1ª Lista de Exercícios:

Eletrônica 2
UTFPR/Campus PG
1ª Lista de Exercícios:
1) Determine o ganho vo/vi e a resistência de entrada Rin do circuito apresentado abaixo
considerando que o transistor T possui um ganho β igual a 100.
2) Projete o circuito amplificador abaixo (determinar RC e RE) para que a corrente no emissor
seja 0,5 mA e a tensão no coletor igual a 5 V. O transistor T possui β = 100. Calcule também o
ganho de tensão vo/vi para o caso em que RL é igual a 10 kΩ.
3) O transistor do circuito abaixo é caracterizado por um β igual a 120. Determine: (a) os
valores CC da corrente e da tensão no coletor; (b) o ganho de tensão vo/vi.
Eletrônica 2
UTFPR/Campus PG
4) Calcule o ganho de tensão vo/vi do circuito abaixo considerando que o MOSFET possui os
seguintes parâmetros: kn = 2 mA/V2 e Vt = 2 V.
5) O MOSFET do circuito abaixo possui kn = 5 mA/V2 e Vt = 3 V. Determine o ganho de tensão
vo/vi do circuito.
Eletrônica 2
UTFPR/Campus PG
6) Determine o ganho de tensão vo/vin do circuito amplificador abaixo. Calcule também o
máximo valor da amplitude do sinal de entrada para que o transistor T não opere nas
regiões de saturação e/ou corte. Considere que o transistor possui β = 100.
7) Esboce a forma de onda da tensão de saída Vo do circuito amplificador abaixo e calcule
também seu rendimento para uma tensão vin = 10.sen(2π.10000t) [V].
8) Determine o ganho de tensão vo/vi e a resistência de entrada do circuito amplificador
apresentado abaixo considerando o AmpOp ideal.
Eletrônica 2
UTFPR/Campus PG
9) Considerando que o AmpOp do circuito abaixo é ideal, calcule o ganho de tensão v o/vi do
circuito amplificador.
RESPOSTAS ESPERADAS – LISTA 1 – ET35E
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
vo/vi = 49,5 V/V; Rin = 50 Ω.
RC = 20,2 kΩ; RE = 28,58 kΩ; vo/vi = -88,56 V/V.
IC = 496 μA; VC = 2,064 V; vo/vi = -90,07 V/V.
vo/vi = -2,606 V/V.
vo/vi = -7,407 V/V.
vo/vin = -2 V/V; vinpmáx = 2,3 V.
Esboço de formas de onda; η = 48,69 %.
vo/vi = -10 V/V; Rin = 10 kΩ.
9)
vo
(R R +R R +R R )
=- 2 3 3 4 2 4
vi
R 1R 3