Resumo • Par Diferencial com Transístores Bipolares • Operação para grandes sinais • Resistência diferencial de Entrada e Ganho • Equivalência entre Amplificador diferencial e Amplificador em Emissor Comum • Ganho em Modo Comum e Rejeição em Modo Comum • Calculo da resistência de entrada do emissor comum com resistência de emissor • Resistência em Modo Comum • Tensão de Desvio na Entrada • Correntes de Desvio na Entrada • Gama de tensão de entrada em Modo Comum – p. 1/24 Par Diferencial com Transístores Bipolares O par diferencial de transístores (Bipolares ou FET) é bastante utilizado em circuitos analógicos integrados. É utilizado na familia lógica de alta velocidade Emitter Coupled Logic (ECL), em que os estados lógicos não utilizam a saturação dos transistores. Mais adaptados à fabricação em circuitos integrados pois necessitam de transístores com características muito idênticas. A fonte de corrente é implementada normalmente com um espelho de corrente. As resistências RC podem ser substituídas por espelhos de corrente. – p. 2/24 Par Diferencial com Transístores Bipolares Considerando que vB1 = vB2 = vCM (tensão em modo comum). Supondo Q1 e Q2 idênticos e considerando uma fonte de corrente com resistência de saída infinita a corrente dividir-se-á pelos dois transístores. Então iE1 = iE2 = I/2 e a tensão nos emissores será vCM −VBE em que VBE é a tensão base-emissor. A tensão em cada colector será VCC − 12 αIRC e a diferença de tensão entre os dois colectores será zero. Se variarmos a tensão em modo comum vCM , desde que Q1 e Q2 se mantiverem na região activa a corrente I dividir-se-á igualmente entre Q1 e Q2 e as tensões nos colectores não variaram. Por isso o par diferencial não responde a sinais em modo comum. – p. 3/24 Par Diferencial com Transístores Bipolares Fazendo agora vB2 = 0 e fazendo vB1 = +1V . Verifica-se que Q1 conduzir-á toda a corrente I e Q2 estará ao corte. Para Q1 estar a conduzir o emissor terá que estar aproximadamente a +0.3V o que implica que Q2 estará ao corte. As tensões de colector serão vC1 = VCC − αIRC e vC2 = VCC . – p. 4/24 Par Diferencial com Transístores Bipolares Fazendo agora vB1 = −1V . Verifica-se que Q1 estará ao corte e Q2 estará a conduzir com iE2 = I. Os emissores, ligados a um ponto comum estará a −0.7V o que significa que a junção Emissor-Base de Q1 estará inversamente polarizada com 0.3V . As tensões de colector serão vC1 = VCC e vC2 = VCC − αIRC . Verificamos que o par diferencial responde sinais diferença ou diferenciais. Na verdade com tensões diferenciais relativamente pequenas podemos pôr um transístor a conduzir a corrente toda e o outro ao corte. Este propriedade permite que o par diferencial funcione como porta lógica. – p. 5/24 Par Diferencial com Transístores Bipolares Para usar o par diferencial de transístores bipolares como um amplificador linear aplicamos um sinal diferencial muito pequeno que resulta em que um dos transístores conduz uma corrente I/2 + ∆I e o outro I/2 − ∆I com ∆I proporcional à tensão de entrada diferencial. A tensão de saída tirada entre os dois colectores é 2α∆IRC que é proporcional ao sinal diferencial de entrada vi . – p. 6/24 Operação para grandes sinais Equações para cada transistor: IE1 = Iαs e(vB1 −vE )/VT IE2 = Iαs e(vB2 −vE )/VT Combinando estas duas equações iE1 (vB1 −vB2 )/vT = e iE2 Podemos manipular esta equação para dar iE1 1 = iE1 +iE2 (v −v )/V 1+e B2 iE2 iE1 +iE2 = B1 T 1 1+e(vB1 −vB2 )/VT e tendo em conta que iE1 + iE2 = I e vB1 − vB2 = vid