Capitulo 3 Diodos 1 REOF. ELETRÔNICA I (PSI3321) 2o. Semestre de 2016 Livro Texto: Sedra&Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson, 2007, (tradução da 5a. Ed. em inglês).Aula Matéria da Primeira Prova Capítulo/página 1ª 02/08 2ª 04/08 3ª 09/08 4ª 11/08 5ª 16/08 6ª 18/08 7ª 23/08 8ª 25/08 9ª 30/08 Introdução, O primeiro Amp Op Comercial. Encapsulamento do Amp Op, O Amp Op ideal, Análise de circuitos com Amp Ops ideais. Exemplo 2.2 Somador, Configuração não inversora, seguidor, amplificador de diferenças. Exercício 2.15 Amplificador de instrumentação, Funcionamento dos Amp Ops Não-Ideais. Exemplo 2.3 e 2.4 Operação dos Amp Ops em grande excursão de sinal, imperfeições cc, circuitos integrador e diferenciador. Exemplo 2.6. Diodo ideal, características do diodo real, equação de corrente do diodo, exercícios. Análise gráfica (reta de carga), modelos simplificados de diodos, exercícios Modelo para pequenos sinais, modelos de circuitos equivalentes para pequenas variações (próximas do ponto quiescente), exercícios (exemplos 3.6 e 3.7) Operação na região de ruptura reversa, diodo zener, Projeto de um regulador Zener, exercícios (exemplo 3.8) Aula de Exercícios Cap. 2 p. 38-46 Sedra, Cap. 2 p. 46-53 Sedra, Cap. 2 p. 53-59 Sedra, Cap. 2 p. 59-73 Sedra, Cap. 3 p. 89-96 Sedra, Cap. 3 p. 96-99 Sedra, Cap. 3 p. 100-103 Sedra, Cap. 3 p. 104-106 1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016) Data: 01/09/2016 (quinta feira) – Horário: 7:30h Semana da Pátria (05/09 a 09/09/2016) 5ª Aula: Apresentando o Diodo na sua forma ideal Objetivos da aula: - Permitir que você reconheça um diodo e seus terminais e explique como ele funciona (idealmente), sem distinguir os tipos de diodos. - Permitir que você determine o estado de funcionamento de um diodo e possa calcular valores estimados de tensões e correntes em circuitos com diodos. - Explique como funcionam portas lógicas com diodos. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 3 O Diodo Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 4 3.1 O DIODO IDEAL 3.1.1 Característica Corrente – Tensão Figura 3.1 O diodo ideal: (a) símbolo do diodo; (b) característica i – v; (c) circuito equivalente na polarização reversa; (d) circuito equivalente na polarização direta. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 5 3.1.1 Característica Corrente – Tensão Figura 3.2 Os dois modos de operação do diodo ideal e o uso de um circuito externo para limitar a corrente direta e a tensão reversa. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 6 3.1.2 Uma Aplicação Simples: O Retificador Figura 3.3 (a) Circuito retificador. (b) Forma de onda de entrada. (c) Circuito equivalente para vI ≥ 0. (d) Circuito equivalente para vI ≤ 0. (e) Forma de onda de saída. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 7 Exercícios Exercício 3.1 Para o circuito da Figura acima esboce a característica de transferência de vO versus vI. Exercício 3.2 Para o circuito na Figura acima esboce a forma de onda de vD OBS: considere diodo ideal. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 8 Exercícios (cont.) Resposta E3.1 Resposta E3.2 Diodo reversamente polarizado Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 9 EXEMPLO 3.1 A Figura 3.4(a) mostra um circuito de carga de bateria de 12 V. Se a amplitude de vS, senoidal, for de 24 V de pico, determine a fração de tempo de cada ciclo durante o qual o diodo conduz. Determine também o valor de pico da corrente no diodo e a tensão de polarização reversa máxima que aparece sobre o diodo. Figura 3.4 (a) Circuito e (b) forma de onda do Exemplo 3.1. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 10 SOLUÇÃO Exemplo 3.1 O diodo conduz quando vS excede o valor de 12 V, conforme mostra a Figura 3.4(b). O ângulo de condução é de 2θ, onde θ é dado por 24 cos 12 Portanto, = 60° e o ângulo de conducão é de 120°, ou um terço de um ciclo. O valor de pico da corrente no diodo é dado por 24 12 Id 0,12A 100 A tensão reversa máxima sobre o diodo ocorre quando vS está no seu pico negativo e é igual a 24 + 12 = 36 V. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 11 Outra Aplicação: Portas Lógicas com Diodos Quais as funções lógicas executadas em a) e em b)? Figura 3.5: Portas lógicas com diodos (sistema de lógica positiva): (a) porta OU (Y=A+B+C); Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith (b) porta E (Y=A.B.C, 12 EXEMPLO 3.2 Supondo os diodos ideais, calcule os valores de I e V nos circuitos da Figura 3.6. Figura 3.6 Circuitos para o Exemplo 3.2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 13 Solução do exemplo 3.2 Para o circuito da Figura 3.6(a), vamos supor que ambos os diodos estejam em condução. Isso implica que VB = 0 e V = 0. A corrente que circula em D2 pode ser determinada agora por: I D2 10 0 1 mA 10 I + 1,0m 0 (10) 5 Escrevendo a equação do nó B temos: o que resulta em I = 1 mA. Portanto, D1 está em conducão como suposto anteriormente e o resultado final é I = 1 mA e V = 0 V. Para o circuito da Figura 3.6(b), se fizermos a suposição de que ambos os diodos estão conduzindo, então VB = 0 e V = 0. A corrente em D2 é obtida por: I D2 10 0 2 mA 5 A equação do nó B é: I + 2 0 (10) 10 a qual produz I = – 1 mA. Como isso não é possível, nossa suposição anterior não está correta. Reiniciamos, supondo agora que D1 está em corte e D2 em condução. A corrente ID2 é dada por: I D2 10 (10) 1, 33 mA 15 e a tensão no nó B é VB 10 10 1, 33 3, 3 V Portanto, D1 está reversamente polarizado conforme foi suposto e o resultado final é I = 0 e V = 3,3 V. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 14 Façam exercícios 3.4 e 3.5. I, V ? Figura E3.4 – Resp.: (a) 2mA, 0 V; (b) 0 mA, 5 V; (c) 0 mA, 5 V; (d) 2 mA, 0 V; (e) 3 mA, +3 V; (f) 4 mA, +1 V. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 15 Exercício 3.5 A Figura E3.5 mostra um circuito para um voltímetro ca. Ele utiliza um medidor de bobina móvel que dá uma leitura de fundo de escala quando a corrente média que circula por ele for de 1 mA. O medidor de bobina móvel tem uma resistência de 50 W . Calcule o valor de R que resulta numa indicação de fundo de escala do medidor quando a tensão de entrada senoidal vI é de 20 V pico-a-pico. (Sugestão: O valor médio da meia onda senoidal é Vp/.) Resp. Vmed = 10/ [V] 50 + R= (10/ - 0)/1mA portano, R=1,133kΩ Figura E3.5 Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 16 3.2 Características elétricas dos diodos de junção Diodo Ideal Diodo Real Figura 3.7 Característica i–v de um diodo de junção fabricado em silício. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 17 3.2 Características elétricas dos diodos de junção Diodo Real Figura 3.8 A relação i–v do diodo com algumas escalas expandidas e outras comprimidas a fim de revelar certos detalhes. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 18 3.2.1 A região de polarização direta Equação da Corrente no Diodo (lei do diodo): iD I S (e v D /nVT Corrente no diodo 1) Tensão no diodo I S Corrente de saturação n = fator de idealidade ( 1 n 2) VT k T/q VT 25,8 mV (25 ͦ C) VTamb 25 mV Microeletrônica – Quinta Edição -23 k = Constante de Boltzmann = 1,38x10 J/K T = Temperatura em kelvin = (273+T(ͦ C)) q = carga do elétron = 1,6x10 -19 C Sedra/Smith 19 Diodo Real Apresentando a Lei do Diodo de outra forma: iD I S (e v D /nVT 1) iD v D nVT ln 1 IS v D nVT lniD I S I2 V2 V1 2,3 nVT log I1 Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 20 Diodo Real Exemplo 3.3: Um diodo de silício, feito para operar com 1 mA, apresenta uma queda de tensão direta de 0,7 V para uma corrente de 1 mA. Avalie o valor da constante IS nos casos em que n seja 1 ou 2. Que constantes de escalamento você aplicaria para um diodo de 1 A do mesmo fabricante que conduz uma corrente de 1 A para uma queda de 0,7 V? v / nVT i I Se Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith I S i.e v / nVT 21 Diodo Real Exemplo 3.3: Para o diodo de 1 mA: Se n = 1: IS = 10˗3e-700/25 = 6,9 10-16 A ou cerca de 10-15 A Se n = 2: IS = 10-3e-700/50 = 8,3 10-10 A ou cerca de 10-9 A O diodo conduzindo 1 A para uma queda de 0,7 V corresponde a 1000 diodos de 1 mA em paralelo com uma seção de junção 1000 vezes maior. Portanto, IS também é 1000 vezes maior, tendo 1 pA e 1 mA, respectivamente para n = 1 e n = 2. Deste exemplo deve ficar evidente que o valor usado para n pode ser muito importante. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 22 Diodo Real A dependência com a Temperatura iD I S (e v D /nVT 1) Os valores de IS e VT dependem da Temperatura Figura 3.9 Ilustração da dependência da característica direta do diodo com a temperatura. Para uma corrente constante, a queda de tensão diminui de 2 mV aproximadamente para cada 1ºC de aumento na temperatura. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 23 REOF. ELETRÔNICA I (PSI3321) 2o. Semestre de 2016 Livro Texto: Sedra&Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson, 2007, (tradução da 5a. Ed. em inglês).Aula Matéria da Primeira Prova Capítulo/página 1ª 02/08 2ª 04/08 3ª 09/08 4ª 11/08 5ª 16/08 6ª 18/08 7ª 23/08 8ª 25/08 9ª 30/08 Introdução, O primeiro Amp Op Comercial. Encapsulamento do Amp Op, O Amp Op ideal, Análise de circuitos com Amp Ops ideais. Exemplo 2.2 Somador, Configuração não inversora, seguidor, amplificador de diferenças. Exercício 2.15 Amplificador de instrumentação, Funcionamento dos Amp Ops Não-Ideais. Exemplo 2.3 e 2.4 Operação dos Amp Ops em grande excursão de sinal, imperfeições cc, circuitos integrador e diferenciador. Exemplo 2.6. Diodo ideal, características do diodo real, equação de corrente do diodo, exercícios. Análise gráfica (reta de carga), modelos simplificados de diodos, exercícios Modelo para pequenos sinais, modelos de circuitos equivalentes para pequenas variações (próximas do ponto quiescente), exercícios (exemplos 3.6 e 3.7) Operação na região de ruptura reversa, diodo zener, Projeto de um regulador Zener, exercícios (exemplo 3.8) Aula de Exercícios Cap. 2 p. 38-46 Sedra, Cap. 2 p. 46-53 Sedra, Cap. 2 p. 53-59 Sedra, Cap. 2 p. 59-73 Sedra, Cap. 3 p. 89-96 Sedra, Cap. 3 p. 96-99 Sedra, Cap. 3 p. 100-103 Sedra, Cap. 3 p. 104-106 1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016) Data: 01/09/2016 (quinta feira) – Horário: 7:30h Semana da Pátria (05/09 a 09/09/2016) 6ª Aula: O Diodo Real Ao final desta aula você deve estar apto a: -Reconhecer as diferenças entre um diodo real e o diodo ideal que vimos na aula passada -Identificar as três regões de operação de um diodo real -Usar a lei do diodo para prever seu comportamento na região de operação direta (polarização direta) -Explicar o comportamento do