Aula 17 - LEE

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Microeletrônica
Germano Maioli Penello
http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/Microeletronica%20_%202015-1.html
Sala 5145 (sala 17 do laboratorio de engenharia elétrica)
Aula 17
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Modelos para projetos digitais
Após ver alguns detalhes da fabricação dos MOSFETs, agora veremos modelos
que utilizaremos em designs digitais
De uma forma simples, o MOSFET é analisado em
projetos digitais como uma chave logicamente controlada.
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Modelos para projetos digitais
Efeito Miller
Neste exemplo, a capacitância vista pela fonte de entrada e de saída é o
dobro da capacitância conectada entre a entrada e a saída
Usaremos este resultado para construir um modelo de MOSFET para análise
digital.
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Modelo de MOSFET digital
Resistência de chaveamento efetiva
Como estimar
uma resistência
para este
resultado?
Inverso da inclinação da reta
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Modelo de MOSFET digital
Resistência de chaveamento efetiva
Modelo inicial para um MOSFET chaveando
Limitação desse modelo: Consideração feita que o tempo de subida e de
descida é zero. O ponto que define a chave aberta e fechada é bem definido.
Usado para cálculo a mão, apresentam resultados dentro de um fator de dois
do resultado obtido por simulação ou pela experiência.
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Modelo de MOSFET digital
Resistência de chaveamento efetiva
O modelo feito aqui não inclui a redução da mobilidade observada em
dispositivos submicron. Um melhor resultado é obtido através de valores
medidos ou simulados:
NMOS de canal longo (fator de escala de 1 mm e VDD = 5V)
PMOS de canal longo (fator de escala de 1 mm e VDD = 5V)
mobilidade elétron é maior que a do buraco
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Modelo de MOSFET digital
Resistência de chaveamento efetiva
MOSFETs de canal curto não seguem a lei quadrática para a corrente!
Usamos a corrente Ion para estimar a resistência
NMOS de canal curto (fator de escala de 50 nm e VDD =1V)
PMOS de canal longo (fator de escala de 1 mm)
Equações reescritas para incluir L
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Modelo de MOSFET digital
Efeitos Capacitivos
Adicionando efeitos das capacitâncias no modelo
Cox é a capacitância na região de triodo (superestimado para facilitar as
contas à mão – cálculo melhor é feito com simulações)
Capacitância é vista como 2(Cox/2) = Cox
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Modelo de MOSFET digital
Efeitos Capacitivos
Adicionando efeitos das capacitâncias no modelo
Modelo
melhorado
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Modelo de MOSFET digital
Resumo
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Tempo de transição e de atraso
Relembrando
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Tempo de transição e de atraso
Tempo de subida - tr
Tempo de subida da saída- tLH
Tempo de descida- tf
Tempo de descida da saída- tHL
Tempo de atraso low to high - tPLH
Tempo de atraso high to low - tPHL
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Tempo de transição e de atraso
No nosso modelo digital:
Ctot = capacitância total entre o dreno e o terra.
Modelo simplificado para ser usado no cálculo a mão apenas!
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Exemplo
Descarga
Carga
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Exemplo
Descarga
Carga
Canal longo
Canal curto
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Exemplo
Descarga
Carga
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Exemplo
Simulação
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Projeto digital
Por que NMOS e PMOS têm tamanhos diferentes?
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Projeto digital
Por que NMOS e PMOS têm tamanhos diferentes?
Casamento da resistência de chaveamento efetiva
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MOSFET pass gate
NMOS é bom para
passar sinal lógico 0
NMOS não é bom
para passar sinal
lógico 1
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MOSFET pass gate
NMOS é bom para
passar sinal lógico 0
NMOS não é bom
para passar sinal
lógico 1
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MOSFET pass gate
Em uma análise complementar, observamos que
PMOS não é bom
para passar sinal
lógico 0
PMOS é bom para
passar sinal lógico 1
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Atraso num pass gate
Capacitância na entrada
Capacitância na saída
Podemos estimar o atraso pela capacitância de saída:
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Atraso num pass gate
Exemplo:
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Atraso num pass gate
Valor calculado diferente do medido (simulado)!
