PMT-2200 – Ciência dos Materiais DISCORDÂNCIAS Prof. Dr. André Paulo Tschiptschin Cálculo da resistência teórica de um cristal A resistência teórica de um cristal é determinada pela natureza das suas forças interatômicas. Os cálculos dessa resistência podem ser feitos para o cristal submetido a dois estados de tensão diferentes: tensão normal uniaxial a) tensão normal uniaxial b) tensão de cisalhamento Os dois tipos de estados de tensões levam a dois tipos diferentes de falhas: tensão de cisalhamento a) Cisalhamento b) Clivagem Cálculo da resistência teórica de um cristal A resistência teórica de um cristal é determinada pela natureza das forças interatômicas e pode ser calculada, segundo modelo proposto por Orowan, supondo que duas superfícies novas (com energias de superfície associadas) devem ser criadas no interior do cristal. Ao se tentar separar um átomo de sua posição de equilíbrio a0 é necessário superar uma barreira de energia potencial e exercer uma força σmax : σ max ≅ E π sendo E o módulo de Young Cálculo da resistência teórica de um cristal Cálculo da tensão necessária para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro Cálculo da tensão necessária para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro Cálculo da tensão necessária para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro Esquema ilustrativo da posição dos átomos, usado para avaliar a tensão crítica de cisalhamento para o escorregamento de planos. ⇒ τ max G ≅ 5,1 Tensão de cisalhamento máxima teórica é de 3 a 8 ordens de grandeza maior que a observada experimentalmente Cálculo da resistência ao cisalhamento teórica de um cristal Cálculo da tensão necessária para escorregar um plano cristalino sobre outro na presença de uma discordância Discordância em cunha Esquema ilustrativo do rearranjo atômico nas vizinhanças de uma discordância em cunha, sob a ação de uma tensão. Cálculo da tensão necessária para escorregar um plano cristalino sobre outro na presença de uma discordância A tensão calculada levando em conta a alteração da energia dos átomos em função da existência de um defeito é da ordem da observada experimentalmente. A existência de discordâncias foi postulada nos anos 30 por Taylor, baseado nestes cálculos. Variação da energia de reticulado com a posição de uma discordância Comparação entre a tensão teórica e a tensão real As tensões teóricas de cisalhamento e de ruptura calculadas anteriormente são da ordem de GPa. As tensões de ruptura (separação de planos atômicos) observadas em ensaios de materiais frágeis (p.e os materiais cerâmicos) , nos quais logo após o regime elástico, ocorre ruptura, são ordens de grandeza menores que a calculada. Os materias reais podem ter pequenas trincas internas em cujas extremidades ocorre forte concentração de tensões. As tensões teóricas podem ser atingidas nas pontas destas trincas. A teoria de Griffith explica o fato. As tensões de escoamento (escorregamento de planos atômicos) observadas em ensaios de materiais dúteis (p.e grande parte dos materiais metálicos), nos quais logo após o regime elástico ocorre extensa deformação plástica, são ordens de grandeza menores. Antes de a tensão teórica teórica de cisalhamento ser atingida começa a ocorrer movimentação e multiplicação de discordâncias, sob tensões aplicadas muito menores. Estas discordâncias são responsáveis pela deformação plástica do material. Discordâncias em cunha e em hélice Geometria de discordâncias simples. (a) discordância em cunha (b) discordância em hélice Circuito de Burgers e vetor de Burgers Vetor de Burgers e circuito de Burgers: (a) discordância em cunha Î o vetor de Burgers é perpendicular à linha (b) discordância em hélice Î o vetor de Burgers é paralelo à linha Discordâncias mistas Anel de discordância visto em corte mostrando regiões de: (a) discordância em cunha Î vetor de Burgers perpendicular à linha (b) discordância em hélice Î vetor de Burgers paralelo à linha Movimentação