diodo real em função da temperatura -Determinar tensões e correntes em circuitos com diodo empregando a lei do diodo Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 25 Exercício 3.9: O diodo no circuito da Figura E3.9 é de um dispositivo grande, capaz de conduzir altas correntes. Sua corrente de fuga reversa é razoavelmente independente da tensão. Se V = 1 V a 20°C, calcule o valor de V a 40°C e a 0°C. SOLUÇÃO A 20 ⁰C: I = 1V / 1MΩ = 1µA Desde que a corrente reversa duplica a cada aumento de 10 ⁰C: assim, de 20 ⁰C para 40 ⁰C, IS aumenta 4x, ou seja, I = 4 x 1µ = 4,0 µA V = 4,0µ x 1M = 4,0 V A 0 ⁰C: de 20 ⁰C para 0 ⁰C, IS cai 4x, ou seja, I =1µ/4 = 0,25µA V = 0,25µ x 1M = 0,25V Figura E3.9 Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 26 Diodo Real 3.3.1 A Análise pelo Modelo Exponencial Figura 3.10 Um circuito simples com diodo utilizado para ilustrar a análise de circuitos nos quais o diodo esteja conduzindo diretamente (região de polarização direta). I D I Se vD / nVT Aplicando a lei das malhas: VDD R.I D VD VDD VD ID R Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 27 Diodo Real A Análise pelo Modelo Exponencial Exemplo 3.4: Determine os valores da corrente ID e da tensão VD para o circuito abaixo com VDD = 5 V e R = 1 kW. Suponha que a corrente do diodo é de 1 mA para uma tensão de 0,7 V, e que a queda de tensão varia de 0,1 V para cada década de variação na corrente. I D I Se Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith vD / nVT VDD VD ID R 28 Diodo Real Exemplo 3.4: A solução tem que ser iterativa!!! VDD VD1 R 5 0,7 4,3mA 1 Para I = 1mA, VD1 = 0,7V: I D 2 Para I = 4,3mA, qual o novo VD2? Lembre-se que: VD 2 VD1 2,3 nVT log I D2 VD2 0,7 0,1x log 0,763 I D1 I D2 e, neste exercício 2,3nVT = 0,1V!!! I D1 5 0,763 I D3 4,237mA 1 4,237 VD3 0,763 0,1. log 4,3 0,762V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 29 Diodo Real 3.3.2 A Análise Gráfica I D I Se vD / nVT VDD VD ID R 3 1 2 Figura 3.11 Análise gráfica do circuito na Figura 3.10 empregando o modelo exponencial para Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith o diodo. 30 3.3.5 A Análise por Modelos Linearizados para o regime CC (Diodo Real) I D I S e vD / nVT VDD VD ID R Nosso problema advém da equação do diodo ser não linear. E se conseguirmos linearizá-la? Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 31 Diodo Real 3.3.5 A Análise por Modelos Linearizados (CC) Aproximação da Curva Característica por Retas - Até VD0 (reta A), diodo aberto - Após VD0 (reta B), segmento de reta com inclinação 1/rD - Como criar um modelo? Figura 3.12 O modelo empregando segmentos lineares: Aproximando a característica direta do diodo por duas linhas retas Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 32 Diodo Real A Análise por Modelos Linearizados (CC) O Modelo com VD0 e rD VD Figura 3.13 Modelo de segmentos lineares da característica direta do diodo e a representação do circuito equivalente. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 33 Exemplo 3.5: Repita o exemplo 3.4: Determine os valores da corrente ID e da tensão VD para o circuito abaixo. Suponha que a corrente do diodo é de 1 mA para uma tensão de 0,7 V, e que a queda de tensão varia de 0,1 V/década de corrente. Temos que descobrir um VD0 e um rD!!! VDD VD ID R I D I S e vD / nVT Da Figura 3.12, pode-se obter: V 0,1V 0,1 rD 11W I (10 1)mA 9m VD VD 0 rD I D sendo (VD1, I D1 ) (0, 7V ;1mA ) 0, 7V VD 0 11 1mA VD 0 0, 689V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith =0,689V =11W 34 Exemplo 3.4 de novo!: 1kW 1kW 5V 5V VD 0,689V 11W VDD RI D (VD 0 rD I D ) VDD VD 0 5 0, 689 ID 4, 26mA R rD 1011 VD VD 0 rD I D 0, 689 11 4, 26m 0, 736V Solução exata: ID = 4,28mA e VD =0,762V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 35 Alguma crítica??? Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 36 Ex. 3.4 de novo!: Vamos ver como o livro determinou VD0 e rD. “1 mA para uma tensão de 0,7 V, e queda de tensão de 0,1 V para cada década”... Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 37 Ex. 3.4 de novo!: Vamos ver como o livro determinou VD0 e rD. “1 mA para uma tensão de 0,7 V, e queda de tensão de 0,1 V para cada década”... 0,1V/dec rD = 10W Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 38 0,1V/dec rD = 10W 0,1V/dec 0,1V/dec rD = 10W VD0 = 0,69V VD0 = 0,71V ID = 4,27mA e VD =0,733V ID = 4,25mA e VD =0,752V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 39 Resumindo Exata Livro Ref em 1mA Ref em 4mA VD 0,762V 0,735V (-4%) 0,733V (-4%) 0,752V (-2%) ID 4,28mA 4,26mA (-1%) 4,27mA (-1%) 4,25mA (-1%) Em engenharia, erros menores que 10% são aceitáves e melhores que 5% são muito bons! Será então que não exageramos na dose? Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 40 Talvez buscar um modelo até mais simples... O Modelo só com VD Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 41 O Modelo só com VD Assumimos VD =0,7V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 42 Exemplo 3.4 de novo!: 1kW 5V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 43 Exemplo 3.4 de novo!: Resumindo Exata Livro Ref em 4mA Modelo só VD VD 0,762V 0,735V (-4%) 0,752V (-2%) 0,7V (-8%) ID 4,28mA 4,26mA (-1%) 4,25mA (-1%) 4,3mA (+1%) Modelo Diodo Ideal (Chave aberta, chave fechada): VD = 0; ID = 5mA (17%) Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 44 Exercício 3.12 Projete o circuito da Figura E3.12 para proporcionar uma tensão de saída de 2,4 V. Suponha que os diodos disponíveis tenham 0,7 V de queda com uma corrente de 1 mA e que V = 0,1 V/década de variação na corrente. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 45 Fazer os exercícios 3.11 e 3.13! descobrir Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 46 REOF. ELETRÔNICA I (PSI3321) 2o. Semestre de 2016 Livro Texto: Sedra&Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson, 2007, (tradução da 5a. Ed. em inglês).Aula Matéria da Primeira Prova Capítulo/página 1ª 02/08 2ª 04/08 3ª 09/08 4ª 11/08 5ª 16/08 6ª 18/08 7ª 23/08 8ª 25/08 9ª 30/08 Introdução, O primeiro Amp Op Comercial. Encapsulamento do Amp Op, O Amp Op ideal, Análise de circuitos com Amp Ops ideais. Exemplo 2.2 Somador, Configuração não inversora, seguidor, amplificador de diferenças. Exercício 2.15 Amplificador de instrumentação, Funcionamento dos Amp Ops Não-Ideais. Exemplo 2.3 e 2.4 Operação dos Amp Ops em grande excursão de sinal, imperfeições cc, circuitos integrador e diferenciador. Exemplo 2.6. Diodo ideal, características do diodo real, equação de corrente do diodo, exercícios. Análise gráfica (reta de carga), modelos simplificados de diodos, exercícios Modelo para pequenos sinais, modelos de circuitos equivalentes para pequenas variações (próximas do ponto quiescente), exercícios (exemplos 3.6 e 3.7) Operação na região de ruptura reversa, diodo zener, Projeto de um regulador Zener, exercícios (exemplo 3.8) Aula de Exercícios Cap. 2 p. 38-46 Sedra, Cap. 2 p. 46-53 Sedra, Cap. 2 p. 53-59 Sedra, Cap. 2 p. 59-73 Sedra, Cap. 3 p. 89-96 Sedra, Cap. 3 p. 96-99 Sedra, Cap. 3 p. 100-103 Sedra, Cap. 3 p. 104-106 