Licenciatura em Engenharia Electrónica 3º Teste de Dispositivos Electrónicos 09/06/2007 Duração: 3 horas Justifique todas as respostas 1. Considere o circuito da Fig.1a. A característica estacionária do díodo está representada na Fig. 1b ( U disr 40 V; U 0 0, 7 V ).(Cotação: 5,5 val) a) Admitindo que 0 e U t U M sin t com U M 50 V, 2f e f 50Hz, calcule o valor mínimo da resistência R para que a potência máxima Pmax 0,5 W seja atingida quando U M 50 V. b) Admitindo uma iluminação para a qual Iilum 10 mA, calcule R de modo a que com U 0 a potência na carga seja máxima. c) Admitindo U t 50 V e que a potência posta em jogo no díodo é de 34,5 mW, calcule a concentração de impurezas de substituição da resistência R , admitindo que esta é fortemente extrínseca do tipo n com L 1 cm e S 1 mm2. Semicondutor: n 0, 25 m2 V-1s-1 e p 0, 05 m2 V-1s-1 para T 300K. ID ID ID 0 R U disr UD U UD D U0 U0 UD Iilum b -Fig 1 - a U disr 0 2. Considere o circuito da Fig. 2 onde EC 10 V e RB 100 k . Despreze as quedas de tensão das junções quando directamente polarizadas. (Cotação: 5,0 val) RC RB C1 vi EC B Ri ~ C2 C E vO - Fig.2 TBJ(300K): F 50; VA 150 V; ICE 0 1 μA; UCdisr = - 25 V. a) Calcule o valor mínimo de RC que leva o transístor a funcionar na zona de saturação. b) Considere RC 500. Nessas condições, e para um sinal sinusoidal incremental à entrada vi , determine o ganho de tensão vo / vi e a resistência incremental de entrada Ri . Despreze as impedâncias dos condensadores C1 e C2 à frequência de trabalho. 3. Considere o circuito da Fig.3 com um andar inversor NMOS. Na figura representam-se igualmente as tensões de entrada v I e de saída vO do circuito. (Cotação: 3,5 val) Dados: RD 2 k ; VDD 6 V; MOS (300 K): A=1 mAV -2 . a) Identifique nas formas de onda das tensões de entrada ou de saída as várias zonas de funcionamento do MOS. b) Calcule o valor da tensão porta-fonte de limiar, UGS lim , e o valor da tensão de saída vO1, ou seja no instante t 4 ms. vI (V) RD 6 D 4 ID RG G S vO V vO U0S vI VDD 2 UDS t ms 6 vO1 t ms 2 4 6 -Fig.34. Determine o ganho em tensão vo / vi e a resistência de saída Ro do circuito da Fig.4, admitindo que à frequência de interesse os condensadores apresentam impedâncias desprezáveis. Dados do MOS (300K): U GS lim 1 V; A 1,5 mAV -2 . (Cotação: 3,0 val) RD 1 k RG 10 M Ci ID G VDD 6 V UDS S vi C0 D v0 U0S -Fig.4 - 5. Considere o circuito da Fig.5 com dois tiristores iguais caracterizados por: U B 100 V e I H 0 mA para I G 0 mA T1 , T2 300 K U AKdisrp 300 V Represente graficamente a tensão de saída UO (t ) para uma tensão de entrada U I (t ) 250sin t V e f / 2 50 Hz , assinalando todos os pontos notáveis da curva. Para os tiristores despreze a corrente directa e a corrente inversa do estado bloqueado e as tensões directas do estado de condução. Justifique convenientemente a resposta. (Cotação: 3,0 val ) R 100 G2 UO UI T1 G1 R 100 T2 -Fig.5 - Cotação: Questão 1: Questão 2: Questão 3: Questão 4: Questão 5: 5,5 val (2,0+1,5+2,0) 5,0 val (2,0+3,0) 3,5 val (1,5+2,0) 3,0 val 3,0 val Formulário: Transistor Bipolar npn: UC UT IC F I B ICE 0 e 1 C IC UC UC UT IC F I E ICB0 e 1 B IB F IE UE ICE 0 1 F ICB0 F F ; F 1 F 1 F E I gm C ; UT V r0 A ; IC gmr F ; Fotodíodo: U UT I Iis e 1 Iilum Díodo: UD UT I D Iis e 1 ; ni T Semicondutores: 3/ 2 WG e 2kT ; r 1 F rE I I g D is ; UT G ef np ni2 1 Gter ; q n n p p MOSFET: D ID G U DS ID A U GS U GS lim 2 2 se U DS U GS U GS lim 2 U DS I D A U GS U GS lim U DS se U DS UGS UGS lim 2 I I D gm D ; g ds ; id g mu gs g dsuds U U GS U DS DS UGS UGS S Constantes: UT T 300 K q 1, 6 1019 C ; KT 0, 025 V; q h 6, 63 1034 J.s ; 1 eV 1, 6 1019 J