one with the required specifications to perform the gel elctrophoresis, or Comet Assay. Our group intended, with this work, to develop a power supply whose cost-benefit would be viable in comparison with the high cost of those available on the market. Keywords: Power supply. Ajustable current. Comet Assay. LISTA DE FIGURAS FIGURA 1 FIGURA 2 FIGURA 3 FIGURA 4 FIGURA 5 FIGURA 6 FIGURA 7 FIGURA 8 FIGURA 9 FIGURA 10 FIGURA 11 FIGURA 12 FIGURA 13 FIGURA 14 FIGURA 15 FIGURA 16 FIGURA 17 FIGURA 18 – – – – – – – – – – – – – – – – – – TRANSFOMAÇÃO DE TENSÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . DIODO IDEAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . JUNÇÃO DO DIODO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . POLARIZAÇÃO DO DIODO ZENER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . REGIÃO DE RUPTURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . FILTRO CAPACITIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP BÁSICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP EM MALHA ABERTA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP REALIMENTADO NEGATIVAMENTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . DIAGRAMA EM BLOCOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MONTAGEM DO TRANSISTOR NO DISSIPADOR . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR FIXADO NO DISSIAPDOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ENCAPSULAMENTO TIPO T0220 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ESQUEMÁTICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ESQUEMÁTICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 15 15 16 17 17 18 19 19 20 21 21 23 24 24 25 32 33 LISTA DE SIGLAS DNA Ácido Desoxirribonucleico DAQBI Departamento Acadêmico de Quı́mica e Biologia UTFPR Universidade Tecnológica Federal do Paraná SBG Sociedade Brasileira de Genética USP Universidade de São Paulo UFL Universidade Federal de Lavras DDP Diferença de Potencial AmpOp Amplificador Operacional ac alternating current ou corrente alternada dc direct current ou corrente contı́nua FET Transistor de Efeito de Campo TBJ Transistor Bipolar de Junção JEB Junção Emissor-Base JCB Junção Coletor-Base datasheet Folha de dados do componente SUMÁRIO 1 INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1 OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 MOTIVAÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 METODOLOGIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 REVISÃO BIBLIOGRÁFICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 ELETROFORESE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Eletroforese em gel e sua aplicação no Ensaio cometa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Procedimentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 FONTES DE ALIMENTAÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ponte Retificadora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5 Amplificador Operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 PROJETO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1 DIAGRAMA EM BLOCOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 MONTAGEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Hardware . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2 Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 FUNCIONAMENTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 Transformação, retificação e filtragem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2 Ganho de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3 Ajuste e Controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4 Dissipação de potência . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.5 Demais funções . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 LEVANTAMENTO DE CUSTOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 PROJETOS FUTUROS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 CONCLUSÕES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . REFERÊNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ANEXO A -- ESQUEMÁTICO DA FONTE - PARTE 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ANEXO B -- ESQUEMÁTICO DA FONTE - PARTE 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 7 8 8 10 11 11 11 12 13 13 14 15 16 17 18 20 23 23 23 23 25 26 26 26 26 26 27 28 28 29 31 32 33 7 1 INTRODUÇÃO Um processo de estudo da Genética muito utilizado na graduação e pós-graduação é o chamado Ensaio Cometa ou Eletroforese em gel. Esse processo é muito utilizado como uma metodologia de ensino-aprendizagem no campo de ácidos nucleicos, pois a abstração do conceito de DNA e sua visualização se torna muito difı́cil somente com aspectos teóricos. Essa complementação visual faz com que a teoria sobre DNA seja melhor compreendida (MARTINEZ; PAIVA, 2008). Em estudos mais avançados, o objetivo pode ser quantificar a degradação do material genético de células individualizadas após o ensaio. Com isso abre-se um um campo de estudos muito amplo a partir dos resultados obtidos no processo. Para se viabilizar a prática