Microeletrônica Germano Maioli Penello http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/ Sala 5145 (sala 17 do laboratorio de engenharia elétrica) Aula 12 1 Resistores, capacitores e MOSFETs Já vimos todas as camadas (máscaras) responsáveis pelo processamento de dispositivos. Neste momento, veremos em mais detalhes os leiautes de resistores, capacitores e MOSFETs. 2 Resistores Os valores dos resistores e capacitores em um processo CMOS são dependentes da temperatura e da tensão (~10-6/oC). Coeficiente de temperatura R aumenta com a T Coeficiente de temperatura de primeira ordem TCR1 também varia com a temperatura! 3 Resistores Cálculo SPICE (termo quadrático): No cálculo a mão, consideramos TCR2 = 0 4 Exercício 5 Exercício 6 Resistores A resistência sempre aumenta com a temperatura? Mas o aumento da temperatura não causa um aumento de portadores livre? Mais portadores livres não causariam uma resistência menor? 7 Resistores A resistência também se altera com a aplicação de tensão. O coeficiente de tensão é dado por VCR: V é a tensão média aplicada nos terminais do resistor. Este fenômeno é observado principalmente por causa da largura da região de depleção entre o poço-n e o substrato que altera a resistência de folha. 8 Exercício 9 Exercício Bem menor que a variação devido a temperatura 10 Exemplo Divisor de tensão. Relacionar Vout e Vin 11 Exemplo Divisor de tensão. Relacionar Vout e Vin Em função da temperatura: Independente da temperatura! 12 Exemplo Divisor de tensão. Relacionar Vout e Vin Em função da temperatura: Em função da tensão: Com e Independente da temperatura! Dependente da tensão! 13 Resistores Elemento unitário Vantagens em utilizar elementos unitários: • Precisão sobre uma alta faixa de temperatura • Evitar erros devido aos cantos da serpentina • Variação da resistência nominal não afeta a tensão num divisor de tensão 14 Resistores Guard ring Todo circuito de precisão está sujeito a ruídos do substrato (corrnete em circuitos adjacentes influenciando os vizinhos) Guard ring num resistor O guard ring (implantação de p+ entre os circuitos) é um método simples de reduzir o ruído. • Mantém o potencial em volta do circuito • Protege o circuito de injeção de portadores indesejadas vindas do substrato. 15 Resistores Leiaute interdigitated O casamento de valores entre os resistores pode ser melhorado com o design abaixo Variações devido ao processo em diferentes regiões do substrato são minimizadas Note que a orientação dos resistores é a mesma (vertical) Os resistores tem essencialmente os mesmos efeitos parasíticos. 16 Resistores Leiaute common-centroid (centro comum) O casamento de valores entre os resistores pode ser melhorado também com o design abaixo Variações devido ao processo em diferentes regiões do substrato são minimizadas Note que a orientação dos resistores é a mesma (vertical) Os resistores já não tem essencialmente os mesmos efeitos parasíticos. 17 Resistores Leiaute common-centroid (centro comum) vs. interdigitated Resistor A teria 20W e B teria 16W Resistor A teria 18W e B teria 18W. Melhor casamento entre os resistores 18 Exercício 19 Exercício 20 Resistores Leiaute common-centroid (centro comum) O Leiaute common-centroid melhora o casamento de MOSFETs e capacitores também! 21 Resistores Elementos dummy (falso, postiço) Difusão desigual devido a variações de concentração de dopantes levaria a um descasamento entre elementos. O elemento dummy não tem função elétrica nenhuma, ele é normalmente aterrado ou ligado ao VDD em vez de ficarem flutuando. 22