Componentes eletrónicos Resistência elétrica A resistência eléctrica é um componente que opõe uma certa dificuldade à passagem da corrente eléctrica. Funções que podem ser desempenhadas por resistências num circuito: limitadores de corrente, divisores de tensão, atenuação, filtragem, polarização, carga, etc. Tipos de resistências fixas: resistências aglomeradas (de grafite), resistências de camada ou película (de carvão ou liga metálica) e resistências bobinadas (de fio de liga de metais: cobre-níquel ou cobre-magnésio). 2 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica fixa linear 3 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica fixa linear 4 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica fixa linear 5 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica fixa linear 6 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica fixa linear Potências de dissipação mais usuais das resistências. 7 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica variável Os potenciómetros mais usados são os lineares e os logarítmicos. Para a regulação do volume do som utilizam-se potenciómetros logarítmicos, para as correcções de frequência (tonalidade) são preferidos os lineares. 8 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica variável 9 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistência elétrica variável 10 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistências elétricas não lineares São resistências cujo valor varia com factores externos (temperatura, luz…). 11 http://www.prof2000.pt/users/lpa Resistências elétricas SMD As resistências para montagem em superfície (SMD ou Surface Mounting Devices) da tecnologia SMT (Surface Mounting Technology) possuem um código de 3 ou 4 dígitos na sua configuração mais comum, conforme mostra a figura. Nesse código, os dois primeiros números representam os dois primeiros dígitos da resistência. O terceiro dígito significa o factor de multiplicação ou número de zeros que deve ser acrescentado. 220 Resistência de 22 Ω 12 1000 000 Resistência de 100 Ω Fio condutor (jumper) http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos São basicamente constituídos por duas armaduras metálicas entre as quais existe um material isolador ou dieléctrico. As funções que pode desempenhar num circuito são as de bloqueio (da componente contínua de um sinal), filtragem (de determinadas frequências), armazenamento de cargas eléctricas, acoplamento ou desacoplamento (entre partes do circuito electrónico), correcção do factor de potência do circuito, eliminação de ruídos, etc. 13 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos 14 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos 15 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos 16 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos Coeficiente de temperatura 17 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores elétricos Coeficiente de temperatura 18 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores eletrolíticos São condensadores com polaridade e de grande capacidade. O valor indicado no componente é expresso geralmente em microfarad. Os condensadores electrolíticos podem ser de óxido de alumínio ou de óxido de tântalo. O valor da capacidade e da tensão máxima de funcionamento estão geralmente escritos no corpo do componente. Condensadores electrolíticos de óxido de alumínio. 19 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores eletrolíticos 20 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores de capacidade variável Condensadores variáveis Condensador variável metálico Ajustes feitos através de um botão giratório e que geralmente necessitam de serem efectuados frequentemente. O dieléctrico usado no condensador variável metálico é o ar e no condensador variável mini é usada uma finíssima película de plástico. Condensador variável mini (plástico) 21 Condensador variável metálico http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores de capacidade variável Condensadores ajustáveis (Trimmer) Ajuste técnico feito através de uma chave de fendas e que se realiza geralmente uma só vez. 22 http://www.prof2000.pt/users/lpa Condensadores SMD Os condensadores não electrolíticos não têm os valores marcados. Só se pode saber o seu valor medindo-o com um capacímetro. Existem dois tipos de condensadores electrolíticos: Aqueles que têm o corpo metálico (semelhante aos comuns) e os que têm o corpo em epóxi, parecido com os díodos. Alguns têm as características indicadas por uma letra (tensão de trabalho) e um número (valor em pF). Ex: A225 = 2.200.000 pF = 2,2 μF x 10 V (letra "A"). 23 http://www.prof2000.pt/users/lpa Bobinas elétricas O valor do coeficiente de auto-indução de uma bobina pode ser indicado de várias formas diferentes: Por indicação escrita (Ex:120H ou 120). Por abreviaturas, que indicam o valor nominal em H sob a forma de um código: Para valores menores que 100H, são usados três algarismos com a letra R para indicar a posição da vírgula decimal (Ex: R120=0,12H; 35R0=35H). Para valores superiores a 100H, são identificadas por quatro algarismos. Os três primeiros indicam o valor do coeficiente de auto-indução e o quarto algarismo o número de zeros necessários para completar o valor (Ex.: 1200=120H; 1501=1500H; 1502=15000H). NOTA: Às vezes aplica-se este código apenas com três algarismos, sendo o terceiro o número de zeros que se seguem ao valor indicado pelos dois primeiros algarismos (Ex: 121=120H) 24 http://www.prof2000.pt/users/lpa Bobinas elétricas Código de cores Código com quatro anéis: os dois primeiros anéis indicam os algarismos significativos, o terceiro anel o factor de multiplicação e o quarto anel a tolerância. O código será AABC. Código com três anéis: a tolerância não é indicada por uma cor, podendo sêlo através de uma letra. O código será AAB. Código com cinco anéis: tem um anel largo prateado num extremo que indica por que ponta começa a contagem. O segundo, terceiro e quarto anel indicam o valor com um anel dourado (se estiver presente) indicando a vírgula decimal. O quinto anel representa a tolerância (Ex: prateado-vermelho-dourado-violeta-sem cor=2,7H, 20%; prateado-vermelho-violeta--preto-dourado=27H, 5%) 25 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Constituição Um díodo rectificador é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K). Símbolo: 26 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Junção PN A junção de um material semicondutor do tipo P (com excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de electrões livres) origina uma junção PN. Na zona da junção, os electrões livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga eléctrica que se designa por zona neutra ou zona de deplecção. Electrões livres 27 Zona neutra ou zona de deplecção Lacunas http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Identificação visual dos terminais O terminal que se encontra mais próximo do anel é o cátodo (K). O terminal ligado à parte mais estreita/afunilada é o cátodo (K). O terminal ligado à parte roscada é o cátodo (K). 