do Ensaio Cometa, é necessário submeter as células a uma diferença de potencial. Portanto, uma fonte de alimentação se torna imprescindı́vel (SILVA, 2007). O modo como as grandezas fı́sicas, tensão e corrente elétrica, geradas pela fonte, são utilizadas pode variar muito, dependendo dos resultados a que se quer chegar. Em nosso trabalho nos concentramos em desenvolver uma fonte de corrente ajustável e controlada, podendo a tensão na carga chegar a 50Vcc. 1.1 OBJETIVOS Com esse trabalho, buscamos desenvolver uma fonte de alimentação que não possua um custo tão elevado quanto o das fontes de alimentação para eletroforese disponı́veis no mercado, que custam algo em torno de R$3.000,00. O projeto será focado no desenvolvimento de uma fonte de alimentação com corrente ajustável e controlada e a diferença de potencial podendo variar em até 50Vcc, sendo o ajuste feito de forma analógica, possibilitando, deste modo, que seja possı́vel a realização do Ensaio Cometa. 8 1.2 MOTIVAÇÃO A motivação para a escolha desse projeto é de poder contribuir com o estudo feito pelo De- partamento Acadêmico de Quı́mica e Biologia, DAQBI, da UTFPR na área de Genética. Como a Universidade não possui uma fonte para Eletroforese, o Ensaio acaba sendo inviabilizado. Os resultados obtidos podem retratar efeitos genotóxicos de amostras ou condições ambientais alteradas, e isso pode interferir diretamente no desenvolvimento de organismos, mostrando, portanto, a importância de tal estudo. Além disso, a habilidade adquirida na análise e montagem de circuitos elétricos é de grande valia para disciplinas posteriores e mais ainda para a vida prática. Com essa integração entre diversas áreas do conhecimento conseguimos, também, atingir um dos objetivos da disciplina. 1.3 METODOLOGIA Para alcançar os objetivos pretendidos, nossa equipe adotou os seguintes passos a saber: • Revisão da literatura: começou logo após a escolha do tema e perdurou durante boa parte do trabalho. No inı́cio precisávamos adquirir um conhecimento básico sobre eletroforese e sua relação com fontes de alimentação, para que pudéssemos compreender com razoável precisão a necessidade dos professores do DAQBI. A seguir percebemos que nosso conhecimento técnico a respeito do tema era bastante limitado, mesmo porque envolvia assuntos até então não vistos no curso, o que nos forçou a buscar em vários livros respostas às nossas frequentes dúvidas. • Testes primários: foram testes realizados no laboratório com o objetivo de conhecer todo o procedimento necessário para se efetuar o Ensaio Cometa. Neles pudemos tirar algumas conclusões tais como: a resistência do meio quase não varia durante o experimento, tempo do experimento, leitura superficial dos resultados, ajuste da corrente, etc. • Simulação: foi um perı́odo longo, durante o qual, simulávamos circuitos em softwares especı́ficos. As dúvidas a nı́vel técnico começavam a surgir frequentemente, com isso procurávamos consultar nosso orientador, para saber se estávamos caminhando na direção correta. • Montagem: concomitantemente às simulações, começamos a montagem da fonte, inicialmente pelo processo de transformação da tensão da rede seguido pela retificação de onda. Posteriormente partimos para a parte do circuito que regula a corrente e a que faz o 9 ganho da mesma para distribuir para a carga. Por fim, atribuimos o circuito responsável pelo controle da corrente. 10 2 REVISÃO BIBLIOGRÁFICA Como base para a fundamentação teórica, utilizamos obras que direcionaram nossos estudos para a área da bioquı́mica e outros para a área da eletrônica. No inı́cio do trabalho, após a escolha do tema, procuramos fontes bibliográficas que nos dessem ideias básicas do conceito de eletroforese e mais especificamente do Ensaio Cometa. Para isso, utilizamos um artigo disponı́vel na página da Sociedade Brasileira de Genética, SBG; ”Eletroforese de Ácidos Nucleicos: uma prática para o ensino da genética” (MARTINEZ; PAIVA, 2008). Uma visão geral sobre conceitos teóricos e sobre modelos de eletroforese foi obtida a partir de um livro de bioquı́mica (VOET; VOET, 2006). Para descrições dos procedimentos necessários para a prática do Ensaio Cometa e discussões dos seus resultados buscamos informações em uma dissertação de mestrado da USP, sobre efeitos no DNA de robalos submetidos ao Ensaio Cometa (PAOLO, 2006) e um relatório de aulas práticas de alunos do mestrado da UFL (MARTINAZZO et al., 2007). Para o desenvolvimento da fonte buscamos referências para eletrônica analógica. Assuntos, como: diodos para retificação de onda encontramos em (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999), já transistores bipolares e amplificadores operacionais utilizados para sensoriamento de corrente encontramos em (SEDRA; SMITH, 2000). 