Dispositivos de Memórias
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UFJF – FABRICIO CAMPOS DSP TMS320F243 AD TLC3548 NAND 74AS00 SRAM CY7C199 (32Kx8 SRAM) UFJF – FABRICIO CAMPOS AD TLC3548 • • • • • • • • Successive-approximation, CMOS, 14-bit, Vdd=5V, 200KSPS, 8-Channel Unipolar ADC, Built-In 4-V Reference, SPI - Serial Peripheral Interface Bus UFJF – FABRICIO CAMPOS AD TLC3548 UFJF – FABRICIO CAMPOS DSP TMS320F243 • 20 Mhz • 16-bit fixed-point DSP, CMOS Technology • Memory • 544 Words x 16 Bits of On-Chip Data/Program DRAM (DRAM) • 8K Words x 16 Bits of EEPROM • AD 10-Bit Analog-to-Digital Converter, 8 channels, ADC Conversion Time 900ns UFJF – FABRICIO CAMPOS SRAM CY7C199 (32Kx8 SRAM) • 32K x 8 Static RAM • High speed - 10 n • CMOS for optimum speed/power • TTL-compatible inputs and outputs • Three-state drivers. Como o DSP é de 16bits, associa-se 2 memórias para formar 32K x 16 UFJF – FABRICIO CAMPOS SRAM CY7C199 UFJF – FABRICIO CAMPOS Capítulo 12) Dispositivos de Memória Terminologia / Velocidade / Preço Tipos de memória / Leitura / Escrita Capacidade Procedimentos de Leitura e Escrita ROM / FLASH / RAM / SRAM / DRAM UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.1) Terminologia Célula de memória: Dispositivo usado para armazenar um único bit Palavra de memória: Grupo de Bits Byte = 8 bits Capacidade: Quantos bits podem ser armazenados 4K x 20 = 4096x20 bits Endereço: Número que identifica uma posição de uma palavra na memória UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.1) Terminologia Operação Leitura / Escrita Tempo de Acesso: tACC tempo de Leitura Memória Volátil: Se a alimentação for removida a informação é perdida Memória de Acesso Sequencial (SEQUENTIAL-ACCESSMEMORY - SAM) O tempo de acesso não é constante Memória de Acesso Aleatório (RANDON-ACCESS-MEMORY RAM): O tempo de acesso é o mesmo para qualquer endereço Memória de Leitura e Escrita (READ/WRITE MEMORY - RWM) Memória Apenas de Leitura (READ-ONLY-MEMORY - ROM) UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.1) Terminologia Dispositivo de memória Estática: Os dados permanecem enquanto a fonte estiver aplicada Dispositivo de memória Dinâmica: Os dados precisam ser periodicamente reescritos (REFRESH) Memória Principal: Instruções e Dados Memória Auxiliar: Armazenamento UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.2) Princípios de Operação Entradas de Endereço Barramentos de dados Entrada de controle R/~W Habilitação UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.2) Princípios de Operação Escrita e Leitura UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.3) Conexões CPU-MEMÓRIA Barramentos: Endereço Dados Controle Operações: Escrita Leitura UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.4) Memória Apenas Leitura - ROM 24=16 endereços Palavras de 8 bits UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.5) Arquitetura Interna da ROM Matriz de Registradores Decodificador de Linhas Decodificador de Colunas Buffer de Saída UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.6) Temporização da ROM tACC – Tempo de acesso tOE – Tempo de habilitação de saída UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM MROM – ROM Programada por máscara PROM – ROM Programável EPROM – Erasable Programable ROM EEPROM – Electrically Erasable Programable ROM CD-ROM – Compact Disk ROM UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM MROM – ROM Programada por máscara Tem a informação armazenada ao mesmo tempo que o circuito é fabricado UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM MROM – ROM Programada por máscara UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM PROM – ROM Programável Pode ser programada um única vez com conexões a fusível OTP – One Time Programmable UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM EPROM – Erasable Programable ROM É não volátil Pode ser programada pelo usuário e também pode ser apagada As células são constituídas de transistores MOS e programadas com tensões elevadas As células são apagadas expondo-se o silício à luz ultravioleta de alta intensidade por vários minutos UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM EPROM – Erasable Programable ROM UFJF – FABRICIO CAMPOS