28 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Díodo polarizado directamente O díodo rectificador é um componente unidireccional ou seja, só conduz num sentido (quando o Ânodo está a um potencial positivo em relação ao Cátodo). Nessa situação diz-se que o díodo está polarizado directamente. A K + VCC 29 _ http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Díodo polarizado inversamente Quando o díodo rectificador está polarizado inversamente (Ânodo a um potencial negativo em relação ao cátodo) não conduz (está ao corte). K A + VCC 30 _ http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Princípio de funcionamento Quando polarizado directamente um díodo rectificador conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de deplecção (zona sem portadores de carga eléctrica) estreita a resistência eléctrica diminui e a corrente eléctrica passa. Electrões livres Lacunas Zona neutra ou zona de deplecção estreita 31 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Princípio de funcionamento Quando polarizado inversamente um díodo rectificador não conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de deplecção (zona sem portadores de carga eléctrica) alarga a resistência eléctrica aumenta significativamente e a corrente eléctrica não passa. Electrões livres Lacunas Zona neutra ou zona de deplecção alarga 32 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Queda de tensão interna Quando o díodo está polarizado directamente a corrente eléctrica ao passar pela zona neutra ou zona de deplecção que apresenta uma certa resistência, origina uma queda de tensão (U=RxI). Nos díodos de silício essa queda de tensão interna pode variar entre 0,6Volt e 1Volt. Nos díodos de germânio essa queda de tensão interna pode variar entre 0,2Volt e 0,4Volt. 33 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Caraterísticas técnicas 3ºquadrante 1ºquadrante IF Tensão directa UF Corrente directa IF Tensão inversa UR Corrente inversa IR UR UF IR 34 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Leitura das caraterísticas técnicas Exemplo: Díodo rectificador 1N4007 35 UR = 1000V Tensão inversa máxima que se pode aplicar ao díodo em polarização inversa. IF = 1A Corrente directa máxima permanente que pode circular pelo díodo. IR = 5A Corrente inversa que percorre o díodo quando polarizado inversamente VF = 1,1V Queda de tensão interna máxima quando o díodo polarizado directamente conduz uma corrente directa de 1A. http://www.prof2000.pt/users/lpa Curva caraterística IFF Corrente directa Tensão de ruptura URR UFF Corrente de fuga Corrente de avalanche IRR 36 Pode-se observar na curva característica do 1º quadrante (díodo polarizado directamente) que à medida que se aumenta a tensão directa (UF) a corrente directa (IF) também aumenta. Na curva do 3º quadrante (díodo polarizado inversamente) podemos observar que para uma dada faixa da tensão inversa (UR) a corrente inversa (IR) é desprezível (corrente de fuga). A tensão inversa não pode atingir a tensão de ruptura pois isso acarreta que o díodo passe a conduzir em sentido contrário (rompeu a junção PN). http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Reta de carga Consideremos o circuito: V IF + F _ + VCC _ + RC -VCC + VF + RC.IF = 0 VF + RC.IF = VCC _ Encontramos uma equação que relaciona VF e IF: VCC = VF + RC.IF Esta equação permite determinar os dois pontos da recta de carga, que sobreposta à curva característica do díodo, determinará o ponto de funcionamento (Q) do díodo. 37 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Reta de carga Este é um método gráfico que permite que encontremos o ponto de funcionamento do díodo. É de notar que a recta de carga depende do circuito (VCC e RC) em que o díodo está inserido, enquanto que a curva característica é fornecida pelo fabricante. IF VCC = VF + RC.IF Corrente de saturação IFQ Ponto de funcionamento (Q) Tensão de corte IF=0 VCC=VF Corrente de saturação Recta de carga VFQ 38 Tensão de corte VF=0 IF=VCC / RC VF http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo retificador Exemplo de determinação do ponto de funcionamento (Q) de um díodo + VCC=3 V VCC = VF + RC.IF IF RC=750 _ Tensão de corte IF=0 VCC=VF VF=3 V Corrente de saturação mA VF=0 IF=VCC / RC IF=3 / 750 IF= 4 mA 5 4 2,5 39 3 Q 2 1 1 1,1 2 3 Para as condições do circuito (VCC=3Volt e RC=750) e a curva característica representada, a corrente directa no díodo será de IFQ≈2,5mA e a tensão directa será de VFQ=1,1V. http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Constituição Um díodo zener é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K). Símbolo: 40 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Identificação visual dos terminais O terminal que se encontra mais próximo do anel é o cátodo (K). K Tensão de zener (UZ= 27 V) K A K A A Tensão de zener (UZ= 8,2 V) 41 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Utilização Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tensão invariável, perfeitamente isenta de qualquer variação ou flutuação, nada mais há do que montar o sistema constituído pelo díodo zener (polarizado inversamente) e a resistência limitadora R, de tal modo que o díodo fique em paralelo com a carga. R – Resistência que tem por função limitar a corrente no zener (IZ). + _ Rc – Resistência de carga (receptor) 42 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Polarização O díodo zener quando polarizado inversamente (ânodo a um potencial negativo em relação ao cátodo) permite manter uma tensão constante aos seus terminais (UZ) sendo por isso muito utilizado na estabilização/regulação da tensão nos circuitos. Entrada não estabilizada de 15 a 17 Volt 43 Saída estabilizada a 12 Volt http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener O díodo zener como estabilizador de tensão Para que o díodo zener estabilize a tensão nos seus terminais deve-se ter em atenção o seguinte: O díodo zener tem que se encontrar polarizado inversamente (A e K ). A tensão de alimentação do circuito tem que ser superior à tensão de zener (UZ) do díodo. A carga ou cargas do circuito têm que estar ligadas em paralelo com o díodo zener. 44 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener O díodo zener como estabilizador de tensão Para que ocorra o efeito estabilizador de tensão é necessário que o díodo zener trabalhe dentro da zona de ruptura, respeitando-se as especificações da corrente máxima. 500R I A corrente que circula pela resistência limitadora é a mesma corrente que circula pelo díodo zener e é dada pela expressão: I = (VE – VZ) / R I = (15 – 10) / 500 I = 10 mA 45 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Curva caraterística ZONA DE TRABALHO 46 Os díodos zener são definidos pela sua tensão de zener (UZ) mas para que possa existir regulação/estabilização de tensão aos seus terminais a corrente que circula pelo díodo zener (IZ) deve manter-se entre os valores de corrente zener definidos como máximo e mínimo, pois se é menor que o valor mínimo, não permite a regulação da tensão e, se é maior, pode romper a junção PN por excesso de corrente. http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Curva caraterística ZONA DE TRABALHO 47 O gráfico de funcionamento do zener mostra-nos que, directamente polarizado (1º quadrante), ele conduz por volta de 0,7V, como um díodo comum. Porém, na ruptura (3º quadrante), o díodo zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de corrente praticamente vertical. A tensão é praticamente constante, aproximadamente igual a Vz em quase toda a região de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma determinada corrente zener de teste Izt. http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Curva caraterística ZONA DE RUPTURA 48 Quando um díodo zener está a trabalhar na zona de ruptura, um aumento na corrente produz um ligeiro aumento na tensão. Isto significa que o díodo zener tem uma pequena resistência que também é denominada impedância zener (ZZ). http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Caraterísticas técnicas Variando-se o nível de dopagem dos díodos de silício, o fabricante pode produzir díodos zener com diferentes tensões de zener. A utilização do díodo zener é limitada pelos seguintes parâmetros: Vz – Tensão de zener (este valor é geralmente especificado para uma determinada corrente de teste IZT) Izmáx – Corrente de zener máxima Izmin – Corrente de zener mínima Pz – Potência de dissipação (PZ = VZ x IZ) Desde que a potência não seja ultrapassada, o díodo zener pode trabalhar dentro da zona de ruptura sem ser destruído. 