11 3 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA 3.1 ELETROFORESE A eletroforese é um método de separação de moléculas carregadas, dissolvidas ou suspen- sas em um eletrólito, no qual é aplicado um Campo elétrico. Esse processo tem sido extensivamente utilizado, principalmente no campo da Bioquı́mica, desde a década de 30 (SANTOS; TAVARES; RUBIM, 2000). Inicialmente proposta por Arne Teselius (1937), o método era empregado para a visualização de proteı́nas, evidenciando o comportamento migratório das mesmas e correlacionando com as diferenças de comprimento de fragmentos de aminoácidos e suas cargas elétricas. Os resultados do método podem ter valiosos interesses em estudos taxonômicos, filogenéticos, fisiológicos e genéticos. Dentre outras aplicações, a eletroforese atualmente tem sido empregada por exemplo, na identificação e classificação de fungos e bactérias, utilizando para isso, moléculas de ácidos nucleicos (MARTINEZ; PAIVA, 2008). Existem inúmeras modalidades de eletroforese, entre as mais conhecidas destacam-se (VOET; VOET, 2006): • eletroforese em papel; • eletroforese em gel; • eletroforese de disco; • eletroforese capilar; • eletroforese bidimensional; 3.1.1 Eletroforese em gel e sua aplicação no Ensaio cometa O Ensaio Cometa é uma aplicação da técnica de eletroforese em gel de material nuclear, com objetivo de avaliar danos ao DNA de células individuais e possibilitar a quantificação de 12 fragmentos do DNA nuclear. Dentre as abordagens experimentais aplicadas ao Ensaio Cometa, a avaliação do potencial genotóxico de contaminantes ambientais tem sido extensamente estudada. A separação das moléculas é fundamentada na migração do ácido nucleico completamente ionizado através do gel, sendo a mobilidade conferida pela passagem de corrente elétrica na interface gel-solução eletrolı́tica tamponada (VOET; VOET, 2006). A eletroforese de DNA em gel possui custo experimental relativamente baixo, rapidez, precisão e reprodutibilidade para qualquer tipo celular. É necessário para o Ensaio Cometa, uma pequena quantidade de células eucarióticas intactas, que posteriormente terão a membrana nuclear degradada quimicamente, liberando o conteúdo nuclear para o suporte onde ocorrerá a migração diferencial (PAOLO, 2006). 3.1.2 Procedimentos As células submetidas ao Ensaio Cometa são incluı́das em gel de agarose e dispostas em fina camada sobre lâminas histológicas. Através de soluções apropriadas, as membranas da célula, núcleo e organelas são rompidas; os componentes citoplasmáticos e proteı́nas nucleares são liberados na matriz polimérica, permanecendo parcialmente a ela adsorvida; e o conteúdo nuclear é submetido à eletroforese. Especificamente nesse tipo de eletroforese é utilizado um gel, geralmente de agarose, afim de proporcionar a adsorção do DNA à matriz de polı́meros e também para melhorar a visualização do processo. A partir do núcleo, fragmentos de DNA, por possuı́rem carga negativa devido ao grupo fosfato, migram no sentido do anodo; quanto mais intensa for a indução de quebras, menores serão os fragmentos e maior extensão de migração (PAOLO, 2006). Após coloração, que pode ser feita com nitrato de prata ou corantes fluorescentes com elevada afinidade ao conteúdo genético, observam-se as lâminas em microscópio óptico comum ou de epifluorescência. A extensão do dano ao DNA celular é proporcional à área de migração do conteúdo nuclear, apresentando aspecto microscópico semelhante a uma “cauda” corresponde aos fragmentos que migraram com maior mobilidade do que as estruturas poliméricas intactas. Através da digitalização das imagens observadas no microscópio eletrônico seguido pelo tratamento dos dados através de um software, é possı́vel classificar a extensão e magnitude do dano ao DNA de células individualmente a partir do tamanho da cauda do cometa, permitindo, então, avaliar o potencial genotóxico de amostras ou de condições ambientais alteradas (PAOLO, 2006). 13 3.2 FONTES DE ALIMENTAÇÃO Para o funcionamento de todo circuito eletrônico é necessário energia elétrica; disponı́vel em uma tomada da rede ou mesmo em uma bateria. Porém, a forma como essa energia se encontra muitas vezes não condiz com a forma que o circuito necessita. A energia repassada ao circuito acontece através da DDP dada em volts (V). Alguns circuitos necessitam de tensões mais altas, outros mais baixas e alguns exigem tensão contı́nua, outros alternada (BRAGA, 2005). Essa conversão da energia disponı́vel para a energia adequada envolve configurações especı́ficas de componentes eletrônicos, que são chamadas de ”fontes de alimentação”. As fontes de alimentação podem operar segundo duas principais tecnologias, as lineares (analógicas) ou chaveadas. Para a alimentação de aparelhos eletrônicos, o que se necessita, geralmente, é de uma fonte com tensão fixa, porém para trabalhos eletroquı́micos, como é o caso do nosso projeto, o importante é manter uma corrente fixa. Para isso é necessário utilizar uma fonte na qual a intensidade da corrente não varia mesmo que ocorram variações das condições de alimentação da carga (BRAGA, 2005). Os componentes eletrônicos contidos em uma fonte de alimentação podem variar muito, de acordo com a necessidade do circuito. Componentes como: resistor, transformador, capacitor, diodo, transistor, AmpOp são utilizados em um grande número de fontes de alimentação, inclusive na que desenvolvemos, por isso faremos uma breve descrição dos principais deles. 