Configurações básicas TJB - revisão Emissor comum (EC): Elevados ganhos de tensão e corrente; Resistências de entrada de valor moderado; Resistências de saída de valor elevado. Resposta em freqüência relativamente pobre. EC com resistência no emissor: A resistência de entrada Ri aumenta de (1 + gm Re). Para a mesma distorção não-linear, podemos aplicar um sinal (1 + gm Re) vezes maior. O ganho de tensão é reduzido. O ganho de tensão é menos dependente do valor de b (particularmente quando Ri é pequeno). A resposta em altas freqüências é melhorada significativamente. Configurações básicas TJB – revisão (2) Base comum (BC): Resistência de entrada muito baixa. Ganho de corrente próximo de um (buffer ou isolador de corrente – aceita um sinal de entrada de corrente em uma resistência de entrada baixa (re) e fornece uma corrente praticamente igual a uma alta impedância no coletor (a impedância de saída desconsiderando-se RC é infinita). Resistência de saída determinada por RC. Ganho de tensão que depende consideravelmente da resistência de fonte RS. Boa resposta em altas freqüências. Configurações básicas TJB – revisão (3) Coletor comum (ou seguidor de emissor) Elevada resistência de entrada. Baixa resistência de saída. Ganho de tensão que é menor e muito próximo da unidade. Ganho de corrente relativamente elevado. A configuração CC é adequada, portanto, para aplicações nas quais uma elevada resistência de fonte deve ser conectada a uma carga de baixo valor o seguidor de emissor atua como um isolador (buffer). Sua baixa resistência de saída torna-o útil como último estágio de um amplificador de múltiplos estágios, em que o objetivo deste último estágio não é aumentar o ganho de tensão, mas fornecer uma baixa resistência de saída. Leiam com atenção o final do item que trata a respeito do seguidor de emissor, em particular a questão da máxima excursão permissível para o sinal de saída. TJB como chave – corte e saturação A região de corte vI < 0,5 V (aproximadamente) JEB conduzirá uma corrente desprezível. JCB está reversamente polarizada (VCC é positivo). O TJB estará no modo de corte. iB = 0; iE = 0; iC = 0; vC = VCC TJB como chave – corte e saturação (2) A região ativa vI > 0,5 V (aproximadamente). Para ter uma corrente apreciável circulando vBE 0,7 V vI > 0,7: vI VBE vI 0,7 iB ; iC b iB aplica-se somente se o RB RB dispositivo estiver no modo ativo Supondo que o dispositivo esteja no modo ativo: vC = VCC – RC iC Verificar se vCB 0 Verificar se vC 0,7 (vC < 0,7 região de saturação). vI = 0 iB iC vC Se vCB < 0 (vC < vB) região de saturação. TJB como chave – corte e saturação (3) A região de saturação Saturação: quando se tenta forçar uma corrente no coletor maior do que o circuito do coletor é capaz de fornecer enquanto se mantém a operação no modo ativo. A corrente máxima que o coletor “pode exigir” sem que o transistor saia do modo ativo vCB = 0. ˆ ˆI C VCC VB VCC 0,7 Iˆ I C iB vI VBE vI necessário B RC RC RB b Se iB for aumentado acima de IˆB , iC aumentará e vC cairá para um valor abaixo da base. Este comportamento continua até a JCB se torne diretamente polarizada, com a tensão de polarização direta com cerca de 0,4 a 0,6 V A JCB conduzirá vC = ? TJB como chave – corte e saturação (4) A região de saturação (continuação) JCB: diretamente polarizada, com a tensão de polarização direta com cerca de 0,4 a 0,6 V A JCB conduzirá vC será grampeada em cerca de meio volt abaixo da tensão de base. (A queda de tensão direta da junção coletor-base é pequena porque a JCB tem uma área relativamente grande). Saturação qualquer aumento em iB resultará em um aumento muito pequeno de iC, correspondendo a um aumento muito pequeno na tensão de coletor vC . Na saturação, o b incremental (isto é, DiC / DiB) é muito pequeno, desprezível. Qualqur corrente “extra” que se tentar forçar no terminal de base em sua maior parte circulará através do terminal de emissor. A relação entre a iC e iB de um transistor saturado não é igual a b e pode ser ajustada para qualquer valor desejado – menor do que b – simplesmente forçando mais corrente pela base. TJB como chave – corte e saturação (5) A região de saturação (continuação) Suponha que o transistor esteja saturado. O valor de VBE de um transistor saturado é usualmente um pouco maior do que o do dispositivo operando no modo ativo. No entanto, por simplicidade, assuma que VBE permaneça próximo de 0,7 V mesmo estando saturado. Saturação vB > vC em cerca de 0,4 a 0,6 V vC > vE em cerca de 0,3 a 0,1 V VCEsat 0,2 V. TJB como chave – corte e saturação (6) A região de saturação (continuação) Saturação vB > vC em cerca de 0,4 a 0,6 V vC > vE em cerca de 0,3 a 0,1 V VCEsat 0,2 V. (Observação: se for forçada mais corrente pela base, o transistor será levado a uma saturação “intensa” e a polarização direta da JCB aumentará e, portanto, VCEsat diminuirá). Saturação iC constante = ICsat ICsat = (VCC – VCEsat ) / RC . A fim de garantir que o transistor seja levado à saturação, deve-se forçar a corrente de base de pelo menos: I Csat EOS: edge of saturation: início de saturação. I B ( EOS ) b Costuma-se projetar o circuito de modo que IB seja maior do que IB(EOS) por um fator de 2 a 10 fator de saturação forçada (overdrive factor): bforçado = ICsat / IB . O modelo para o TJB saturado VBE 0,7 V VBE 0,7 V (a) npn VCEsat 0,2 V (b) pnp Cálculos rápidos e aproximados: VBE e VCEsat = 0 (os três terminais em curto-circuito). Exemplo 4.13 Analise o circuito da figura 4.51 (o mesmo do exemplo 4.3) para determinar as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Suponha que o b do transistor seja especificado como sendo pelo menos igual a 50. 4 (10 - 5,5) / 4,7 = 0,96 mA +6V +6V 1,6 – 0,96 = 0,64 mA +5,3 + 0,2 = 5,5 V 3 6 – 0,7 = +5,3 V 5,3/3,3 = 1,6 mA Supondo que o transistor esteja saturado: VE IE ; VC = VE + VCEsat ; IC ; IB = IE – IC O transistor está realmente saturado. O transistor está operando com: bforçado = 0,96 / 0,64 = 15 < bmínimo especificado Exemplo 4.14 O transistor da 4.52 tem como especificação um b na faixa de 50 a 150. Encontre o valor de RB que resulta em uma saturação com um fator de saturação forçada de pelo menos 10. Transistor saturado: VC = VCEsat = 0,2 V. 1 kW RB IC sat = (+10 – 0,2) / 1k = 9,8 mA IB(EOS) = IC sat / bmin = 9,8 / 50 = 0,196 mA ( IB mínimo para saturar o transistor com o menor valor de b) Para um fator de saturação forçada de 10, IB deve ser: IB = 10 0,196 = 1,96 mA Portanto, é necessário um valor de RB tal que: RB = 4,3 / 1,94 = 2,2 kW Exemplo 4.15 Analise o circuito da figura 4.53 para determinar as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. O valor mínimo especificado para b é de 30. Exemplo 4.16 Determine todas as tensões nodais e todas as correntes nos ramos do circuito da figura 4.54. Suponha b = 100.