ELETRÔNICA II – 2317A – PROF. ALCEU FERREIRA ALVES – 23/04/2009 1ª LISTA DE EXERCÍCIOS – AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA CLASSES A e B 1) Considere βcc=100 no circuito da Fig. 1a, desenhe a reta de carga ca e calcule a compliance ca de saída. 2) No circuito da Fig. 1b, desenhe a reta de carga ca e calcule a compliance ca de saída. 3) Qual a compliance ca de saída para o circuito da Fig 1c? 4) Desenhe a reta de carga ca para o circuito da Fig. 1d. Calcule a compliance ca de saída. 5) Qual a compliance ca de saída para o primeiro estágio do circuito da Fig. 2? Desenhe a reta de carga ca para o segundo estágio. (Considere β2 = 200) 6) Se βcc=125 na Fig. 1b, calcule Av, Ai, AP, PL(máx), PD, IF, PF e η. 7) Repita o exercício anterior para o circuito da figura 1d. (Considere βcc=125) 8) Na Fig. 2, calcule a corrente drenada cc total. 9) Qual a eficiência do segundo estágio na Fig. 2? 10) A reta de carga ca de um seguidor de emissor push-pull classe B tem uma corrente ca de saturação de 250mA e uma tensão de corte de 10V. Qual a compliance ca de saída? Se a resistência de carga for de 50Ω, qual a potência máxima de carga? Qual a potência máxima dissipada pelo transistor? 11) Desenhe a reta de carga ca para o circuito da Fig. 3a. Qual a compliance ca de saída? Qual a potência máxima de carga? No pior caso, qual a potência máxima dissipada pelo transistor? 12) Na Fig. 3a, R é ajustada para se obter uma VBE de 0,68V e uma ICQ de 20mA. Qual a corrente drenada cc sem sinal do estágio? Qual a corrente drenada a pleno sinal? Qual a eficiência do estágio? 13) Depois de ajustar R na Fig. 3a, VBE=0,66V e ICQ=5mA. Se a temperatura do transistor aumentar de 25°C para 55°C, qual o novo valor de ICQ? 14) Na Fig. 3b, qual a corrente através dos resistores de polarização? Se as curvas do diodo forem casadas com as curvas de VBE, qual o valor de ICQ? 15) A tensão de alimentação da Fig. 3b muda de 15V para 25V. Qual o valor de ICQ? 16) Na Fig. 4, qual o valor de R capaz de produzir VCEQ=10V para cada transistor de saída? (Use 0,7V para a queda dos diodos compensadores). 17) O amplificador da Fig. 4 tem quedas iguais através dos transistores de saída. Calcule a tensão para cada nó no amplificador. 18) Calcule a PL(máx) e a PD(máx) aproximadas para o estágio de saída da Fig. 4. 19) Qual o valor de ICQ no estágio de saída da Fig. 4? 20) Qual a máxima corrente drenada cc da Fig. 4? 21) Você acabou de montar um circuito como o da Fig. 3a. Ajustou R para obter uma ICQ de 20mA. Cinco minutos depois, verificou o circuito e descobriu que o transistor superior foi danificado. Explique o que aconteceu e como você pode explicar o problema. 22) O amplificador da Fig. 2 não está funcionando. Além disso, a corrente de alimentação está mais alta do que deveria, pois um amperímetro em série com a alimentação de 15V indica aproximadamente 5,6mA. Qual a possível causa do problema: a. C1 em curto b. C3 em curto c. Terminais de coletor-emissor em curto no primeiro estágio d. C4 aberto 23) Alguém está pretendendo obter a polarização de diodo com o circuito da Fig. 3b usando dois 1N914, um 2N3904 e um 2N3906. Se ICQ for de 25mA, o que há de errado? 24) Sob condições de sinal completo, a tensão de pico a pico através da carga de 50Ω da Fig. 4 é zero. Qual a causa provável? a. Capacitor de acoplamento da entrada em curto b. Tensão de alimentação de somente 15V c. Resistor de carga aberto d. Resistor de carga em curto 25) Posicione o ponto Q ótimo na Fig. 1b para obter a máxima compliance ca na saída. Use βcc=100 26) Projete novamente o divisor de tensão do segundo estágio na Fig. 2 para obter a máxima compliance ca na saída. 27) Na Fig. 3b, as curvas do diodo casam com as curvas VBE. Escolha as resistências de modo a criar uma ICQ de 5mA. 28) Projete um amplificador como o da Fig. 4 que preencha estas especificações: Vcc=9V e RL=3,2Ω. +30V +10V 10kΩ 20kΩ 10kΩ 1kΩ 1MΩ 10kΩ ~ 30kΩ 10kΩ ~ 10kΩ FIGURA 1a FIGURA 1b +10V +10V 1kΩ 100 Ω 1kΩ 900Ω 100Ω ~ ~ 5Ω 1k Ω 6kΩ 4kΩ 3kΩ 200Ω -10V FIGURA 1c FIGURA 1d +15V 15kΩ 20kΩ 3,3kΩ C2 2kΩ 2N3904 2N3904 C4 C1 ~ 5 mV 20kΩ 2,5kΩ 8,2kΩ 1kΩ C3 FIGURA 2 1,5kΩ +15V +20V 620Ω 470Ω Ventr R 10Ω 620Ω 470Ω FIGURA 3a FIGURA 3b +20V 680Ω 10kΩ 820Ω 1kΩ Ventr 5,1kΩ 1kΩ R 50Ω 50Ω FIGURA 4 Respostas: 1) corte CA = 8.797V; sat CA = 1.1793mA ; PP = 6.94V – 2) corte CA = 16.05V; sat CA = 3.21mA ; PP = 9.3V – 3) 5.2V – 4) corte CA = 10.473V; sat CA = 110.24mA ; PP = 8.166V – 5) PP1 = 7.16V; corte CA2 = 9.25V; sat CA2 = 7.295mA – 6) -186; 125; 23.250; 1.08mW; 10.6mW; 1.93mA; 57.9mW; 1.87% – 7) -16.21; 125; 2026.6; 9.26mW; 279.61mW; 45.37mA; 907.32mW; 1.02% – 8) 3.5mA – 9) 2.04% – 10) 20V; 1W; 0.2W– 11) VCEQ=10V; ICSAT(CA)=1A; PP=20V; 5W; 1W – 12) 39.83mA; 338.14mA; 73.9% – 13) 50mA – 14) 10.97mA; 10.97mA – 15) 19mA – 16) 74.33Ω – 17) VB1=6.75V; VE1=6.05V; VC1=15.03V; VB2=1.38V; VE2=0.684V; VC2=9.3V; VB3=10.7V; VE3=10V– 18) 1W; 0.2W – 19) 13.68mA – 20) 103.33mA – 21) Ocorreu deriva térmica – 22) c – 23) VF dos diodos muito maior que VBE dos transistores. – 24) d – 25) R1=13622Ω – 26) R1=1912.1Ω – 27) R=1360Ω – 28) Projeto. Prof. Alceu Ferreira Alves 23/04/2009