I I iE1 = i = E2 1+e−vid /VT 1+evid /VT As correntes de colector iC1 e iC2 podem ser obtidas multiplicando as correntes de emissor por α. Pode-se verificar se vB1 = vB2 = vCM (vid = 0) a corrente divide-se igualmente pelos dois transístores. Pode-se verificar que uma pequena tensão vid causa a corrente I a fluir quase inteiramente num dos dois transístores. – p. 7/24 Operação para grandes sinais Das equações do acetato anterior obtemos o esquemático das duas correntes de colector (com α ≃ 1) em função do sinal de entrada diferencial. 4VT (100 mV) é suficiente para fazer a comutação da corrente dum transistor para o outro (vamos verificar que esta tensão é menor que no caso do par diferencial MOS). Os transístores não saturam (mais rápida comutação). A saturação dos transístores implicam respostas lentas por causa da carga armazenada na base do transístor. Na zona activa (resposta linear) o transístor funciona em torno de x com |vid | < VT /2. – p. 8/24 Operação para grandes sinais Apresenta-se um método para aumentar a zona linear de operação introduzindo resistências iguais entre cada emissor e o ponto comum. A expansão da zona linear é feito à custa da diminuição de transcondutância total do circuito que é o declive da curva de transferência para vid = 0 e assim do ganho (já tínhamos visto uma situação idêntica na configuração de emissor comum com resistência de emissor) – p. 9/24 Operação para pequenos sinais vid divide-se pelos dois transístores sendo o ponto de emissor uma massa virtual. Portanto temos que em cada transistor um ganho de tensão em módulo de gm Rc para uma tensão de entrada v2id . Para vid << 2VT . – p. 10/24 Operação para pequenos sinais Se substituirmos o par diferencial pelo modelo para pequenos sinais verificamos que vid aparece numa resistência total de 2re (ver figura de acetato anterior) VT re = VIET = I/2 O sinal de corrente ie é dado por vid ie = 2r e Por isso o corrente de colector de Q1 terá um incremento ic e corrente de colector de Q2 um decremento de ic vid id = g ic = αie = αv m 2re 2 Estas quantidades são em termos de sinal considerando que cada transístor está polarizado com I/2. Quando incluímos resistências no emissor (acetato 9) temos que id ie = 2rev+2R e – p. 11/24 Resistência diferencial de Entrada e Ganho A corrente de sinal ib é /(2re ) ie = vidβ+1 ib = β+1 A resistência diferencial de entrada é dada por Rid = viidb = (β + 1)2re = 2rπ O ganho da saída diferencial (saida entre os dois colectores) é dada por c2 Ad = vc1v−v = −gm Rc d Se tirarmos a saída entre um colector e a massa o ganho é Ad = vvc1d = − 12 gm RC rπ resistência entre base-emissor do modelo π-Hibrido. re resistência entre base-emissor do modelo T. – p. 12/24 Resistência diferencial de Entrada e Ganho No caso do circuito com resistências de emissor Rid = (β + 1) (2re + 2Re ) O ganho diferencial do amplificador com resistências nos emissores é dado por RC C) ≃ − Ad = − 2rα(2R re +Re e +2Re (Estamos a considerar que RC ≪ ro ) – p. 13/24 Equivalência entre Amplificador diferencial e Amplificador em Emissor Comum Existe equivalência entre estes dois circuitos, para sinais diferenciais. (REE é considerada a resistência interna duma fonte de corrente não ideal) O equivalente pode ser usado para calcular o ganho, a resistência diferencial de entrada e a resposta de frequência. – p. 14/24 Equivalência entre Amplificador diferencial e Amplificador em Emissor Comum Uma entrada está à massa e outra tem uma pequena tensão. Neste caso a tensão