49 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Díodo zener ideal I V Na primeira aproximação, podemos considerar a região de ruptura como uma linha vertical. Isto quer dizer que a tensão de saída (VZ) será sempre constante, embora haja uma grande variação de corrente, o que equivale a ignorar a resistência zener. Isto significa que num circuito o díodo zener pode ser substituído por uma fonte de tensão com resistência interna nula. 50 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Díodo zener real Na segunda aproximação deve ser levada em consideração a resistência zener (RZ) em série com uma bateria ideal. Isto significa que quanto maior for a corrente, esta resistência produzirá uma queda de tensão maior. I V 51 Isto quer dizer que na região de ruptura a linha é ligeiramente inclinada, isto é, ao variar a corrente haverá uma variação, embora muito pequena, da tensão de saída (VZ). Essa variação da tensão de saída será tanto menor quanto menor for a resistência de zener. http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Principio de funcionamento Vimos que o díodo rectificador se comportava quase como isolador quando a polarização era inversa. O mesmo se passa com o díodo zener até um determinado valor da tensão (VZ), a partir do qual ele começa a conduzir fortemente. Qual será então o facto que justifica esta transformação de isolador em condutor? A explicação é-nos dada pela teoria do efeito de zener e o efeito de avalanche. 52 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo zener Principio de funcionamento Efeito de zener – ao aplicar ao díodo uma tensão inversa de determinado valor (VZ) é rompida a estrutura atómica do díodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente eléctrica inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tensões inversas VR <5 Volt e o seu valor pode ser variado através do grau de dopagem (percentagem de impurezas) do silício ou do germânio. Efeito de avalanche – Para tensões inversas VR >7 Volt, a condução do díodo é explicada exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tensão inversa, aumenta também a velocidade das cargas eléctricas (electrões). A velocidade atingida pode ser suficiente para libertar electrões dos átomos semicondutores, através do choque. Estes novos electrões libertados e acelerados libertam outros, originando uma reacção em cadeia, à qual se dá o nome de efeito de avalanche. Para tensões inversas VR, entre 5V e 7V, a condução do díodo é explicada cumulativamente pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche). 53 Lucínio Preza de Araújo Fotodíodo O fotodíodo é um díodo semicondutor no qual a corrente inversa varia com a iluminação que incide sobre a sua junção PN. A corrente que existirá sem nenhuma iluminação aplicada é geralmente da ordem dos 10A nos fotodíodos de germânio e de 1A nos fotodíodos de silício. K + - 54 A O fotodíodo é polarizado inversamente aproveitando a variação da corrente inversa que se verifica quando a luz incide nele. http://www.prof2000.pt/users/lpa Fotodíodo 55 http://www.prof2000.pt/users/lpa Fotodíodo Curva caraterística típica de um fotodíodo (Corrente inversa) (Tensão inversa de polarização) 56 Para uma mesma tensão inversa de polarização, a corrente inversa aumenta de valor ao aumentar o fluxo luminoso incidente. Quando incide luz no fotodíodo, a corrente inversa varia quase linearmente com o fluxo luminoso. http://www.prof2000.pt/users/lpa Fotodíodo Características de um fotodíodo: Comprimento de onda () da luz que accionará o dispositivo. Área sensível do componente que deverá receber o feixe de luz. Aplicações dos fotodíodos: Sistemas de segurança anti-roubo. Abertura automática de portas. Regulação automática de contraste e brilho na TV. NOTA: O nível de corrente gerada pela luz incidente sobre um fotodíodo não é suficiente para que ele possa ser usado num controle directo, sendo necessário para isso que haja uma etapa de amplificação. 57 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo emissor de luz (led) O díodo emissor de luz é constituído por uma junção PN de material semicondutor e por dois terminais, o ânodo (A) e o cátodo (K). A cor da luz emitida pelo led depende do material semicondutor que o constitui. Há leds de 3, 5, 8 e 10mm de diâmetro, cilíndricos, rectangulares, triangulares, etc. No mercado existem leds bicolores, tricolores e intermitentes. 58 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo emissor de luz (led) 59 http://www.prof2000.pt/users/lpa Díodo emissor de luz (led) Polarização de um led 60 http://www.prof2000.pt/users/lpa Display de sete segmentos Aplicação dos led 61 http://www.prof2000.pt/users/lpa Display de sete segmentos 62 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Constituição Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C). Altamente dopado Camada mais fina e menos dopada Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base Altamente dopado Camada mais fina e menos dopada Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base N – Material semicondutor com excesso de electrões livres P – Material semicondutor com excesso de lacunas 63 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Junções PN internas e simbologia Junção PN base - emissor 64 Junção PN base - colector Junção PN base - emissor Junção PN base - colector http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Princípio de funcionamento Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá passagem de corrente entre o Emissor e o Colector. IB = 0 O transístor não conduz (está ao corte) Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector. Uma pequena corrente entre a base e o emissor… 65 …origina uma grande corrente entre o emissor e o colector http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Utilização O transístor bipolar pode ser utilizado: - como interruptor electrónico. - na amplificação de sinais. - como oscilador. 66 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Polarização de um transístor bipolar Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC. Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve ser polarizada directamente e a junção base – colector deve ser polarizada inversamente. Regra prática: O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui. A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui. O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui. Emissor Base Colector 67 Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + + http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Polarização de um transístor bipolar Emissor Base Colector Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + + + _ Rc Rc Rb – Resistência de polarização de base Rb Rc – Resistência de colector ou resistência de carga + 68 Rb _ http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Representação de tensões e correntes VCE – Tensão colector - emissor VBE – Tensão base – emissor VCB – Tensão colector - base IC – Corrente de colector IB – Corrente de base IE – Corrente de emissor VRE – Tensão na resistência de emissor VRC – Tensão na resistência de colector 69 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Relação das correntes + Rc Rb IB IC Considerando o sentido convencional da corrente e aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação das correntes num transístor bipolar IE = IC + IB IE 70 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Caraterísticas técnicas Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do fabricante. 