3.2.1 Transformador O transformador, Figura 1, é um dispositivo que consiste de duas bobinas, com números diferentes de espiras (número de voltas), enroladas em torno de um núcleo de ferro. A bobina de entrada é chamada de primário, enquanto a de saı́da é o secundário. Dentre as muitas utilidades, destacamos a caracterı́stica de aumentar ou diminuir a tensão da rede. Sua operação está baseada nos princı́pios eletromagnéticos da Lei da Indução de Faraday (HALLIDAY; WALKER, 2009). A relação entre a tensão de saı́da e a de entrada depende diretamente da razão entre as espiras, pela equação (1): V2 N2 = V1 N1 V1 = tensão no primário; (1) 14 Figura 1: Esquemático para transformação de tensão. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) V2 = tensão no secundário; N1 = número de espiras no primário; N2 = número de espiras no secundário; Outra caracterı́stica importante dos transformadores é o isolamento que sua estrutura proporciona entre a entrada e a saı́da de um circuito. Como as bobinas do primário e do secundário estão isoladas, pois a transferência de energia se faz por campo magnético, podemos isolar o circuito da rede elétrica (BRAGA, 2009). 3.2.2 Diodo O diodo é um elemento semicondutor não-linear, podendo ser composto por cristais de silı́cio ou germânio. Ele é composto por dois terminais, um positivo em relação ao referencial utilizado, que é chamado de anodo, e outro negativo, chamado de catodo, e a principal caracterı́stica que ele possui é a relação não-linear entre a corrente que circula no componente e a tensão nele aplicada (SEDRA; SMITH, 2000). Basicamente, a caracterı́stica elétrica do diodo funciona da seguinte maneira: se uma tensão negativa em relação ao referencial for aplicada nele, diz-se que o componente está inversamente polarizado. Neste estado, o diodo passa a se comportar como um circuito aberto, pois não há nenhuma corrente circulando por ele. Entretanto, se uma tensão positiva for aplicada no diodo, diz-se que ele está diretamente polarizado. Neste estado, considerando um diodo ideal, não há queda de tensão no componente e existe uma corrente passando por ele. Logo, ele passa a ser um curto-circuito. Para diodos reais, diretamente polarizados, a queda de tensão é de 0,7V para diodos de silı́cio e 0,3V para os de germânio. O esquema de polarização do diodo pode ser visto na Figura 2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O diodo semicondutor é basicamente uma junção pn, Figura 3, ou seja, uma junção, de materiais tipo p e tipo n, construı́da em uma mesma base – germânio ou silı́cio. Fundamentos 15 Figura 2: (a) Sı́mbolo do diodo no circuito; (b) Diodo reversamente polarizado; (c) Diodo diretamente polarizado. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) de fı́sica quântica são necessários para o estudo de materiais semicondutores, não pretendemos detalhá-los, porém cabe aqui um sucinto conceito de materiais tipo p e tipo n. “Tanto o material tipo p quanto o tipo n são formados pela adição de um número predeterminado de átomos de impureza em uma base de germânio ou silı́cio” (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). A diferença dos átomos de impureza utilizados em cada material é determinada pela quantidade de elétrons na sua camada de valência, deixando o material com excesso ou falta de elétrons livres, na falta de elétrons livres surgem lacunas. Os materiais com falta de elétrons livres, ou seja, com lacunas em excesso, são materiais tipo p, onde as lacunas são as portadoras majoritárias e os elétrons são portadores minoritários. Os materiais com excesso de elétrons livres são materiais tipo n, onde os elétrons são os portadores majoritários e as lacunas as portadoras minoritárias (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). Figura 3: Junção pn do diodo. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) Ponte Retificadora Entre as maneiras como o diodo pode ser utilizado, uma das aplicações mais importantes são os circuitos retificadores. Estes circuitos permitem com que uma tensão alternada, ac, seja transformada em uma tensão contı́nua, dc, algo extremamente crucial em uma fonte de alimentação que vai ser utilizada para alimentar algum equipamento eletrônico. Há vários cir- 16 cuitos retificadores, mas o escolhido neste projeto foi um em especial: o circuito retificador em ponte (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O circuito retificador em ponte, Figura 4, tem como objetivo inverter todo sinal negativo da onda senoidal de entrada em sinal positivo com a vantagem de não exigir um transformador com derivação central. Ele é composto por uma associação entre quatro diodos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). Figura 4: Retificador em ponte Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) Este circuito funciona