UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA ESCOLA POLITÉCNICA

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA
ESCOLA POLITÉCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ENGC51 – Eletrônica Analógica – 2008.2
Professor: Amauri Oliveira
1ª. Avaliação – Turma P02
Observação:
O aproveitamento parcial de uma questão com resposta errada, só será feito se o aluno
expressou o raciocínio no desenvolvimento da reposta.
1ª. Questão. (Peso 3)
A expressão da corrente de dreno de um transistor MOS-FET canal n, polarizado na região ativa,
pode ser dada por i D  k ` vGS  VT 2 1  v DS  . Determinar R1, R2 e RD do circuito da figura 1
1 W
2 L
para polarização do MOS-FET na região ativa com vGS = 3V e vDS = 5V, e para resistência de
entrada de pequenos sinais vi/ii maior ou igual a 1 M. Dados: k` = 100A/V2, W/L = 10, VT = 1V,
 = 0,01V-1.
2ª. Questão. (Peso 2)
Para o circuito da questão anterior determinar o ganho de tensão de pequenos sinais (Av = v0/vi),
para entrada no “gate” e saída no “dreno”.
3ª. Questão. (Peso 3)
Um amplificador é constituído de dois estágios de amplificação em cascata. No primeiro estágio
tem um transistor MOS-FET na configuração fonte-comum e no segundo estágio um transistor
bipolar na configuração coletor-comum. Este amplificador pode ser classificado como um
amplificador de corrente, amplificador de transresistência (entrada de corrente e saída de tensão),
amplificador de tensão ou amplificador de transcondutância (entrada de tensão e saída de corrente)?
Fundamentar a resposta (resposta sem fundamento não será considerada).
4ª. Questão. (Peso 2)
De um transistor bipolar são conhecidos, r = 3 k, rx = 0, r = 120 k, gm = 10 mA/V e ro = 100
k (resistência de pequenos sinais entre coletor e emissor). Determinar os valores de: a) hoe; b) hre.
Figura 1.