FOTODIODO PIN DE SILÍCIO PHFD186

FOTODIODO PIN DE SILÍCIO
PHFD186
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (T=25oC)
VR
PD
Top
Tstg
(tensão reversa)
(potência de dissipação)
(temperatura de operação)
(temperatura de armazenagem)
30
150
- 30 a + 60
- 40 a + 60
V
mW
oC
oC
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E ÓTICAS (T=25oC)
mín
Vo (tensão em aberto) (Ee=0,5mW/cm2 , λ p=950nm)
Is (corrente de curto-circuito)
(Ee=1mW/cm2 , λ p=950nm)
Cj (capacitância) (VR=3V , f=1MHz , E=0)
IR (corrente reversa no escuro) (VR=10V)
λ p (sensibilidade de pico)
típ
máx
unid
350
mV
40
20
1
950
µΑ
pF
nA
nm
30
CARACTERÍSTICAS DE CHAVEAMENTO
tr e tf (VR=10V , RL=1kΩ
Ω)
DIMENSÕES FÍSICAS (em mm)
Especificações Técnicas phfd186 - 09/99
50
ns