da seguinte maneira: quando a tensão é positiva, ela faz com que a corrente circule pelo diodo D2, pela carga R e pelo diodo D3. Neste intervalo, deve-se observar que os diodos D1 e D4 estão inversamente polarizados. Em contrapartida, quando a tensão é negativa, a corrente circulará no diodo D4, na carga R e no diodo D1, enquanto os diodos D2 e D3 estão inversamente polarizados. Um estudo mais atento destes fatos nos leva a ver que independentemente da tensão de entrada ser positiva ou negativa, a corrente que circula na carga sempre estará no mesmo sentido, da direita para a esquerda, portanto a tensão será sempre positiva, logo, tensão contı́nua (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). Diodo Zener O diodo zener é um tipo especial de diodo semicondutor, porém ele opera na região de ruptura, sendo por isso também chamado de diodo de ruptura. Para operar na região de ruptura é necessário que o zener seja reversamente polarizado. Nessa região não há variação da DDP sobre o zener, por mais que haja uma variação na corrente que passa por ele. Devido a essa caracterı́stica ele é utilizado em paralelo com a carga, a fim de manter a DDP sobre a carga constante. As figuras 5 e 6 representam a polarização do zener no circuito e a região de ruptura consecutivamente (SEDRA; SMITH, 2000). 17 Figura 5: Polarização do diodo zener. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) Figura 6: Região de ruptura no diodo zener. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) 3.2.3 Capacitor Um capacitor é um componente formado por duas superfı́cies condutoras separadas por um material não-condutor. Existem vários modelos de capacitor, sendo eles classificados a partir do material não-condutor utilizado (IRWIN, 2000). O capacitor funciona do seguinte modo: quando uma tensão for aplicada nele, cargas positivas ficarão em uma das placas condutoras enquanto as cargas negativas ficarão na outra. Consequentemente, este diferencial de carga entre as placas irá criar um campo elétrico e armazenará energia e, devido ao material não-condutor que existe entre as placas, a corrente que flui nos condutores não pode fluir entre elas. Após o capacitor estar carregado, ele fornecerá toda a energia que estava armazenada para qualquer componente dissipador de energia que for associado a ele (IRWIN, 2000). A saı́da de um retificador em ponte é uma onda pulsante com valor médio diferente de zero, entretanto ela ainda não é adequada para alimentar uma carga. Para que a onda seja 18 adequada para o uso no circuito é necessário que a mesma passe por uma etapa chamada de filtro capacitivo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O filtro capacitivo é uma operação baseada no carregamento e descarregamento do capacitor, o qual é polarizado para se carregar no primeiro semiciclo da onda completa e se descarregar no outro semiciclo, formando o que é mostrado na Figura 7. Como resultado dessa etapa a saı́da corresponde a uma tensão contı́nua que varia de um fator de ondulação ou tensão de ripple. Essa ondulação da onda filtrada é a amplitude da tensão de saı́da do filtro. Figura 7: Fator de ondulação em um filtro capacitivo Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) A equação (2) descreve a relação da tensão de ripple (Vr) com a capacitância C, frequência f da onda antes de passar pelo retificador em ponte, e da corrente ICC que sai para o restante do circuito. Vr = 3.2.4 ICC 2 fC (2) Transistor Após descrever os dispositivos semicondutores de dois terminais (diodos), vamos agora descrever dispositivos semicondutores de três terminais, os transistores. Existem dois tipos principais de transistores, o de efeito de campo, FET, e o transistor bipolar de junção, TBJ. Focaremos no TBJ, pois foi o utilizado em nosso projeto. O princı́pio básico envolvido nesses dispositivos é o uso de uma tensão entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. Com isso um dispositivo de três terminais pode ser empregado para realizar uma fonte controlada. Para os FET os três terminais são denominados: porta, fonte e dreno, já para os TBJ: base, coletor e emissor. Nas figuras 8 e 9, respectivamente, podemos ver a 19 estrutura simplificada de dois tipos de transistores TBJ, os npn e os pnp (SEDRA; SMITH, 2000). Figura 8: Polarização de um transistor npn. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) Figura 9: Polarização de um transistor pnp. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) O TBJ é composto por duas junções pn, a junção emissor-base, JEB, e a junção coletor-base, JCB. Dependendo da condição de polarização (direta ou reversa) de cada uma das junções, são obtidos diferentes modos de operação do TBJ. Os modos de operação são: ativo, corte, saturação. O ativo é utilizado para o transistor operar como amplificador, operação em corte 20 e em saturação são utilizados para chaveamento, por exemplo em circuitos lógicos (SEDRA; SMITH, 2000). Em nosso projeto utilizamos tanto transistores do tipo pnp quanto do tipo npn. Utilizamos ambos no modo ativo, porém tanto o modo saturado quanto o de corte tiveram vital importância em nosso projeto. Uma descrição mais detalhada do porquê de se utilizar os dois tipos de transistores e o modo de operação escolhido, será feita junto com a descrição do projeto. 