de discordâncias Para que uma discordância se movimente é necessário que a linha e o vetor de Burgers estejam contidos no plano de escorregamento. A discordância em cunha anda na direção de aplicação das tensões. A discordância em hélice anda perpendicularmente à direção de aplicação das tensões Criação de um degrau de escorregamento pela movimentação de: a) uma discordância em cunha; b) uma discordância em hélice no plano de escorregamento Movimento relativo de discordâncias Sob a ação da tensão de cisalhamento τ, discordâncias de sinais opostos se movimentam em direções opostas, produzindo escorregamento no mesmo sentido Energia de uma discordância Deformação por cisalhamento associada à discordância em hélice Energia elástica associada à presença de uma discordância em hélice no reticulado Energia elástica associada à presença de uma discordância em cunha no reticulado Modelo geométrico para cálculo da deformação ao redor de uma discordância em hélice Geometria dos campos de tensão e deformação em torno de discordâncias Campos de tensão e de deformação ao redor de (a) uma discordância em cunha e (b) uma discordância em hélice. Tensão de linha Modelo para o cálculo da tensão de linha de uma discordância, quando uma discordância encontra obstáculos B e C e começa a encurvar sob a ação da tensão. Ascensão e escorregamento com desvio de discordâncias Escorregamento com desvio de discordância em hélice (o vetor de Burgers e a discordância devem pertencer simultaneamente a diversos planos de escorregamento) Ascenção de discordâncias em cunha (depende de difusão – processo é ativado termicamente) Escorregamento com desvio de discordâncias Interação entre campos de tensão de discordâncias repulsão atração Reticulado perfeito Lacuna Intersticial Intersticiais Contorno de grão de pequeno ângulo produzido pelo alinhamento de discordâncias em cunha de mesmo sinal Interação entre discordâncias Atração e repulsão entre discordâncias Formação de degraus em discordâncias Exemplo de intereseção de duas discordância em cunha criando uma discordância em degrau Formação de degraus em discordâncias Exemplo de intereseção de duas discordância em cunha criando dois planos de escorregamento em degrau Interação entre discordâncias Formação de degraus com acúmulo de lacunas Movimentação de uma discordância em hélice deixando atrás de si uma fileira de lacunas Reações entre discordâncias Reação entre duas discordâncias parciais formando uma unitária de acordo com a reação: − a a a [211] + [211] → [110] 6 6 2 Reações entre discordâncias formando discordâncias bloqueadas Reação entre duas discordâncias formando uma terceira discordância bloqueada O vetor de Burgers não se encontra nos planos de escorregamento [111]. Multiplicação de discordâncias (Fonte de Frank-Read) Cada segmento da dsicordância anda em direções e sentidos diferentes, determinados pela orientação do vetor de Burgers e da linha. Movimento de uma discordância bloqueada em suas extremidades D e D’, gerando múltiplas discordâncias. Note que os segmentos m e n no anel se anulam por serem de sinais contrários. Multiplicação de discordâncias (Fonte de Frank-Read) Fonte de Frank Read em um cristal de Si Multiplicação de discordâncias (Fonte de Frank-Read) Reações entre discordâncias (Anéis de discordâncias) Formação de anéis de discordãncias em torno de precpitados. Anéis de Orowan Formação de florestas Observação de discordâncias Fotografias de discordâncias (a) vistas de topo por meio de figuras de corrosão em LiF 290X (b) em cristal Na Cl envenenadas com prata 290 X (c) em monocristal de Nb, microscopia eletrônica de transmissão 11600X. Deformação plástica Escorregamento macroscópico em um monocristal Escorregamento em um monocristal de zinco Linhas de escorregamento em liga Cu-2% Al policristalina. 