Universidade Federal da Bahia

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Universidade Federal da Bahia - DEE
Dispositivos Eletrônicos – ENG C41
Professora: Ana Isabela Araújo Cunha
Segunda Avaliação – Semestre 2011.1
1) No circuito da Fig.1, vIN pode assumir os valores VCC = 5 volts ou zero. Sabendo
que VCC1 = 10 V e RE = 1 k, dimensione RB e RC para que vOUT situe-se entre
4,8 e 5,0 volts quando vIN = 0 e para que vOUT seja nula quando vIN = VCC. Os
TBJ’s NPN são idênticos e têm como parâmetros:  = 100, VBE = 0,6 V na região
ativa, VBESAT = 0,8 V, VCESAT = 0,2 V e IC0 é desprezível. Assuma que os
dispositivos entram em corte para VBE < 0,2 V. (Valor: 4,0)
VCC
VCC1
IC
RC
VIN
RB
RC
RB1
7,6*RB1
T2
VOUT
T1
VCC
VCC
IC
RC
+
VCE2
-
+
VCE1
-
RB2
RE
RE
Fig.1
Fig.2
2) Nos circuitos de polarização fixa e automática da Fig.2, a corrente IC de
polarização é a mesma, mas os valores de VCE são diferentes. São utilizados
o mesmo transistor e o mesmo resistor RC. Sabe-se que  = 100, VBE = 0,6 V na
região ativa, IC0 é desprezível, VCC = 12 V, RB1 = 60 k e RC = 2 k.
a) Determine os valores de RE e RB2 acrescentados no circuito de polarização
automática, sabendo que VCE1 – VCE2 = 3,03 V. (Valor: 3,5)
b) Sabe-se que ao se trocar o TBJ por um de  ligeiramente maior (supondo os
demais parâmetros constantes) a corrente IC sofre um acréscimo de
64,6875 A no circuito de polarização fixa. Qual o acréscimo em A
estimado para a corrente IC no circuito de polarização automática? (Valor: 0,5)
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Formulário: TBJ na região ativa: IC = IB + ( + 1)IC0
I
I
IC
S  C  C 
na polarização automática



R E 

1 
 RE  RB 
S  IC  na polarização fixa.
3) Num MOSFET canal N de enriquecimento é necessário aplicar uma tensão portasubstrato suficientemente __________________ para formar o canal de
___________________, entre as regiões de difusão de fonte e _____________.
Este canal é composto por _________________ (portadores minoritários do
substrato) que são atraídos pelo campo elétrico transversal que atravessa a
estrutura ____________________, formada pelo polissilício de porta de natureza
condutora, dióxido de silício de natureza ________________ e o semicondutor,
daí o nome transistor de efeito de _____________. Uma vez formado o canal,
aplicando-se uma ____ entre dreno e fonte, verifica-se uma corrente elétrica que
cresce não linearmente com a mesma e que satura para valores de tensão drenosubstrato maiores que a tensão de “________________”. Em inversão forte a
característica corrente-tensão do MOSFET tem um comportamento semelhante a
uma ________________ do 2º grau. (Valor: 2,0 => 0,2 por lacuna)
4) (Opcional, só para quem compareceu à aula de Outros Diodos)
Em um LED, quando os portadores de carga atravessam a junção polarizada
__________________, ocorre recombinação, com a conseqüente liberação de
fótons. A cor da luz emitida por um LED depende do _______________ utilizado
na sua fabricação, mas a cor do __________________________ não influencia na
luz emitida. Ao contrário dos diodos para fins de retificação, a maior parte dos
LEDs
possui
baixa
tensão
de
__________________
na
polarização
_________________. (Valor: 0,5 => 0,1 por lacuna)
Nome: __________________________________________________________________
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