FOTODIODO PIN DE SILÍCIO PHFD186
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FOTODIODO PIN DE SILÍCIO PHFD186 VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (T=25oC) VR PD Top Tstg (tensão reversa) (potência de dissipação) (temperatura de operação) (temperatura de armazenagem) 30 150 - 30 a + 60 - 40 a + 60 V mW oC oC CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E ÓTICAS (T=25oC) mín Vo (tensão em aberto) (Ee=0,5mW/cm2 , λ p=950nm) Is (corrente de curto-circuito) (Ee=1mW/cm2 , λ p=950nm) Cj (capacitância) (VR=3V , f=1MHz , E=0) IR (corrente reversa no escuro) (VR=10V) λ p (sensibilidade de pico) típ máx unid 350 mV 40 20 1 950 µΑ pF nA nm 30 CARACTERÍSTICAS DE CHAVEAMENTO tr e tf (VR=10V , RL=1kΩ Ω) DIMENSÕES FÍSICAS (em mm) Especificações Técnicas phfd186 - 09/99 50 ns