3.2.5 Amplificador Operacional O Amplificador Operacional – AmpOp, é um circuito básico de importância universal, isso devido a sua versatilidade (SEDRA; SMITH, 2000). A Figura 10 ilustra um AmpOp básico, onde a entrada 1 denominados de entrada não-inversora e a entrada 2 de entrada inversora. Figura 10: AmpOp básico. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) O AmpOp é um amplificador diferencial de ganho muito alto com impedância de entrada muita alta e baixa impedância de saı́da, porém essas caracterı́sticas são observadas quando o AmpOp está operando em malha aberta, ou seja, sem que haja qualquer tipo de realimentação entre as entradas e a saı́da do amplificador. Quando de alguma forma é feita uma realimentação no AmpOp passamos a controlar o ganho do mesmo e assim podemos empregá-lo em vários circuitos como na construção de osciladores, filtros e alguns circuitos de instrumentação. A Figura 11 ilustra um AmpOp em malha aberta (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O AmpOp em malha aberta opera como um comparador. Devido ao alto ganho, que idealmente seria infinito, mas na prática está ordem de milhares de vezes, e ficando limitado pela sua alimentação, quando o sinal da entrada não inversora é superior ao sinal da entrada inversora a saı́da tende ao valor de tensão da alimentação positiva do AmpOp, porém quando o sinal da entrada inversora for superior ao sinal da entrada não-inversora a saı́da tende ao valor de tensão da alimentação negativa do AmpOp. Em malha aberta o AmpOp possui determinados modos de operação, a saber: Entrada com 21 Figura 11: AmpOp em malha aberta. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000) Terminação-Única, onde uma das entradas está ligada à terra, ou seja, 0 V; Entrada (diferencial) com Terminação-Dupla, aqui cada uma das entradas estarão ligadas a sinais diferentes; Saı́da com Terminação-Dupla, nesta configuração a saı́da é diferencial; Operação Modo-Comum, quando é ligado nas entradas o mesmo sinal resultando na saı́da um sinal nulo, mas em casos práticos teremos um pequeno sinal na saı́da; e finalmente Rejeição de Modo-Comum, nesse modo de operação a conexão diferencial entre as entradas tende a atenuar sinais indesejados, ruı́dos nos sinais de entrada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O AmpOp opera em malha fechada quando há uma realimentação negativa no amplificador, ou seja, quando há uma realimentação entre o sinal de saı́da e o sinal da entrada inversora. A Figura 12 mostra uma configuração básica do AmpOp realimentado negativamente. Figura 12: AmpOp realimentado negativamente. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999) A realimentação negativa permite um controle sobre o ganho do amplificador através da relação entre as resistências do circuito de realimentação. Com o controle do ganho dos AmpOp’s podemos pensar em uma série de circuitos funcionais e importantes para dispositivos eletrônicos. Circuitos que realizam alguma operação matemática em um determinado sinal, por 22 exemplo, soma, multiplicação, diferenciação e integração são alguns exemplos de circuitos que utilizam AmpOp com realimentação negativa (SEDRA; SMITH, 2000). 23 4 PROJETO A seguir será explicado mais detalhadamente o projeto em si, desde a montagem, descrição dos componentes utilizados até o funcionamento da fonte. Para essas etapas se torna imprecindı́vel a consulta ao esquemático, que se encontra em anexo. 4.1 DIAGRAMA EM BLOCOS Figura 13: Diagrama em blocos da fonte. Fonte: Autoria própria O esquemático da fonte se encontra em anexo. 4.2 MONTAGEM 4.2.1 Hardware O hardware da fonte é simples. O transformador, a ponte retificadora e o capacitor C1 foram montados através da ligação de seus terminais, sem qualquer anteparo para a fixação dos mesmos. Em uma placa universal de Fenolite – que permite várias conexões, montamos os demais componentes. A dissipação de potência dos transistores é um fator determinante na montagem do hardware. Devido à alta dissipação de calor nos transistores é necessária a montagem dos mesmos 24 em dissipadores de calor, deixando-os montados fora da placa. As Figuras 14 e 15 mostram a montagem dos transistores nos dissipadores, orientando a colocação de um isolador elétrico ou mica. A utilização desse isolador é devido aos transistores utilizados possuı́rem o terminal coletor ligado ao encapsulamento. É utilizado também pasta térmica para favorecer a transferência de calor. Os transistores são encapsulados no padrão Caixa TO220, que são encapsulamentos especı́ficos para transistores com considerada dissipação de potência. A Figura 16 mostra esse tipo de encapsulamento. Figura 14: Montagem do transistor no dissipador. Fonte: (MARTINS, 2006) Figura 