71 IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se parâmetro for excedido o componente poderá queimar. este VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta. VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto. VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto. hFE ou Ganho ou factor de amplificação do transístor. hFE = IC : IB Pd Potência máxima de dissipação. fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente). http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Substituição de transístores por equivalentes Num circuito não se pode substituir um transístor de silício por um de germânio ou vice – versa. Também não se pode trocar directamente um transístor NPN por um PNP ou vice – versa. A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou características do transístor. Exemplo: O BC548A substitui o BC548. O BC548A não substitui o BC548B 72 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor bipolar Dissipadores de calor O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor são quase que obrigatórios nos transístores que trabalham com potências elevadas de modo a evitar o sobreaquecimento do componente e a sua possível destruição. 73 http://www.prof2000.pt/users/lpa n p n p n 74 A2 O díodo de quatro camadas IF bidireccional (DIAC = díodo I F A1 A AC) é um dispositivo de quatro 1 A1 camadas que pode conduzir n sentidos quando a nos dois tensãopaplicada, com qualquer IH polaridade, ultrapassar-V umBR(R) IH -VBR(R) VF n determinado valor chamado de V VR R tensãopbreakdown (VBR) ou -IH VBR(F)-IH tensãonde ruptura (VRO) – com um valor típico de 35 Volt – Aao A2a 2 corte quando voltando IR corrente A cair abaixo de um IR 2 Symbol dado valor chamadoSymbol de Basic corrente de manutençãoCharacteristic (IH). Curve A2 Basic Construction Construction A2 Basic Construction A1 n p n p n A1 O diac é um díodo bidireccional, ou seja conduz nos dois sentidos. O diac utiliza-se como dispositivo auxiliar de disparo dos SCR e dos triacs. Symbol VR Char -VBR(R A1 Diac VF VBR(F) Characteristic Curve http://www.prof2000.pt/users/lpa Diac O diac anda associado ao triac em muitos circuitos de controlo de potência, seja em aparelhagem industrial seja em aparelhagem electrodoméstica. O multímetro não pode ser usado para testar este componente pois não fornece a tensão suficiente para dispará-lo. O multímetro pode apenas detectar se o diac está em curto-circuito quando apresenta uma baixa resistência (já que em bom estado deve apresentar uma resistência infinita seja qual for a polaridade aplicada pela pontas de prova aos terminais do diac). Nalguns casos o diac pode estar inserido no mesmo invólucro do triac resultando num dispositivo denominado Quadrac. O quadrac é um componente formado por um diac e um triac no mesmo invólucro. Actualmente os quadracs não são componentes muito utilizados. 75 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor A função de um tirístor é de abrir e fechar circuitos com grandes cargas, como motores, electroímanes, aquecedores, converter CA em CC, CC em CA. Os tirístores trabalham sempre entre dois estados de funcionamento: o corte e a condução, por isso podemos dizer que são dispositivos de comutação. Tipos de tirístores: SCR (Rectificador Controlado de Silício), Foto SCR, GTO (Gate Turn Off), SCS (Silicon Controlled Switch). 76 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor SCR (Rectificador Controlado de Silício) Gate 77 É o principal dos tirístores pelo número e aplicações. Permite não só rectificar uma corrente alternada mas também controlar a corrente que passa por ele e pela carga ligada em série com ele.Gate É constituído por quatro camadas de material semicondutor PNPN (silício), originando três junções PN. Possui três terminais designados por Ânodo (A), Cátodo (K) e Gate (G) ou Porta. O circuito equivalente de um SCR corresponde a dois transístores complementares, em que o colector de um está ligado à base do outro e o colector do outro na base do primeiro. Uma das bases corresponde ao terminal de disparo, gate ou porta. http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor O funcionamento do SCR é semelhante ao do díodo. Para além do ânodo e cátodo estarem polarizados directamente (ânodo a um potencial positivo em relação ao cátodo) é necessário ainda aplicar uma tensão positiva adequada na gate, para que circule corrente entre ânodo e cátodo. Condições para que o SCR funcione: Em polarização inversa o SCR está bloqueado (não conduz) quer se aplique ou não tensão na gate. Em polarização directa, o SCR está bloqueado, salvo quando se aplica uma tensão adequada na gate, entrando assim num estado de condução. Depois do SCR entrar em condução pode suprimir-se o sinal na gate que ele continua a conduzir. O SCR deixa de estar em condução quando a corrente que o percorre baixa a um valor inferior à corrente mínima de manutenção (IH) indicada pelo fabricante. 78 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Aspecto exterior dos SCR: Cátodo Gate K 79 G A K A G Ânodo http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Métodos de controlo de potência entregue à carga Disparo síncrono ou disparo a tensão nula O disparo do tirístor produz-se neste sistema de controlo de potência entregue à carga, quando a tensão ânodo – cátodo está a zero (daí disparo a tensão nula). A carga e o tirístor estão ligados em série com a alimentação da corrente alternada e só pode passar corrente na carga durante os semiciclos em que o ânodo é positivo em, relação ao cátodo e na porta (ou gate) se aplica um impulso positivo de corrente. O impulso na gate (ou porta) controla o período de condução do tirístor. Se na porta se aplicarem impulsos positivos de corrente que coincidam com o início de cada semiciclo positivo, o tirístor conduzirá todos os semiciclos positivos. 80 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Métodos de controlo de potência entregue à carga Controlo de fase Enquanto que no disparo síncrono os impulsos de corrente aplicados na porta coincidem com o início de todos ou de alguns dos semiciclos positivos, no controlo de fase os impulsos da corrente de disparo têm lugar dentro de cada semiciclo positivo da tensão de alimentação. O ângulo para o qual se inicia a condução designa-se por ângulo de disparo, enquanto o ângulo durante o qual o tirístor se encontra à condução denomina-se de ângulo de condução. 81 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Circuito de disparo de um tirístor com um diac O diac utiliza-se em circuitos, relativamente económicos de disparo de tirístores. Neste circuito as resistências R1 e R2, juntamente com o condensador C, formam um circuito RC de constante de tempo () igual a (R1 + R2) x C. O condensador carrega-se nos semiciclos positivos e nos terminais do mesmo aparece uma tensão que, por sua vez, deriva para o circuito formado pelo diac, a resistência R3 e a gate do tirístor, já que estão em derivação com o condensador C. A gate do tirístor está contudo isolada dos impulsos do condensador pelo diac até que este entre em condução. Quando a tensão aos terminais do condensador ultrapassa a tensão de ruptura do diac (normalmente à volta dos 30 Volt) este conduz e a corrente é aplicada à gate do tirístor, originando o disparo deste, passando a circular corrente através da carga (Rc). O instante de disparo depende da constante de tempo (R1 + R2) x C, sendo R2 variável, isto é, variando a posição do cursor de R2, ajusta-se o tempo de carga de C e portanto o ângulo de disparo do tirístor. Para ângulos de condução () elevados o diac tem de disparar no início de cada semiciclo positivo. Nestas condições de funcionamento o valor de R2 terá de ser nulo para que o condensador C se carregue rapidamente. Do exposto deduz-se que o valor de R1, juntamente com o valor mínimo de R2, terá de proporcional uma constante de tempo tal que o condensador se carregue num tempo mínimo. O díodo impede a corrente inversa através da gate do tirístor e assegura um disparo estável ao descarregarse o condensador C durante cada semiciclo negativo. A resistência R3, limita a intensidade da corrente de pico na gate do tirístor a um valor seguro. 