1 unesp UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA Campus de Guaratinguetá Colégio Técnico Industrial de Guaratinguetá “Professor Carlos Augusto Patrício Amorim” EXERCÍCIOS: MEMÓRIAS – 4º bimestre 2011 1) Defina, de acordo com as características de classificação básica, as memórias: a. PROM b. UVPROM c. E2PROM d. RAM 2) Defina a principal diferença entre memória RAM e memória FLASH. 3) Determine a quantidade de terminais de endereço, a palavra de endereço inicial e final e a capacidade de memória das seguintes memórias: 1Mx16 / 4kx8 / 128kx8 4) Determine o mapeamento de uma memória ROM 16x7 para atuar como decodificador do código binário de 4 bits para um display de sete segmentos, anodo comum. 5) Esquematize o circuito interno de uma ROM 4x8 com os seguintes conteúdos: 01h / 4Bh / 9Ch / EDh. 6) Utilizando blocos de memória RAM 64x2, forme uma memória RAM 128x6. 7) Desenhe a arquitetura interna de uma RAM 8x2. 8) Desenhe o circuito de uma célula de memória RAM. 9) A partir de blocos de memória RAM 64x4, esquematize uma RAM 64x8. Escreva as palavras de endereçamento inicial e final de cada RAM integrada ao sistema. 10) Idem ao anterior, para obter uma RAM 512x4 com blocos de estrutura 128x4. 4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling 2 11) Idem ao anterior, para uma RAM 64x6, com blocos de estrutura 32x2. 12) Necessita-se armazenar o conteúdo de uma função matemática em uma memória ROM 8x8. A função a ser armazenada é y x 2 1 , onde x é a entrada de endereços e y é a saída de dados. Faça o mapeamento dessa memória, onde todo o conteúdo deve estar em hexadecimal e o valor de y deve ser mostrado na forma sinal-magnitude em complemento de 2. 13) Projetar um circuito lógico que utilize uma memória ROM 8x1, que produza o sinal periódico abaixo: out 0 1 2 3 4 5 6 7 0 1 2 3 t 14) Projetar um circuito, utilizando uma memória ROM, que produza a forma de onda abaixo. Especificar todos os componentes utilizados, além de fazer o mapeamento da memória integrada ao sistema. Vout t Dados: a. Escala utilizada: 0,3 [V] / 1 [ms] b. Utilizar conversor D/A R-2R, com RO = 4,7 [kΩ]. 15) Combine uma memória RAM 32x3 com memórias RAM 8x2 a fim de obter uma memória RAM 32x5. 4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling 3 16) Projetar um circuito, utilizando uma memória ROM, que produza a forma de onda periódica abaixo. Especificar todo o sistema: tamanho e mapeamento da memória utilizada, projeto do conversor D/A, contador assíncrono com reset automático e cálculo da frequência do sinal de entrada no sistema. O sistema deve possuir o menor hardware possível. Vout t Dados: Escala utilizada: 0,2 [V] / 1,8 [ms] Utilizar conversor A/D R-2R, com RO = 2,7 [kΩ] e Vcc = 6 [V] 4º bimestre 2011 – Exercícios: Memórias| Prof. Marcelo Wendling