15: Dissipador e transistor depois de montado. Fonte: (MARTINS, 2006) 25 Figura 16: Encapsulamento do tipo T0220. Fonte: (MARTINS, 2006) 4.2.2 Componentes O transformador é para tensão de 127 a 200Vca no primário e 24+24Vrms no secundário. Nesse caso temos no secundário até 48Vrms, ou seja, 67,88Vp. O capacitor C1 – 1000µF / 100V, foi escolhido com o objeto claro de suportar a tensão do secundário do transformador. A alta capacitância é necessária para reduzir o efeito de ripple. Existe um dispositivo eletrônico denominado de ponte retificadora, o qual possui em seu interior quatro diodos configurados em ponte. Utilizamos para a retificação do sinal uma ponte retificadora que suporta uma tensão de até 100V e corrente até 3A. O diodo zener D1 - 25V / 5W, é para a alimentação do amplificador operacional LM 324. Os resistores são todos dimensionados de acordo com a sua função. Para o resistor da amostra de corrente – 1Ω / 1W, é importante a confiabilidade na estabilidade no seu valor nominal com a variação de temperatura, seja pela temperatura ambiente ou pela dissipação de calor. Os transistores foram escolhidos com base na alta dissipação de potência e na diferença de potencial na junção coletor-emissor (Vce). A tabela abaixo mostra os parâmetros nominais dos transistores. Componente Vce Potência máxima ic ganho região ativa BD242C 100V 40W 3A 10-25 BD243C 100V 65W 6A 15-30 O AmpOp – LM324, é utilizado devido a faixa de tensão suportada nas entradas – até 30V e a sua alimentação até 32Vcc. 26 4.3 FUNCIONAMENTO 4.3.1 Transformação, retificação e filtragem O transformador reduz a tensão da rede (127 Vrms) para 48 Vrms, na retificação utilizamos uma ponte retificadora – equivalente a quatro diodos na configuração retificação em ponte – que inverte os semiciclos negativos deixando a tensão com semiciclos positivos apenas, para, na filtragem, através do capacitor C1, deixar o sinal com o menor ripple possı́vel. 4.3.2 Ganho de corrente O transistor Q1 é do tipo pnp, pois assim, utilizamos o ganho de corrente no coletor em função da corrente da base para fornecer a corrente necessária a carga, no caso de 0 – 400mA. 4.3.3 Ajuste e Controle O ajuste da corrente de saı́da é feito através do potenciômetro POT1. O potenciômetro e o resistor R1 formam um divisor de tensão que, conforme o ajuste do potenciômetro e a comparação com a amostra da corrente da carga através do AmpOp, regula a corrente na base do transistor Q2, que é do tipo npn, assim controlamos a corrente de coletor do mesmo, consequentemente, estamos controlando a corrente de base do transistor Q1 e assim ajustando a corrente na carga. O AmpOp foi configurado como um comparador com realimentação negativa, ou seja, controlamos o ganho do amplificador através da malha entre a junção base-coletor do Q2, a junção base-coletor do Q1 e a carga. Como o AmpOp compara as tensões de entrada, pegamos uma amostra da corrente que circula pela carga e transformamos o seu valor em uma diferença de potencial no resistor Ramostra (shunt de corrente), que tem resistência de 1Ω, e ligamos em uma das entradas do AmpOp e na outra conectamos a tensão ajustada pelo potenciômetro no divisor de tensão. A amplificação da diferença, gerada pela comparação desses dois sinais, corrige a corrente de base do transistor Q2, consequentemente, corrige a corrente de coletor do Q2 que a mesma na base do transistor Q1, assim, atuamos na correção da corrente da carga. 4.3.4 Dissipação de potência Diante de uma tensão relativamente alta com que trabalhamos e uma corrente que varia até 400mA, o transistor BD242C tem uma dissipação de junção coletor-emissor bastante alta, que, 27 se não controlada, pode causar um mau funcionamento do transistor e consequentemente da fonte. A potência média máxima que um transistor pode dissipar depende de sua construção e ela é limitada pela temperatura que a junção coletor-base pode alcançar. Para o BD242C, essa temperatura é de 150ºC (SOLUTIONS, 2011). O aumento da temperatura da junção pode ocorrer de dois modos: aumento na temperatura ambiente e/ou auto-aquecimento. No datasheet dos transistores, a máxima dissipação é especificada em relação à temperatura ambiente (25ºC). Esse auto-aquecimento causa a dissipação de potência na junção do coletor, que faz a temperatura da junção subir, e isto por sua vez faz aumentar a corrente de coletor, com correspondente aumento de dissipação de potência. Esse fenômeno cı́clico denominado Thermal Runaway, ou disparo térmico, se não controlado danificará permanentemente o transistor. A equação (3) relaciona o aumento da temperatura na junção (Tj) em relação à temperatura ambiente (Ta), com a dissipação de potência na junção e a resistência térmica Θ (MILLMAN; HALKIAS, 1981). T j − Ta = Θ.Pd (3) Para o BD242C, Θ = 3,13ºC/W; Para que houvesse uma condição de estabilidade térmica devı́amos garantir que a taxa de calor liberado pela junção fosse menor que o calor dissipado sob condição de regime. Para isso utilizamos um dissipador (alta resistência térmica) e um cooler. O correto seria calcular a mı́nima resistência térmica que o dissipador deveria ter, e em seguida, procurar um com essa especificação no mercado. Porém os vendedores não souberam especificar esse valor, por isso nos restou decidir, a partir de métodos empı́ricos, o dissipador mais adequado. 