nos emissores não será zero e resistência REE terá influência na operação. Mas se REE for suficientemente grande podemos considerar ainda e que i = RvEE ≃ 0. – p. 15/24 Ganho em Modo Comum e Rejeição em Modo Comum Circuito Equivalente em Modo Comum (para sinais comuns às duas entradas) vc1 = C vc2 = −vicm 2RαR ≃ EE +re αRC −vicm 2R EE Se a saída é tirada diferencialmente o ganho em modo comum será zero. Temos então que o ganho em modo comum (saída num dos colectores) αRC (1) Acm = − 2R EE Atendendo que o ganho diferencial (saída num dos colectores) Ad = 12 gm RC A rejeição em Modo Comum é dada ( no caso de saída num dos colectores) d CMRR = 20 log AAcm = 20 log(gm REE ) – p. 16/24 Ganho em Modo Comum e Rejeição em Modo Comum (Continuação) No caso de tirarmos a tensão de saída diferencialmente o ganho em modo comum é supostamente nulo. Tal não acontece se tivermos componentes não simétricos. Se o colector Q1 tem uma resistência de carga RC e Q2 tem uma resistência de carga RC + ∆RC então α(RC +∆RC ) C vc1 = −vicm 2RαR v = −v c2 icm 2REE +re EE +re α∆RC ∆RC C ⇔ A = vo = vc1 − vc2 = vicm 2Rα∆R ≃ cm 2REE +re 2REE (1) EE +re Sendo Acm o ganho em modo comum com saída diferencial e com resistências não simétricas. Comparando (1) com (1) no acetato 16 verificamos que o ganho em modo comum é menor com saída diferencial. – p. 17/24 Ganho em Modo Comum e Rejeição em Modo Comum (continuação) Sendo v1 e v2 as entradas do amplificador diferencial o sinal em modo comum é 2 vicm = v1 +v 2 e a componente diferencial é vid = (v1 − v2 ) O sinal de saída é dado por v1 +v2 v0 = Ad (v1 − v2 ) + Acm 2 – p. 18/24 Calculo da resistência de entrada do emissor comum com resistência de emissor A tensãoh de saída pode ser i expressa como e RL = vo = (1 − α) i − vi −ir Re h i vi −ire i − RL (1) Re β+1 e i h vi −ire vo = (vi − ire ) − ro i − RE (2) Igualando as duas expressões do lado direito de (1) vi e (2) e resolvendo em relação a i/(β+1) vi Rin = i/(β+1) = R L ro + β+1 (β + 1) re + (β + 1) Re ro +RL +Re – p. 19/24 Resistência em Modo Comum (Par Diferencial) Podemos calcular a resistência em modo comum utilizando a expressão do acetato anterior fazendo Re = 2REE e RL = RC e considerando a aproximação RC ≪ ro e 2REE ≫ re r0 Ricm ≃ (β + 1) REE k 2 Ricm é muito grande. – p. 20/24 Tensão de Desvio na Entrada V0 - Tensão de Desvio na Saída Devido à não simetria entre as ambos os lados do par diferencial (transístores e resistência) VOS = AV0d - Tensão de Desvio na Entrada Temos que aplicar −VOS à entrada para anular o desvio à saída. – p. 21/24 Tensão de Desvio na Entrada Se tivermosumadiferença de ∆RC entre as resistências de entrada então C |VOS | = VT ∆R RC para resistências de 1% de tolerância o Desvio na Entrada é de 0.5 mV. Assimetria nos transístores (área de junção base-emissor) dá origem a VBE /VT ) diferentes correntes de escala (I = I e E S |VOS | = VT ∆IISS O total desvio é dado por (considerando que cada contribuição é descorrelacionada da outra) r 2 2 ∆IS ∆RC VOS = VT + RC IS – p. 22/24 Correntes de Desvio na Entrada Desvio no β dos transístores ∆β implica diferentes correntes em cada base que precisam de ser compensadas IOS = IB ∆β β – p. 23/24 Gama de tensão de entrada em Modo Comum A tensão máxima em modo comum vCM permitida à entrada do andar diferencial é quando os transístores entram em saturação VCE = VDD − RC 2I +VCM −VBE > 1.1V O limite mínimo é dado quando a fonte de corrente deixa de funcionar como fonte de corrente VCM −VBE > VEE + 1.1V – p. 24/24