Lista de Exercícios - Feg

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unesp
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA
Campus de Guaratinguetá
Colégio Técnico Industrial de Guaratinguetá “Professor Carlos Augusto Patrício Amorim”
EXERCÍCIOS: MEMÓRIAS – 4º bimestre 2011
1) Defina, de acordo com as características de classificação básica, as memórias:
a. PROM
b. UVPROM
c. E2PROM
d. RAM
2) Defina a principal diferença entre memória RAM e memória FLASH.
3) Determine a quantidade de terminais de endereço, a palavra de endereço inicial e final e a
capacidade de memória das seguintes memórias: 1Mx16 / 4kx8 / 128kx8
4) Determine o mapeamento de uma memória ROM 16x7 para atuar como decodificador do
código binário de 4 bits para um display de sete segmentos, anodo comum.
5) Esquematize o circuito interno de uma ROM 4x8 com os seguintes conteúdos: 01h / 4Bh /
9Ch / EDh.
6) Utilizando blocos de memória RAM 64x2, forme uma memória RAM 128x6.
7) Desenhe a arquitetura interna de uma RAM 8x2.
8) Desenhe o circuito de uma célula de memória RAM.
9) A partir de blocos de memória RAM 64x4, esquematize uma RAM 64x8. Escreva as
palavras de endereçamento inicial e final de cada RAM integrada ao sistema.
10) Idem ao anterior, para obter uma RAM 512x4 com blocos de estrutura 128x4.
4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling
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11) Idem ao anterior, para uma RAM 64x6, com blocos de estrutura 32x2.
12) Necessita-se armazenar o conteúdo de uma função matemática em uma memória ROM 8x8.
A função a ser armazenada é y  x 2  1 , onde x é a entrada de endereços e y é a saída de
dados. Faça o mapeamento dessa memória, onde todo o conteúdo deve estar em
hexadecimal e o valor de y deve ser mostrado na forma sinal-magnitude em complemento de
2.
13) Projetar um circuito lógico que utilize uma memória ROM 8x1, que produza o sinal
periódico abaixo:
out
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
t
14) Projetar um circuito, utilizando uma memória ROM, que produza a forma de onda abaixo.
Especificar todos os componentes utilizados, além de fazer o mapeamento da memória
integrada ao sistema.
Vout
t
Dados:
a. Escala utilizada: 0,3 [V] / 1 [ms]
b. Utilizar conversor D/A R-2R, com RO = 4,7 [kΩ].
15) Combine uma memória RAM 32x3 com memórias RAM 8x2 a fim de obter uma memória
RAM 32x5.
4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling
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16) Projetar um circuito, utilizando uma memória ROM, que produza a forma de onda periódica
abaixo. Especificar todo o sistema: tamanho e mapeamento da memória utilizada, projeto do
conversor D/A, contador assíncrono com reset automático e cálculo da frequência do sinal
de entrada no sistema. O sistema deve possuir o menor hardware possível.
Vout
t
Dados:
Escala utilizada: 0,2 [V] / 1,8 [ms]
Utilizar conversor A/D R-2R, com RO = 2,7 [kΩ] e Vcc = 6 [V]
4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling
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