Com a 11ª Edição - PUC-SP

PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DE SÃO PAULO
Faculdade de Ciências Exatas e Tecnologia
Plano de Ensino de Disciplina - 2017
Engenharia Elétrica
Disciplina: DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRÔNICOS 3
Período: 7o semestre
Código: DCE 3
Carga Horária Semanal:
Teoria: 02 horas
Laboratório: 02 horas
Carga Horária Semestral:
Teoria: 34 horas
Laboratório: 34 horas
Professor:
Dr. Aparecido S. Nicolett (teoria + laboratório)
Objetivos
Gerais: Desenvolver o estudo dos Transistores de Efeito de Campo - FETs e suas tecnologias.
Projetar circuitos de amplificadores com TJB e com FET. Estudar as aplicações destes
dispositivos, assim como analisar as influências dos meios externos sobre eles. Dar suporte às
disciplinas que se seguem, e que a tem com base. Estudar os processos de realimentação e
suas consequências. Desenvolver os conhecimentos básicos sobre projetos de circuitos com
realimentação. Estudar os sistemas realimentados positivamente e os osciladores para
aplicações em comunicações eletrônicas. Treinar a obtenção de informações em manuais para
confecção de projetos.
Específicos: Características do JFET. Curva Característica de Transferência. Transistor
MOSFET Tipo Intensificação. Transistor MOSFET Tipo Depleção. Polarização do JFET.
Polarização do MOSFET. Análise do FET para Pequenos Sinais. Circuitos CA de Polarização
do JFET. Circuitos Combinados TBJ e JFET. Aplicações Práticas do JFET. Transistor VMOS e
Circuitos CMOS. Dissipadores de Potência. Amplificadores Classe A e B (Push-Pull).
Realimentação e Circuitos Osciladores.
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Procedimentos de Ensino
O curso é desenvolvido através de aulas baseadas em livro texto, com apresentação do
conteúdo através da utilização de “Datashow”, lousa e programas computacionais. O aluno é
cobrado frequentemente através da realização de atividades continuadas, projetos de circuitos
básicos e experiências em laboratório, nas quais o aluno desenvolve a habilidade de consulta
em manuais e a fazer dimensionamentos dos circuitos e dos dispositivos eletrônicos.
Instrumentos e Critérios de Avaliação
MF = 0,3.AT+0,2.P1+0,5.P2
Onde:
P1: Prova marcada pelo professor da disciplina na metade do semestre.
P2: Prova marcada pelo departamento, no final do semestre.
AT: Nota referente às atividades continuadas realizadas no semestre.
AT = [(0,4 . PROJ + 0,6 . PRAT) . (KL + KT)/2]
PROJ: Nota do projeto.
PRAT: Nota da prova prática.
KT: Fator de teoria (≤ 1,0).
KL: Fator de laboratório (≤ 1,0).
OBS.1: Será subtraído 0,1 no fator KT por atividade não entregue ou recusada. Será subtraído
0,1 no fator KL por relatório não entregue ou recusado.
OBS.2: Só será permitido ao aluno a reposição de 1 (uma) experiência no semestre, nos
casos de falta ou recusa do relatório.
OBS.3: Não existe prova substitutiva para a prova prática.
OBS.4: O aluno poderá realizar uma prova substitutiva (PS) para substituir a nota de P1 ou P2,
sendo que o conteúdo desta prova abrangerá todo o programa do semestre.
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Recursos Necessários
Sala de aula tradicional; laboratórios com equipamentos adequados e dispositivos; Datashow;
laboratório com microcomputadores e programas adequados para simulações; biblioteca com
acervo compatível com as necessidades da disciplina.
Ementa
Projetos de amplificadores com TJB, Transistores de Efeito de Campo (JFET e MOSFET),
generalidades, Curvas de Transferência, Parâmetros, Polarização, Amplificadores de
Pequenos Sinais com JFET e MOSFET, Projetos de Amplificadores com JFETs, Resposta em
Frequência, Amplificadores de Múltiplos Estágios, Acoplamentos, Amplificadores de Grandes
Sinais, Amplificadores Classe A, Amplificadores de Potência, Amplificador Push-pull,
Dissipadores
de
Calor,
Realimentação,
Amplificadores
Realimentado,
Osciladores,
Amplificadores Diferenciais, Amplificadores Operacionais.
Conteúdo Programático
Teoria: Características do Transistor de Efeito de Campo JFET, Curva de Transferência,
Polarização do JFET, Características do Transistor MOSFET, Polarização do MOSFET,
Circuito CMOS, Circuitos Combinados TBJ e JFET, Análise de Pequenos Sinais do FET,
Circuitos CA de Polarização do JFET, Análise em Baixas e Altas Frequências do JFET.
