410-013 estudo da adição de uma camada de pmma sobre al2o3 e

22º CBECiMat - Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais
06 a 10 de Novembro de 2016, Natal, RN, Brasil
410-013
ESTUDO DA ADIÇÃO DE UMA CAMADA DE PMMA SOBRE AL2O3 E DA FORMAÇÃO DE
ELETRODOS PARA TRANSISTOR ORGÂNICO VERTICAL (VOFET)
Nogueira, G.L.(1); Morais, R.M.(1); Ozório, M.S.(1); Alves, N.(1);
Universidade Estadual Paulista - Faculdade de Ciências e Tecnologia(1); Universidade Estadual Paulista Faculdade de Ciências e Tecnologia(2); Universidade Estadual Paulista - Faculdade de Ciências e
Tecnologia(3); Universidade Estadual Paulista - Faculdade de Ciências e Tecnologia(4);
Uma alternativa promissora para contornar as limitações dos transistores de efeito de campo convencionais
é o uso do dispositivo denominado de transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical
(VOFET), onde os eletrodos de fonte e dreno são empilhados verticalmente. Para o VOFET, é necessária
atenção especial para o eletrodo de fonte, que deve possuir boa condutividade e ser permeável ao campo
elétrico vertical proveniente do gate. Nesse estudo, utilizou -se alumínio e óxido de alumínio (Al2O3) de
20 nm, obtido por anodização, como eletrodo e dielétrico de gate, respectivamente. Foi depositada uma
camada de polimetilmetacrilato (PMMA), por spincoating, sobre o Al2O3. Sobre o dielétrico
Al2O3/PMMA, evaporou-se estanho para atuar como eletrodo de fonte. Para finalizar a preparação do
VOFET, foi utilizado P3HT como semicondutor e alumínio como eletrodo de dreno. Devido às duas
condições para obter o eletrodo de fonte adequado, é necessário que a camada dielétrica tenha uma boa
superfície. Para isso, analisou-se o efeito da camada de PMMA sobre o Al2O3. Ao depositar um filme de
PMMA de ~14 nm sobre o Al2O3, a capacitância diminuiu de 25 nF para o Al2O3 puro, para um valor de
10 nF para o Al2O3/PMMA. Para determinar a espessura adequada para o eletrodo de fonte, realizou-se o
monitoramento da evaporação de estanho, em tempo real, sobre Al2O3 e Al2O3/PMMA. Os resultados
mostraram a possibilidade de fabricação de um VOFET utilizando Al2O3/PMMA como camada dielétrica.
9293