82 http://www.prof2000.pt/users/lpa Curva característica de um tirístor com a gate aberta Tirístor I directa Curva característica estática de um SCR Para tensões inversas aplicadas (3º quadrante do gráfico), o cristal semicondutor comporta-se como qualquer díodo de junção. Há uma corrente de fuga muito reduzida, até que atingindo-se a tensão de zener, a corrente aumenta bruscamente e ligeiras variações de tensão dão origem a grandes variações de corrente. Com tensões directas (1º quadrante do gráfico) o caso é diferente. Para pequenas tensões começa também a aparecer uma pequena corrente de fuga, mas quando a tensão atinge um valor VRO, observa-se um aumento brusco de corrente, baixando imediatamente a queda de tensão interna no tirístor para um valor pequeno (VT). Chama-se a VRO a tensão de ruptura, sendo de notar que a letra O de VRO significa “Open” (aberto). Tudo isto se passa portanto com a gate aberta. O tirístor passa a conduzir fortemente, uma vez atingida a tensão VRO. 83 Tensão inversa Corrente de fuga VT Corrente de fuga Tensão directa VRO I inversa http://www.prof2000.pt/users/lpa Curva característica de um tirístor com a gate aberta Tirístor I directa Curva característica estática de um SCR Na prática não se aplica ao tirístor uma tensão tão alta como VRO, pois isso pode danificar o dispositivo. O que se faz é aplicar um impulso positivo à gate e, ainda que seja relativamente baixa a tensão directa (muito inferior a VRO) o SCR passa rapidamente ao estado de condução. Quando o tirístor entra em franca condução a tensão da fonte vai praticamente ficar aplicada integralmente na carga do circuito, pois uma vez que a resistência interna cai a um valor muito baixo, também assim acontece à tensão entre o ânodo e o cátodo. 84 Tensão inversa Corrente de fuga VT Corrente de fuga Tensão directa VRO I inversa http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Características técnicas mais importantes de um tirístor 85 VDRM Tensão máxima repetitiva em estado de não condução. ITRMS Corrente eficaz máxima em condução. IGT Corrente máxima de disparo na gate. VGT Tensão máxima de disparo na gate. VTM Queda de tensão máxima em condução. IH Corrente de manutenção. ITSM Corrente máxima transitória. http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Tipos de tirístor Díodo Schockley ou díodo de quatro camadas A utilização do díodo de quatro camadas leva a circuitos de disparo mais complicados. O díodo Schockley ou de quatro camadas é um SCR sem gate preparado para disparar por tensão. SCS (Silicon Controlled Switch) É um tirístor semelhante ao SCR, mas com dois terminais de disparo, a gate (ou porta) de ânodo, Ga, e a gate (ou porta) de cátodo, Gk, permitindo disparo por impulsos negativos ou positivos, respectivamente. Não é muito comum, sendo geralmente de baixa potência. As iniciais SCS significam interruptor controlado de silício. 86 http://www.prof2000.pt/users/lpa Tirístor Tipos de tirístor GTO (Gate Turn Off) Se aplicarmos um impulso positivo na gate o tirístor conduz, se aplicarmos um impulso negativo na gate o tirístor deixa de conduzir. Todos os tirístores só se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente mínima de manutenção (IH), o que exige em certos casos circuitos especiais para desligar. O GTO permite ser desligado por impulso negativo de alta corrente na gate, em geral produzido através da descarga de um condensador. Foto-SCR Também é designado por SCR controlado por luz ou LASCR (Light Activation SCR). Trata-se de um SCR cujo disparo é realizado mediante uma radiação luminosa. Se expusermos a junção PN central à luz, através de uma janela e lente, esta se comportará como um fotodíodo, disparando o SCR. 87 http://www.prof2000.pt/users/lpa G Triac MT1 MT2 O triac, tal como o tirístor, é um componente usado para o controlo de potência. O triac é um tirístor de AC também designado por díodo controlado de silício bidireccional. O tirístor conduz a corrente só num sentido. Para regular a corrente alternada numa carga, com dispositivos semicondutores de potência, é necessário o uso de dois tirístores, logicamente montados em paralelo e em oposição. Para realização destes dois dispositivos num só criou-se o triac. Mediante um só triac é possível o controlo de onda completa, com o que se obtém notáveis vantagens sobre o emprego de tirístores. Entre as vantagens que o triac oferece sobre dois tirístores podemos citar: • Utilização de um só componente e, portanto, um só dissipador. • Circuitos de disparo mais simples. Estas duas vantagens traduzem-se logicamente numa redução do preço do equipamento e numa maior fiabilidade. No entanto, a corrente necessária a aplicar à gate do triac para conduzir é superior 2 a 4 vezes à que é necessária aplicar à gate de um tirístor. 88 http://www.prof2000.pt/users/lpa Triac Funcionamento A comutação do estado de bloqueio ao estado de condução do triac pode ser conseguido tanto com o terminal MT1 positivo em relação a MT2, como na situação inversa e com impulsos positivos ou negativos na gate (G). Os triacs comuns precisam apenas de alguns miliamperes de corrente na gate para disparar, controlando correntes que podem chegar a centenas de ampéres. Para manter o triac no estado de condução, uma vez suprimido o sinal de disparo na gate, é necessário que a corrente que atravessa o componente seja superior à corrente de manutenção indicada pelo fabricante (IH). 89 MT2 G MT1 http://www.prof2000.pt/users/lpa Triac Constituição O triac é constituído por material semicondutor (silício) e tem dois terminais principais MT1 (ou T1) e MT2 (ou T2) e um terminal de gate (G). Aspecto exterior G MT2 MT1 As séries TIC (da Texas) e MCR (da Motorola) são as mais comuns. 90 http://www.prof2000.pt/users/lpa Vamos em primeiro lugar supor que não há tensão aplicada na gate. Triac Se formos elevando a tensão entre MT1 e MT2 verificase a existência de uma pequena corrente de fuga. Porém se continuarmos a aumentar a tensão, atinge-se um valor (VRO) em que se dá a ruptura. O triac passa do estado de não condução (estado de alta impedância interna) para um estado de condução (baixa impedância interna). A tensão interna cai imediatamente e o triac passa a trabalhar na zona rectilínea (característica de condução). Aqui a pequenas variações de tensão, correspondem grandes variações de corrente. O triac mantém-se no estado de condução até que a corrente através dos terminais principais MT1 e MT2 caia a um valor inferior ao da corrente mínima de manutenção (IH) indicada pelo fabricante. Quando tal acontece o triac regressa ao estado de não condução e alta impedância. Curva característica de um triac VRO VRO Se invertermos a tensão nos terminais do triac e procedermos da maneira descrita, trabalharemos no 3º quadrante, mas com uma característica inteiramente simétrica. Tudo se processará de forma idêntica, inverteu-se a tensão, inverteu-se a corrente e nada mais. NOTA: A tensão alternada do circuito em que o triac trabalha deve ter um valor de pico inferior a VRO. 91 http://www.prof2000.pt/users/lpa Triac Características técnicas VDRM ITRMS IGT VGT VTM IH ITSM Tensão máxima repetitiva em estado de não condução. Corrente eficaz máxima em condução. Corrente máxima de disparo na gate. Tensão máxima de disparo na gate. Queda de tensão máxima em condução. Corrente de manutenção. Corrente máxima transitória. Utilização O triac só é usado em circuitos de corrente alternada, para controlar a corrente na carga. É usado por exemplo nos reguladores de intensidade luminosa (light dimmer), no controlo da velocidade de motores e no controlo de resistências de aquecimento. 