DESIGNAÇÃO DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS NORMA EUROPEIA Primeira letra Segunda letra A - Material semicondutor A - Díodo de detecção. (germânio) B - Díodo de capacidade variável. C - Transístor de baixa potência para baixas B - Material semicondutor frequências. (silício) D - Transístor de potência para baixas frequências. C - Material semicondutor E - Díodo túnel. (arsenieto de gálio) F - Transístor de baixa potência para rádiofrequências D - Material semicondutor G - Conjunto de dispositivos vários. (antimonieto de índio) H - Gerador de Hall em circuito magnético aberto. R - Material de outro tipo K - Sonda de campo. (sulfureto de cádmio, L - Transístor de potência para rádiofrequênseleneto de chumbo, etc.) cias. M - Gerador de Hall em circuito magnético fechado. N - Dispositivo fotoacoplador P - Dispositivo sensível à radiação. Q - Dispositivo gerador de radiações. R - Rectificador controlado (tirístor) de baixa potência. S - Transístor de baixa potência para comutação. T - Rectificador controlado (tirístor) de potência U - Transístor de comutação para grandes potências. X - Multiplicador de frequência. Y - Díodo rectificador Z - Díodo zener. Número de série Três algarismos para os componentes semicondutores construídos para uso corrente, em aparelhos domésticos. Uma letra e dois algarismos para os componentes semicondutores não construídos para uso corrente, em aparelhos domésticos (uso industrial) B C 337 NORMA AMERICANA Primeiro algarismo 1 - Díodo. 2 - Transístor. Segunda letra Número de série N - Material semicondutor (silício) 2 N 222 Lucínio Preza de Araújo