Gabarito_da_LISTA4

Página 1
Prof. Lucio
Física para Ciência da Computação - FCC
Gabarito da LISTA 4
1.
a) A banda de valência (BV) é parcialmente preenchida e a diferença de energia entre a BV e a banda de
condução (BC) é pequena.
b) A BV é totalmente preenchida, e a diferença de energia entre BV e BC é grande.
c) A BV é totalmente preenchida, e a diferença de energia entre BV e BC é intermediaria.
2. Pelo fato de que o numero de elétrons por camada vai aumentando de dentro para fora, e num sólido, há uma
sobreposição de níveis de energia, formando uma banda de energias permitidas.
3.
a) O silício puro é um semicondutor e torna se isolante para temperatura muito próximo de 0 Kelvin.
b) A temperatura elevada, o silício torna-se um condutor razoável;
4. Todos da família 5A da tabela periódica: N, As, Sb, Bi.
5.
a) Tipo n, b) tipo p, c) tipo p, d) tipo n
6. Faz o papel de carga portadora positiva na BV.
7. Pelo fato que a impureza utilizada é do tipo doadora de elétrons da família 5 A da tabela periódica, e sobra
elétrons na BC.
8. Significa que o pólo positivo da bateria está ligado no semicondutor tipo p, e o pólo negativo da bateria no do
tipo n, da junção p-n.
9. 1º quadrante: Região direta, a corrente aumenta abruptamente a partir de uma certa voltagem, chamada de
“joelho”. 2º quadrante: não há corrente. 3º quadrante: Região reversa e ruptura. 4º quadrante: não há corrente.
10. Dispositivo controlador de intensidade da corrente que possui três terminais: emissor, base, coletor.
11.
Transistor bipolar: A corrente no coletor é controlada, enquanto a corrente de base é o mecanismo
controlador. Cada uma das junções do transistor se comporta como diodo de junção.
Transistor FET: A intensidade da corrente é controlada por meio de uma tensão. Existem dois tipos de
FET; JFET – Transistor de efeito de campo de junção; MOSFET – Transistor de efeito de campo metal –
oxido - semicondutor.
12.
Região de corte: base - emissor e base - coletor em polarização reversa (PR), não há circulação de corrente.
Região de saturação: base – emissor e base - coletor em polarização direta (PD), há circulação de corrente
pelas duas junções.
Região Ativa Direta (RAD): base - emissor (PD) e base – coletor (PR).
Região Ativa Reversa (RAR): base – emissor (PR) e base – coletor (PD).
13.

Página 2
Prof. Lucio
Física para Ciência da Computação - FCC

34
8


hc
hc
6
,
63

10
J
.
s
.
3

10
m
/
s 
1
eV
19


E

 

6
,
74

10
J
.

4
,
2
eV




9

19
E
295

10
m
1
,
602

10
J


14.


34
8


hc
6
,
63

10
J
.
s
.
3

10
m
/
s
1
eV

7


.

2
,
269

10
m

226
,
9
nm





19
E
5
,
47
eV
1
,
602

10
J


ultravioleta
15. Determine o estado (condução e polarização) e a corrente dos diodos D1 (de silício) e D2 (germânio) do circuito
abaixo:
5
V
+ 20V
-
2
1
Vd2
1
Vd1
16. Determine o estado e a corrente dos diodos do circuito abaixo. Todos os diodos são de silício.
2
10V
+
-
Vd1
1
Vd2
1
Vd3
17. Determine o estado e a corrente dos diodos do circuito abaixo. Todos os diodos são de silício. Refaça a análise
substituindo a fonte de 10V por uma de -10V. Refaça a análise substituindo a fonte de 10V do circuito original
por uma de 5V.
Vd3 5
1 Vd1
2
5V
+
-
Vd2
+ 10V
-