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Micro Controladores
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Introdução
As EEPROM’s podem ser apagadas e programadas através da aplicação de impulsos
eléctricos. Este tipo de dispositivos também é designado por EAROM ( Electrically Alterable
ROM). Dado que podem ser programadas e apagadas electricamente, as EEPROM’s podem
ser rapidamente apagadas e reprogramadas no próprio circuito onde inseridos.
Existem dois tipos de EEPROM’s:
1.
2.
As MOS de porta flutuante;
As MNON (metal-nitride-oxide-silicon).
Neste tipo de memória podemos escrever e ler mas para isso precisamos mas para isso
precisamos de quatro funções especiais – Special Function Registers (SFR).
Mas a característica mais importante desta memória é que não perde o seu conteúdo
quando há uma quebra de energia. Na prática significa que o que foi escrito lá
permanecerá.
Os dados permanecerão na EEPROM sem qualquer energia durante 40 anos (dependendo
do fabrico do micro controlador).
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Estrutura de uma célula
de memória UV EEPROM
Estrutura de uma EEPROM
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Conclusão
Um exemplo de um parâmetro, é uma dada
temperatura, fornecida a quando da programação, de
um regulador de temperatura, para alguns processos.
Se os dados não fossem retidos seria necessário
ajustar a dada temperatura depois de cada corte de
energia.
Visto que tal acção é impraticável (e até perigosa), os
fabricantes de micro controladores começaram a
instalar pequenos tipos de memória EEPROM.
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PIC16F84
No PIC16F78 a memória
EEPROM tem 64 bytes e
localiza-se nos endereços de
00h até 63h.
Apresente aqui uma lista dos
locais ou contactos para análise
competitiva (ou outros
documentos relacionados)
PARA MAIS INFORMAÇÕES...
Ver pág. 7 do Data Sheet…
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PIC16F84 (Continuação)
Na memoria EEPROM as STR encontram-se localizadas um espaço
especial de memória e podem ter acesso através de um registo
especial. Esses registos são:
1.
EEDATA – no endereço 08h, os dados contidos aqui podem ser lidos e
escritos.
1.
EEADR – no endereço 09h, que contêm os endereços da localização da
EEPROM.
1.
EECON1 – no endereço 88h, que contêm o controlo dos bits.
1.
EECON2 – no endereço 89h. Este registo não existe fisicamente e serve
para proteger a EEPROM de escritas acidentais.
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EECON1 Register
O registo EECON1 do endereço 88h é um registo controlo com 5 bits
implementados.
Os bits 5, 6 e 7 não são usados e o 0 é o único de ler.
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EECON1 (continuação)
O bit 0 RD (Read Control Bit)
Permite a transferência de dados do endereço definido no EEADR para EEDATA.
Mas o processo de leitura não é tão básico quanto o de escrita de dados para o
EEDATA, logo utilizam-se as seguintes instruções:
1 = Inicia a leitura
0 = Não inicia a leitura
O bit 1 WR (Write Control Bit)
Permite a escrita de dados de EEDATA para o endereço definido pelo EEADR.
1 = Inicia a escrita
0 = Não inicia a escrita
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EECON1 (continuação 2)
O bit 2 WREN (EEPROM Write Enable Bit)
Caso este bit não existisse o micro controlador não permitiria a escrita no
EEPROM.
1 = Autoriza a escrita
0 = Não autoriza a escrita
O bit 3 WRERR (Write EEPROM Error Flag) – Erros durante a escrita do EEPROM
Este bit só é utilizado caso, na escrita do EEPROM hajam quebras de sinal ou
por ter corrido antes do tempo no “watchdog timer” (se activado).
1 = Se ocorrer um erro
0 = Se não ocorrer um erro
O bit 4 EEIF (EEPROM Write Operation Interrupt Flag Bit)
Bit usado para informar se a escrita do EEPROM já terminou.
Quando a escrita estiver terminada, este bit será automaticamente activado.
Após a programação dever-se-á limpar/apagar o EEIF bit, em caso de uma
possível futura programação.
1 = Escrita terminada
0 = Escrita não terminada ou não iniciada
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Reading from EEPROM Memory
Para iniciar o RD bit transfere-se os dados dos endereços do EEADR para
o EDATA.
Nos dados de leitura nós não necessitamos de muito tempo para os
escrever, os dados retirados da EEDATA podem ser usados nas seguintes
instruções:
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Writing to EEPROM Memory
Para escrever dados na EEPROM, o programador tem que primeiro
escrever os endereços na EEADR registos e dados na EEDATA
registos. Só depois é necessário activar o bit WR que activará todas
as acções.
Se o bit WR for interrompido o bit EEIF continua a escrever. Isto
pode ser usado em processos que foram interrompidos.
Os endereços 55h e AAh são a1ª e 2ª chave para que não ocorram
acidentes enquanto se escreve na EEPROM. Estes dois valores são
escritos na EECON2 que serve o único propósito de receber estes
dois valores e prevenir qualquer acidente durante o processo de
escrita na memoria da EEPROM.
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(continuação)…
As linhas 1, 2, 3 e 4 devem ser executadas nesta ordem e no mesmo
intervalo de tempo.
Daí que, é muito importante desligar os interruptores que possam modificar
os tempos necessários para executar as inscrições. Depois de escrever
podem-se voltar a ligar os interruptores.
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Trabalho realizado
por:
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David
Luís
Joana
Sergio
MicroProcessadores
20/03/03