92 http://www.prof2000.pt/users/lpa Trigger Point Ponto de disparo ajustado emby P1. R1) (adjusted RL D1 A1 230Vca Triac R1 D2 Ponto de disparo. Trigger Point G A2 Controlo de iluminação de uma lâmpada com um triac disparado por um diac. Voltage Waveform across RL Este circuito funciona de forma idêntica ao controlo da potência na carga que emprega um SCR, com a diferença de que o triac pode controlar tanto os semiciclos positivos como os semiciclos negativos da tensão da rede. O triac está em série com a carga e quando for disparado (ou seja, quando for aplicado um impulso na gate) deixará passar a corrente em ambos os sentidos, limitando-se a sua função a controlar a passagem da corrente através da lâmpada (controlo de fase). O seu funcionamento é o seguinte: o condensador carrega-se em mais ou menos tempo consoante o valor da resistência do potenciómetro. Ao atingir a tensão de disparo do diac, o condensador descarrega-se, e através do diac será aplicado um impulso na gate do triac que o colocará em condução. Se: R o diac dispara mais cedo ( ) o triac conduz mais cedo ( ) a carga recebe mais potência. R o diac dispara mais tarde ( ) o triac conduz mais tarde ( ) a carga recebe menos potência. 93 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor unijunção (UJT) Os UJT (Unijunction Transistor) podem ser utilizados em osciladores de baixa frequência, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em sistemas temporizados. Símbolo E – Emissor B1 – Base 1 B2 – Base 2 94 E B2 B1 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor unijunção (UJT) Constituição interna B2 Basicamente o transístor unijunção é constituído por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais contactos não constituem junções semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prática uma resistência, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a única junção PN semicondutora interna. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistências (Rb2 e Rb1), em série, tendo ligado no seu ponto central um díodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) está mais próximo da base 2 (B2). 95 E B1 http://www.prof2000.pt/users/lpa + 6 a 30 Volt Transístor unijunção Principio de funcionamento + _ O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 é relativamente alto (tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circulará por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de tensão, em cujo ponto intermédio surge uma tensão menor, porém proporcional àquela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 têm valores iguais, de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o “cátodo” do “díodo” do emissor terá uma tensão de 5 Volt. Ao aplicarmos, então, uma tensão de entrada no emissor (E) do UJT, esta terá que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrínseca da junção PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a própria tensão que polariza o “cátodo” (5 Volt no exemplo). Nesse caso, enquanto a tensão aplicada ao terminal do emissor (E) não atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) não haverá passagem de corrente pelo emissor através de Rb1 para a linha de negativo da alimentação. Mantendo-se no exemplo, uma tensão de emissor igual ou maior do que 5,6 Volt determinará a passagem de uma corrente; já qualquer tensão inferior (a 5,6V) será incapaz de originar passagem da corrente eléctrica pelo emissor (E) e por Rb1. Enquanto os 5,6V não forem atingidos, a corrente será nula, como através de um interruptor aberto. Alcançando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor estivesse fechado. A corrente que circulará estará limitada unicamente pelo valor resistivo intrínseco de Rb1. Como a transição de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1) se dá sempre de forma abrupta (quando a tensão de emissor chega à tensão/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples interruptor accionado por tensão. 96 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor unijunção Caraterísticas técnicas • Tensão entre bases (Vbb) – é a máxima tensão que pode ser aplicada entre as bases. • Tensão entre emissor e base 1 (Vb1e) – é a máxima tensão que pode ser aplicada entre esses dois terminais. • Resistência entre bases (Rbb) – é a resistência existente entre os dois terminais de base. • Corrente de pico de emissor (Ie) – é a corrente máxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transístor é disparado.V1 • Razão intrínseca de afastamento () Rb1 Rbb Rbb = Rb1 + Rb2 V1 é a chamada razão intrínseca de afastamento, que nada mais é do que o factor do divisor de tensão. A faixa típica de variação de é de 0,5 a 0,8. 97 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor unijunção Caraterísticas técnicas Por exemplo, o 2N2646 tem um de 0,65. Se este UJT for usado com uma tensão de alimentação de 10 Volt V1 = x V V1 = 0,65 x 10 V1 = 6,5V V1 – Tensão intrínseca de afastamento. - Razão intrínseca de afastamento, V – Tensão de alimentação. V1 é a chamada tensão intrínseca de afastamento porque ela mantém o díodo emissor com polarização inversa para todas as tensões aplicadas ao Emissor, inferiores a V1. Se V1 for igual a 6,5 Volt, então temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os 6,5V para polarizar directamente a junção PN e haver condução entre Emissor e a Base 1. 98 http://www.prof2000.pt/users/lpa Transístor unijunção Oscilador com um transístor unijunção 99 Ao aplicarmos inicialmente a alimentação ao circuito o condensador começa a carregar, através da resistência R ( = R x C). Assim que a tensão aos terminais do condensador atinge o ponto de disparo do UJT a corrente sai pela base 1 passando por R1. Desta forma o condensador descarrega e a sua tensão passa a ser inferior à tensão necessária para disparar o UJT ficando este novamente ao corte, reiniciando-se novamente todo o ciclo. É de notar que devido às suas posições R2 e R1 influenciam a própria relação intrínseca do divisor de tensão interno do UJT, uma vez que R2 mais RB2 encontram-se acima da junção de Emissor, enquanto que R1 e RB1 se encontram abaixo da mesma junção. Assim se R2 aumentar a tensão necessária para disparar o UJT diminui (e vice-versa). Se R1 aumentar a tensão de disparo do UJT também terá que aumentar. Se desejarmos uma frequência baixa de oscilação podemos aumentar o valor da capacidade do condensador. + R2 _ + _ + R1 _ Valores típicos: Vcc de 6 a 30 Volt R de 3K a 500K R2 de 100 a 1K R1 de 0 a 100 C de 100pF a 1000F http://www.prof2000.pt/users/lpa Fet - Transístor de efeito de campo Os transístores bipolares e os transístores de efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; há no entanto uma diferença que determina a sua utilização: O transístor bipolar é comandado por corrente, enquanto o Fet é comandado por tensão. Tipos de Fet J-Fet(Junction - Field Effect Transistor) MOS-Fet(Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor) 10 0 http://www.prof2000.pt/users/lpa J-Fet 10 1 O J-Fet canal N é constituído basicamente por uma junção PN, sendo ambos os extremos da região N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a região P (Gate ou porta) um anel em volta da região N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da região N circulará uma corrente limitada apenas pela resistência do material semicondutor. Porém, se polarizarmos inversamente a junção PN (Gate negativa em relação à Fonte), formar-se-á uma zona de deplecção em volta da junção PN. Devido a esse facto, ficará mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistência interna da região N. Através da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tensão dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) será função da polarização inversa da Gate que variará a espessura do canal por variação da zona de deplecção. Zona de deplecção VDS VGS NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a polaridade das tensões aplicadas aos terminais. http://www.prof2000.pt/users/lpa J-Fet Símbolos D – Drain (Dreno) S – Source (Fonte) G – Gate (Porta) Funcionamento 10 2 Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente polarizada (no JFet canal N: Gate negativa em relação à Fonte, no J-Fet canal P: gate positiva em relação à Fonte), O Dreno (D) é positivo em relação à Fonte (S). A corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente corrente de dreno (ID) é inversamente proporcional à tensão gate-fonte (VGS), conhecida por tensão de gate (VG). Assim se: VG ID (isto porque a zona de deplecção vai aumentar e o canal vai estreitar o que provoca um aumento de resistência e consequentemente uma diminuição da corrente) Mantendo-se constante VDS e fazendo variar VG, ID sofrerá uma certa variação e a relação ∆ID/∆VG dá-nos a transcondutância em Siemens do Fet, representada por gm. Considerando ID como saída e VGS como entrada, o J-Fet surge como uma fonte de corrente controlada por tensão. RD VDS IDS RG RS J-Fet canal N http://www.prof2000.pt/users/lpa Mos-Fet Evitar tocar com as mãos nos terminais dos Fet já que todos eles, mas especialmente os de tecnologia MOS, são sensíveis a cargas eléctricas estáticas que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna. A sua resistência de entrada é muito elevada (da ordem dos 1015 ). Os transístores de gate isolada (Mos-Fet ou Ig-Fet) recebem esse nome em virtude da gate ser uma película metálica (de alumínio) isolada electricamente do canal (semicondutor) através de uma finíssima camada de óxido de silício. Tipos de Mos-Fet NMOS (canal tipo N) Mos-Fet de empobrecimento ou depleção Mos-Fet de enriquecimento 10 3 PMOS (canal tipo P) CMOS (transístor NMOS e PMOS no mesmo chip) http://www.prof2000.pt/users/lpa Mos-Fet de empobrecimento Símbolos NMOS de empobrecimento Substrato 10 4 Al PMOS de empobrecimento Tal como no J-Fet um dos extremos do canal é a Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma delicada capa de óxido de silício (SiO2) sobre a qual é aplicada uma camada de alumínio (Al) para formar a Porta ou Gate. SiO2 Figura: NMOS de empobrecimento Canal N – Substrato P http://www.prof2000.pt/users/lpa Mos-Fet de empobrecimento 10 5 O Dreno é ligado ao pólo positivo da bateria e a Fonte ao negativo. Se a tensão na Gate ou Porta for zero (VG= 0 Volt) a corrente de dreno (ID) será limitada apenas pela resistividade do canal n (que não é elevada). Porém, se aplicarmos uma tensão inversa entre a gate e a fonte (Gate negativa em relação à Fonte) forma-se um campo electrostático que repelirá os electrões livres que no material N, são os portadores de corrente, formando-se, desta forma, uma zona de deplecção, cuja profundidade dependerá da tensão aplicada. Quando a tensão de porta se torna negativa o campo eléctrico produzido pelo condensador (formado pela Porta – SiO2 – canal N) vai atrair cargas positivas para o canal. A presença das cargas positivas destrói as negativas e isso produz um estreitamento do canal. Desta forma, tal como sucede nos J-Fet, a intensidade da corrente entre Fonte e Dreno (ID) será inversamente proporcional à tensão entre Gate e Fonte (VG) VG ID Há um valor da tensão de Gate, chamada tensão de corte, no qual o canal ficará totalmente fechado e a corrente de dreno será igual a zero. O menor valor negativo da tensão de Gate que elimina o canal designase por tensão limiar ou tensão de threshold (VT) ou VGS off. http://www.prof2000.pt/users/lpa Mos-Fet de enriquecimento Canal induzido Figura: NMOS de enriquecimento Canal N – Substrato P 10 6 A zona P é mais larga, sendo o canal restrito a pequenas porções de material N junto à fonte e ao dreno. Tal como no Fet de empobrecimento, a gate ou porta é isolada do canal por uma camada de óxido de silício. Neste transístor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tensão positiva em relação à fonte, de modo que o campo electrostático assim formado, em vez de repelir os electrões, os atrai, formando um canal N entre a fonte e o dreno (a tracejado na figura). A formação deste canal permite, então, a circulação da corrente de dreno (ID) cuja intensidade, irá depender da tensão de gate (VG), já que a profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno será determinada pelo campo electrostático. Se a tensão gate – fonte (VGS) for nula não se formará o canal induzido logo não haverá corrente de dreno (ID). http://www.prof2000.pt/users/lpa Mos-Fet de enriquecimento No caso do Mos-Fet de canal N o dreno deve ser ligado ao positivo da bateria, e a Fonte ao negativo, sendo a gate ou porta ligada ao positivo através de um divisor de tensão destinado a fornecer a exacta tensão da gate. É importante recordar que, como a resistência de entrada é infinita (já que a gate é electricamente isolada do canal) a gate de um Mos-Fet não consome qualquer corrente, daí a necessidade do divisor. Símbolos 10 7 http://www.prof2000.pt/users/lpa Fet Caraterísticas dos Fet IDmáx IGmáx VGSmáx VGSOmáx VDGOmáx IDSS V(P)GS PD gm 10 8 Máxima corrente de dreno. Máxima corrente de gate. Máxima tensão permitida entre dreno e fonte . Máxima tensão permitida entre gate e fonte com o dreno aberto. Máxima tensão permitida entre dreno e gate com a fonte aberta. Corrente de dreno com a gate em curto-circuito com a fonte (VGS= 0). Especifica-se para uma determinada tensão VDS. Tensão de estrangulamento (pinch-off) entre a gate e a fonte. Especifica-se para determinada tensão VDS e corrente ID, para as quais se considera o canal cortado. Potência total máxima dissipável para uma determinada temperatura em condições normais de funcionamento (PD= VDS x ID) Transcondutância (expressa a relação entre o aumento da corrente de dreno e a tensão gate-fonte gm ID , mantendo-se constante VDS. A unidade é o V G Siemens. http://www.prof2000.pt/users/lpa Fet Aplicações dos Fet Os Mos-Fet tipo deplecção são semelhantes aos J-Fet, pelo que têm aplicações semelhantes, nomeadamente como amplificadores de sinais. Os Mos-Fet tipo enriquecimento têm a sua maior aplicação nos circuitos digitais por razões ligadas ao baixo consumo e ao reduzido espaço que ocupam. 10 9 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Surgiram na década de 1970. O seu interesse resulta da miniaturização dos circuitos. Parte funcional do componente discreto Os componentes discretos são maiores do que precisavam de ser. O corpo normal do componente, que nos parece pequeno, é, na verdade um autêntico exagero, se nos restringirmos, electricamente, ao que realmente “faz o trabalho” no componente, ou seja, a sua parte funcional. Por exemplo num díodo: 11 0 (parte funcional) http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Os circuitos integrados são circuitos electrónicos funcionais, constituídos por um conjunto de transístores, díodos, resistências e condensadores, fabricados num mesmo processo, sobre uma substância comum semicondutora de silício que se designa vulgarmente por chip. Circuito integrado (CI) visto por dentro e por cima. Chip Fios finíssimos de ligação do chip aos terminais do CI Terminais do CI O circuito integrado propriamente dito chama-se pastilha (chip, em inglês) e é muito pequeno. A maior parte do tamanho externo do circuito integrado deve-se à caixa e às ligações da pastilha aos terminais externos. 