Laboratório: Dissipadores de Potência, Amplificadores Classe A e B, Curvas Características
do JFET e MOSFET, Realimentação e Circuitos Osciladores, Amplificadores de Pequenos
Sinais com JFET, Projeto.
Bibliografia Básica
•
R. L. Boylestad e L. Nashelsky: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 11ª
Edição, Pearson, 2013. ISBN: 978-85-64574-21-2.
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•
A. S. Sedra e K. C. Smith: Microeletrônica, 5ª Edição, Pearson, 2007. ISBN: 978-857605-022-3.
•
A. P. Malvino: Eletrônica, 4ª Edição, Vol. 2, Pearson. ISBN: 978-85-3460-455-0.
Bibliografia Complementar
•
O. Markus: Analógicos: Circuitos com Diodos e Transistores, 8ª Edição, Érica, 2008. ISBN:
978-85-7194-690-3.
•
A. E. B. Marques, E. C. A. Cruz e S. Choueri Jr.: Dispositivos Semicondutores: Diodos e
Transistores,13ª Edição, Érica, 2012. ISBN: 978-85-7194-317-9.
•
T. F. Bogart Jr: Dispositivos e Circuitos Eletrônicos, 3ª Edição, Vol. 1, Makron, 2001. ISBN:
85-346-0721-4.
•
E. C. A. Cruz e S. Choueri Jr.: Eletrônica Aplicada, 2ª Edição, Érica, 2008. ISBN: 978-85365-0150-5.
•
R. O. Albuquerque e A. C. Seabra: Utilizando Eletrônica com AO, SCR, TRIAC, UJT, PUT,
CI 555, LDR, LED, FET e IGBT, 2ª Edição, Érica, 2012. ISBN: 978-85-365-0246-5.
•
J. J. Cathey: Dispositivos e Circuitos Eletrônicos, 2ª Edição, Bookman, 2003. ISBN: 85363-0252-6.
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Cronograma - Teoria
Semana
Tópicos
1
2
Apresentação do Curso e Critérios de Avaliação.
Características do JFET (pág. 317 a 323). Curva Característica
de Transferência (pág. 323 a 331).
Transistor MOSFET Tipo Depleção (pág. 331 a 335).
Transistor MOSFET Tipo Intensificação (pág. 335 a 342).
Polarização do JFET (pág. 353 a 365).
Polarização do MOSFET Depleção (pág. 365 a 368). Polarização
do MOSFET Intensificação (pág. 368 a 372).
Circuitos Combinados TBJ e JFET (pág. 372 a 377).
Prova P1.
Análise do FET para Pequenos Sinais (pág. 400 a 406).
Circuitos CA de Polarização do JFET (pág. 406 a 411).
Circuitos CA de Polarização do JFET (pág. 411 a 418).
Considerações Gerais sobre Frequência (pág. 451 a 468).
Resposta em Baixas Frequências do FET (pág. 474 a 478).
Resposta em Altas Frequências do FET (pág. 484 a 487).
Transistor VMOS e Circuitos CMOS (pág. 342 a 345). Outras
aplicações de MOSFET: Circuitos Digitais. Aplicações Práticas do
JFET (pág. 382 a 392).
Prova P2.
Prova PS.
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Observação
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Cronograma – Laboratório
Semana
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Tópicos
Observação
Dissipadores de Potência (pág. 589 a 591).
Amplificadores Classe A e B (Push-Pull) (pág. 571 a 585).
Amplificadores Classe A e B (Push-Pull) (pág. 571 a 585).
Exp.1: Amplificador Classe B.
Exp.2: Curvas Características do JFET.
Exp.3: Curvas Características do MOSFET.
Realimentação e Circuitos Osciladores (pág. 626 a 636).
Circuitos Osciladores (pág. 636 a 644).
Circuitos Osciladores (pág. 644 a 650).
Exp.4: Circuito Oscilador.
Projeto: Proposta / Desenvolvimento.
Exp.5: Amplificador de Pequenos Sinais com JFET.
Reposição.
Prova Prática.
Prova Prática.
Projeto: Apresentação.
Vista das notas de laboratório.
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Pré-requisitos: Relacionar os assuntos específicos de cada disciplina que antecedem a sua,
que você considera essencial para o desenvolvimentos de seu programa.
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Análise de circuitos (técnicas de análise);
Instrumentação (osciloscópio, multímetro, geradores de sinal, etc.);
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