4.3.5 Demais funções O diodo zener D1 regula a tensão do filtro para a alimentação do AmpOp LM324. 28 4.4 4.5 LEVANTAMENTO DE CUSTOS Componentes Preço (R$) Transformador 127V / 24+24 18,50 Capacitor 1000uF / 100V 7,50 Ponte retificadora 2,60 resistor 1KΩ / 1W 0,10 resistor 1KΩ / 10W 2,90 resistor 820KΩ / 1W 0,13 resistor 27Ω / 5W 0,97 resistor 1Ω / 5W 2,02 diodo zener 0,35 transistor BD242C 1,50 transistor BD243C 1,40 AmpOp LM324 1,00 dissipador DM 1448 7,80 dissipador DM 1448A 3,75 placa universal de fenolite 10,00 parafuso 1,00 pasta térmica 2,21 Total 63,73 PROJETOS FUTUROS Em projetos futuros envolvendo a fonte de alimentação desenvolvida neste trabalho, exis- tem alguns aprimoramentos que podem vir a ser de grande valia. Algumas ideias que tivemos, mas, devido ao curto tempo de prazo, não puderam ser implementadas, foram: o interfaceamento digital entre a fonte e o usuário e o aumento da diferença de potencial máxima que a fonte poderia fornecer à carga. Embora existam mais funções que possam ser implementadas, as duas citadas anteriormente são requisitos interessantes em uma fonte de alimentação para experimentos de eletroforese, embora não sejam cruciais para o seu funcionamento. 29 5 CONCLUSÕES Duas ponderações são cruciais para a conclusão deste trabalho. A primeira são os desafios encontrados durante o trabalho que nos incentivaram a todo o momento no último semestre. Já a segunda são os resultados obtidos, considerando as condições as quais enfrentamos para realizar testes com o protótipo da fonte. Durante a simulação via software, tudo ocorreu bem, mas quando montamos o protótipo nos deparamos com uma série de detalhes que nos levaram a estudos e ensaios mais detalhados, como no caso dos dissipadores de calor fixados nos transistores, a estabilidade do valor do resistor, para a amostra de corrente, em função da variação de temperatura e nos circuitos de proteção para evitar sobrecarga na fonte. Os resultados dos testes realizados mereceriam um capı́tulo a parte nessa monografia caso os teste não fossem simples e consequentemente merecem grandes discussões. O resultado óbvio que poderı́amos esperar da fonte, que propúnhamos nesse trabalho, seria fornecer corrente estável a uma cuba para o processo da Eletroforese, porém alguns fatores externos foram determinantes para, ainda, não determinarmos se o protótipo atenderá as expectativas. A cuba que realizamos os ensaios iniciais é da UFPR e assim a sua disponibilidade para nossos testes não é a ideal. A UTFPR estava em meio ao processo de aquisição de uma cuba para o DAQBI, sendo assim, realizamos nossos testes em uma cuba improvisada o que descaracterizou as condições ideais de uso. Os testes realizados com a cuba da UFPR e com a cuba improvisada mostraram que o protótipo manteve estável a corrente de saı́da e que ele atendeu a as caracterı́sticas propostas desde o inicio, ou seja, uma faixa de corrente entre 0 e 400mA e uma faixa de tensão entre 0 e 50Vcc. Porém ainda, não podemos afirmar que o protótipo atenderá as expectativas devido a um detalhe a presença de um sinal de ruı́do junto ao nı́vel DC da fonte. Poderemos solucionar essa dúvida quando tivermos à disposição a cuba adquirida pela UTFPR. Temos consciência que a fonte proposta neste trabalho está aquém de atender a todas as exigências de um laboratório para experimentos de Eletroforese, porém, para o caso do Ensaio Cometa, ela atende funcionalmente as expectativas. Vemos que as propostas citadas como 30 projetos futuros são de importância para melhor atender os experimentos a serem realizados pelos docentes e discentes do DAQBI. 31 REFERÊNCIAS BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. [S.l.]: LTC, 1999. ISBN ISBN 85-216-1195-1. BRAGA, N. C. Fonte de Alimentação. [S.l.]: Saber, 2005. ISBN 8571160309. BRAGA, N. C. Transformadores e fator de potência. Eletrônica Total, 2009. HALLIDAY, D.; WALKER, J. Fundamentos de Fı́sica 3 - eletromagnetismo. 8. ed. [S.l.]: LTC, 2009. IRWIN, J. D. Análise de Circuitos em Engenharia. [S.l.]: Makron Books, 2000. MARTINAZZO, E. G. et al. Eletroforese. [S.l.], 2007. Relatório de aulas práticas, do curso de Fisiologia Vegetal/Agronomia, nı́vel de Mestrado. MARTINEZ, E. R. M.; PAIVA, L. R. de S. Eletroforese de ácidos nucléicos: Uma prática para o ensino de genética. Sociedade Brasileira de Genética, 2008. MARTINS, P. Montagem em transistores de dissipadores. Abril 2006. 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Disponı́vel em: 32 ANEXO A -- ESQUEMÁTICO DA FONTE - PARTE 1 Figura 17: Esquemático da fonte - parte 1 Fonte: Autoria própria 33 ANEXO B -- ESQUEMÁTICO DA FONTE - PARTE 2 Figura 18: Esquemático da fonte - parte 2 Fonte: Autoria própria