11 1 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Vantagens dos C.I. em relação aos circuitos com componentes discretos Redução de custos, peso e tamanho. Aumento da fiabilidade. Maior velocidade de trabalho. Redução das capacidades parasitas. Menor consumo de energia. Melhor manutenção. Redução de stocks. Redução dos erros de montagem. Melhoria das características técnicas do circuito. Simplifica ao máximo a produção industrial. 11 2 Limitações dos C.I. Limitação nos valores das resistências e condensadores a integrar. Reduzida potência de dissipação. Limitações nas tensões de funcionamento. Impossibilidade de integrar num chip bobinas ou indutâncias (salvo se forem de valores muitíssimo pequenos). http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Classificação dos C.I. Classificação dos circuitos integrados quanto ao processo de fabrico: Circuito integrado monolítico (o seu processo de fabrico baseia-se na técnica planar) Circuito integrado pelicular (película delgada – thin-film - ou película grossa – thick-film) Circuito integrado multiplaca Circuito integrado híbrido (combinação das técnicas de integração monolítica e pelicular) 11 3 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Classificação dos C.I. Classificação dos circuitos integrados quanto ao tipo de transístores utilizados: Bipolar e Mos-Fet. Os circuitos integrados digitais estão agrupados em famílias lógicas. Famílias lógicas bipolares: RTL – Resistor Transistor Logic – Lógica de transístor e resistência. DTL – Díode Transistor Logic – Lógica de transístor e díodo. TTL – Transistor Transistor Logic – Lógica transístor-transístor. HTL – High Threshold Logic – Lógica de transístor com alto limiar. ECL – Emitter Coupled Logic – Lógica de emissores ligados. I2L – Integrated-Injection Logic – Lógica de injecção integrada. 11 4 Famílias lógicas MOS: CMOS – Complemantary MOS – MOS de pares complementares NMOS/PMOS NMOS – Utiliza só transístores MOS-FET canal N. PMOS - Utiliza só transístores MOS-FET canal P. http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Classificação dos C.I. Classificação dos circuitos integrados quanto à sua aplicação: Lineares ou analógicos Digitais Os primeiros, são CIs que produzem sinais contínuos em função dos sinais que lhe são aplicados nas suas entradas. A função principal do CI analógico é a amplificação. Podem destacar-se neste grupo de circuitos integrados os amplificadores operacionais (AmpOp). Os segundos são circuitos que só funcionam com um determinado número de valores ou estados lógicos, que geralmente são dois (0 e 1). Nível lógico 1 Nível lógico 0 11 5 Sinal analógico: sinal que tem uma variação contínua ao longo do tempo. t Sinal digital: sinal que tem uma variação por saltos de uma forma descontínua. http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Classificação dos C.I. Classificação dos circuitos integrados quanto à sua gama de integração: A gama de integração refere-se ao número de componentes que o CI contém. SSI (Small Scale Integration) – Integração em pequena escala: São os CI com menos componentes. Podem dispor de até 30 dispositivos por pastilha (chip). MSI (Medium Scale Integration) – Integração em média escala: Corresponde aos CI com várias centenas de componentes, podendo possuir de 30 a 1000 dispositivos por pastilha (estes circuitos incluem descodificadores, contadores, etc.). LSI (Large Scale Integration) – Integração em grande escala: Contém milhares de componentes podendo possuir de 1000 até 100 000 dispositivos por pastilha (estes circuitos normalmente efectuam funções lógicas complexas, tais como toda a parte aritmética duma calculadora, um relógio digital, etc.). VLSI (Very Large Scale Integration) – Integração em muito larga escala: É o grupo de CI com um número de componentes compreendido entre 100 000 e 10 milhões de dispositivos por pastilha (são utilizados na implementação de microprocessadores). 11 6 ULSI (Ultra Large Scale Integration) – Integração em escala ultra larga: É o grupo de CI com mais de 10 milhões de dispositivos por pastilha. http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Tipos de cápsulas do C.I. Os principais tipos de cápsulas utilizadas para envolver e proteger os chips são basicamente quatro: Cápsulas com dupla fila de pinos (DIL ou DIP – Dual In Line) Cápsulas planas (Flat-pack) Cápsulas metálicas TO-5 (cilíndricas) Cápsulas especiais Enquanto as cápsulas TO-5 são de material metálico, as restantes podem utilizar materiais plásticos ou cerâmicos. 11 7 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Cápsula com dupla fila de pinos Para os CI de baixa potência – DIL ou DIP As cápsulas de dupla fila de pinos são as mais utilizadas, podendo conter vários chips interligados. Nos integrados de encapsulamento DIL a numeração dos terminais é feita a partir do terminal 1 (identificado pela marca), vai por essa linha de terminais e volta pela outra (em sentido antihorário). Durante essa identificação dos terminais o CI deve ser sempre observado por cima. 11 8 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Cápsula com quatro filas de pinos QIL – Quad In Line Para c.i. de média potência, por exemplo, amplificadores de áudio. A principal razão da linha quádrupla de pinos é o de permitir um maior afastamento das respectivas “ilhas” de ligação no circuito impresso, de forma que pistas mais largas (portanto para correntes maiores) possam ser ligadas a tais “ilhas”. 1 Cápsula com linha única de pinos SIL – Single In Line Alguns integrados pré-amlificadores, e mesmo alguns amplificadores de certa potência, para áudio, apresentam esta configuração. 11 9 1 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Cápsulas planas (Flat-pack) As cápsulas planas têm reduzido volume e espessura e são formadas por terminais dispostos horizontalmente. Pelo facto de se disporem sobre o circuito impresso a sua instalação ocupa pouco espaço. Cápsulas metálicas TO-5 12 0 Têm um corpo cilíndrico metálico, com os terminais dispostos em linha circular, na sua base. A contagem dos terminais inicia-se pela pequena marca, em sentido horário, com o componente visto por baixo. http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Cápsulas especiais As cápsulas especiais são as que dispõem de numerosos terminais para interligarem a enorme integração de componentes que determinados chips dispõem (por exemplo, CI contendo microprocessadores). 12 1 Encapsulamento QUAD PACK http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Aleta metálica Circuitos Integrados de potência Alguns integrados de potência têm uma cápsula extremamente parecida com a dos transístores de potência. Algumas observações importantes a respeito das aletas de acoplamento aos dissipadores de calor: Dissipador de calor As aletas podem ser fixadas a dissipadores de alumínio em método idêntico ao utilizado nos transístores de potência. Acoplar-se as aletas à própria caixa (se for metálica) que contém o circuito. As aletas podem ser soldadas a uma das faces de cobre do circuito impresso (no caso de uma dupla face). As aletas, quase sempre estão ligadas electricamente por dentro do c.i., ao pino correspondente ao negativo da alimentação (massa). 12 2 http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Cápsulas de C.I. em SMT Existem três tipos básicos de cápsulas de circuitos integrados em SMT (Surface Mount Technology): SOIC – Small-Outline Integrated Circuit – é semelhante a um DIP em miniatura e com os pinos dobrados. PLCC – Plastic-Leaded Chip Carrier – tem os terminais dobrados para debaixo do corpo. 12 3 LCCC – Leadless Ceramic Chip Carrier – não tem pinos. No seu lugar existem uns contactos metálicos moldados na cápsula cerâmica. http://www.prof2000.pt/users/lpa Circuitos integrados Bases para os C.I. A base ou soquete, em termos práticos, além de facilitar a eventual manutenção do circuito, evita o aquecimento do circuito integrado quando se solda. 12 4 http://www.prof2000.pt/users/lpa