Cálculo manual fornece resultados aproximados e ajuda a indicar o local da
limitação de velocidade num circuito digital, mas não fornece um resultado exato!
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Transmission gate
Acoplar um NMOS e um PMOS
Desvantagens:
Aumento de área utilizada no leiaute
Dois sinais de controle
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Atraso em conexão de
pass gates
Equação de uma linha de transmissão (aula 8)
10x NMOS (50 nm) em série  tdelay ~
= 74ps
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Medidas
Comentário sobre medidas com osciloscópios
Por que usar a ponta de prova em vez de um fio simples?
Cabo coaxial
Ponta de prova
Impedância do osciloscópio
O cabo coaxial introduz uma capacitância significativa no circuito de medida.
O cabo (1m) e o osciloscópio têm em conjunto uma capacitância de 110pF.
Todo ponto medido sofrerá o efeito desta capacitância e da resistência do osciloscópio
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Medidas
Comentário sobre medidas com osciloscópios
Por que usar a ponta de prova em vez de um fio simples?
Ponta de prova
Cabo coaxial
Impedância do osciloscópio
Para evitar isso, a ponta de prova tem um capacitor e um resistor acoplados
(ponta de prova compensada).
RC da ponta de prova é 9x a impedância do cabo em conjunto com o osciloscópio
para que exista um divisor de tensão de 10:1 em toda frequência de interesse.
Se, em vez de medir com a ponta de prova, tentarmos medir com um cabo ligado
direto no osciloscópio, não teremos bons resultados para frequências altas
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Inversor CMOS
Bloco de construção fundamental para a circuitos digitais
Analise o circuito quando a entrada está em estado lógico alto.
Repita esta análise para a entrada em estado lógico baixo.
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Inversor CMOS
Bloco de construção fundamental para a circuitos digitais
A dissipação de potência estática do inversor é praticamente zero!
O NMOS e o PMOS podem ser projetados para ter as mesmas características
O gatilho de chaveamento lógico pode ser alterado com o tamanho dos MOSFETs
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Inversor CMOS
Características DC
Característica de transferência de tensão
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Inversor CMOS
Características DC
Característica de transferência de tensão
Pontos A e B definidos pela inclinação da reta igual a -1
Ventrada < VIL  estado lógico 0 na entrada
Ventrada > VIH  estado lógico 1 na entrada
VIL < Ventrada < VIH  não tem estado lógico definido
Situação ideal  VIH - VIL = 0
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Inversor CMOS
Características DC
VTC - Característica de transferência de tensão
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Inversor CMOS
Características DC
VTC - Característica de transferência de tensão
Importante – Se o sinal não varre totalmente os limites inferiores e superiores
da tensão uma corrente significativa passa pelo inversor! (potência dissipada!)
O mesmo fenômeno é significativo se o transistor chaveia lentamente.
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Inversor CMOS
Ruído
Os limites de ruído indicam quão bem o inversor opera em condições ruidosas.
Caso ideal:
Se
Caso ideal:
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Inversor CMOS
Ponto de chaveamento do inversor (VSP)
Os dois transistores estão na região de saturação e a mesma corrente passa por eles
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Inversor CMOS
Limite de ruído e VTC ideais
Nesta situação idealizada, os MOSFETs nunca estão ligados em um mesmo instante
Limites de ruídos iguais garante melhor performance
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Exemplos
Se bn/bp = 1, temos VSP = VDD/2
Desenhando MOSFETs
com mesmo L
Mesmo resultado eu
obtivemos para fazer
Num MOSFET de canal longo
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Trabalho
Perdeu ponto quem incluiu erros no texto!
Ex:
.include/pasta
- isso está errado! Você deve incluir arquivo, não pasta!
.include/pasta/arquivo.txt - correto!
Perdeu ponto quem escreveu em unidades de l e não incluiu a escala!
.options scale = 50 n
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Projetos
•
•
•
•
•
•
•
•
Somador completo de dois bits
Subtrator completo de dois bits
Flip flop D edge triggered
Flip flop T edge triggered
Flip flop SR com saida tristate
Quad 2-input MUX
Ring oscillator
Schmidt trigger
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Download