850X. Deformação plástica Esquema ilustrativo de linhas e bandas de escorregamento Sistemas de escorregamento Um sistema de escorregamento é formado por um plano e uma direção de escorregamento. O escorregamento nos cristais ocorre preferencialmente em planos e direções compactas. A Tabela ao lado mostra o número de sistemas de escorregamento existentes nos diversos reticulados cristalinos Tensão de cisalhamento projetada O escorreagmento ocorre no plano e na direção de escorregamento. Para calcular a tensão efetiva para escorregamento devemos projetar a força no plano e na direção Esquema geométrico para cálculo da tensão de cisalhamento projetada Tensão crítica de tração não projetada O escorregamento em um determinado sistema ocorre assim que a tensão crítica projetada atinja um valor crítico para movimentação de discordâncias naquele sistema. A tensão crítica de cisalhamento é atingida em um dos sistemas de escorregamento existentes, iniciando o processo de deformação. Com o aumento da tensão outros sistemas de escorregamento entram em ação. Variação da tensão crítica não projetada com os ângulos φ e λ Encruamento e recuperação em monocristais CFC Estágio 1 - Monocristais CFC possuem 12 sistemas de escorregamento. A deformação inicia com ativação de um único sistema de escorregamento. É um estágio de escorregamento fácil e baixa taxa de encruamento. Estágio 2 - Para ~10% de deformação outros sistemas de escorregamento começam a operar levando ao cruzamento de discordâncias e formação de emaranhados. O encruamento cresce linearmente com a deformação. 0 0,1 0,2 0,3 0,4 Três estágios de deformação em monocristal CFC Estágio 3 - Para ~ 40% de deformação começa a ocorrer rearranjo de discordâncias, com aniquiliação, escorregamento com desvio, ascenção, etc. diminuindo a taxa de encruamento devido à recuperação Encruamento e recuperação em monocristais O Fe CCC com 48 sistemas de escorregamento entra direto no estágio 3 de deformação, pois múltiplos sistemas de escorregamento operam simultânemanete desde o início da deformação. O Cu CFC com 12 sistemas de escorregamento apresenta os três estágios de deformação, conforme discutido anteriormente. Curvas tensão deformação em cisalhamento de monocristais de Mg, Cu e Fe O Mg com estrutura HC possui somente três sistemas de escorregamento, todos no plano basal. As discordâncias se movimentam sempre no mesmo plano e praticamente não sofrem cruzamento. Toda a deformação ocorre no estágio 1 de escorregamento fácil. Encruamento em monocristais Microestrutura típica de Al CFC deformado na temperatura ambiente (a) 2% e (b) 20% Microestrutura típica de ferro CCC deformado na temperatura ambiente (a) 9% e (b) 20% Encruamento e recuperação em monocristais CFC Escorregamento com desvio em monocristal de Cu. 5000X. Encruamento e recuperação em monocristais CFC Formação de um contorno de pequeno ângulo por rearranjo de discordâncias, por ascenção e escorregamento, em um cristal deformado em flexão. Deformação de policristais Quando metais policristalinos são deformados, a deformação plástica em cada grão ocorre em um sistema de escorregamento distinto, gerando incompatibilidae de deformação entre os grãos. Para que haja compatibilidade de deformação entre grãos vizinhos é necessário que haja 5 sistemas de escorregamento independentes em cada grão, condição de Von Mises. Os metais CFC e CCC que possuem respectivamente 12 e 48 sistemas de escorregamento preenchem essa condição. Os metais hexagonais (p.e Mg), com apenas três sistemas de escorregamento apresentam baixa dutilidade por não preencherem a condição de Von Mises Deformação de policristais Curvas tensão-deformação para policristais (a) dútil e (b) frágil . Curvas tensão-deformação para monocristais CFC . A necessidade de operação de 5 sistemas de escorregamento independentes em cada grão, desde o início da deformação, faz com que a curva tensão deformação de policristais apresente aspecto semelhante à do estágio 3 da curva de monocristais CFC, devido à forte interação e cruzamento de discordâncias, escorregamento com desvio, rearranjo e aniquiliação, etc.