1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016) Data: 01/09/2016 (quinta feira) – Horário: 7:30h Semana da Pátria (05/09 a 09/09/2016) 7ª Aula: O Diodo Real e o Modelo para Pequenos Sinais Ao final desta aula você deverá estar apto a: -Explicar e utilizar a notação empregada em eletrônica para diferenciar sinais constantes e sinais variáveis no tempo. -Diferenciar resistências reais, resistências para modelagem em CC e resistências para modelagem em CA (incrementais) -Selecionar modelos CC ou CA para realizar análises em circuitos com diodos em função do tipo de problema -Calcular resistências e outros parâmetros para modelagem CC e para modelagem CA -Descrever o procedimento para cálculo de grandezas CC e CA em circuitos com diodos -Calcular tensões e correntes tanto CC como CA em circuitos com diodos Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 48 Vamos inserir uma Variação CA na Entrada (um Pequeno Sinal) iD id Id iD ID Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 49 Vamos inserir um Pequeno Sinal na entrada Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 50 Que modelo utilizar para pequenos sinais? Qual modelo utilizar? -Modelo chave aberta, chave fechada (diodo ideal)? -Modelo VD constante = 0,7V? -Modelo de resistência rD + VD0? Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 51 Pequenos sinais (CA) Tentando utilizar o modelo rD + VD0 -Modelo de resistência rD + VD0 Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 52 Pequenos sinais (CA) O ideal é a tangente ao ponto!!! Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 53 Pequenos sinais (CA) A tangente ao ponto: uma análise matemática Qual a tangente à expressão? I D I S e VD / nVT v D (t ) VD v D (t ) iD (t ) I S e vD (t ) / nVT i ( t ) I e D S [VD vd (t )] / nVT iD (t ) I S e VD / nVT e vd (t)/ nVT iD (t ) I De vd (t)/ nVT Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 54 Pequenos sinais (CA) A tangente ao ponto: uma análise matemática Qual a tangente (primeira derivada) da expressão? iD (t ) I De vd (t)/ nVT Representar a expressão por uma soma infinita de termos calculados como as derivadas em um determinado ponto (Série de Taylor): Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 55 Pequenos sinais (CA) A tangente ao ponto: uma análise matemática iD (t ) I D e vd (t)/ nVT Se 2 3 1 vd 1 vd 1 vd I D .1 6 nVT 1 nVT 2 nVT vd 1 podemos fazer uma boa aproximação considerando nVT apenas os dois primeiros termos: iD (t ) I D e Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith vd (t)/ nVT ID ID v d (t ) nVT 56 Pequenos sinais (CA) A tangente ao ponto: uma análise matemática iD (t ) I D e vd (t)/ nVT ID ID v d (t ) nVT Como iD(t) = ID + id(t), por inspeção: ID id (t ) v d (t ) nVT 1 rd nVT rd ID Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 57 Exemplo 3.6: Considere o circuito abaixo, alimentado por uma fonte V+ constituída por um sinal CC de 10V sobre o qual aplica-se um sinal senoidal de 60Hz com 1Vp de amplitude. Calcule a tensão CC sobre o diodo e a amplitude do sinal senoidal sobre ele. Assuma que o diodo tem uma queda de tensão de 0,7V em 1mA e n=2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 58 Exemplo 3.6: Considere o circuito abaixo, alimentado por uma fonte V+ constituída por um sinal CC de 10V sobre o qual aplica-se um sinal senoidal de 60Hz com 1Vp de amplitude. Calcule a tensão CC sobre o diodo e a amplitude do sinal senoidal sobre ele. Assuma que o diodo tem uma queda de tensão de 0,7V em 1mA e n=2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 59 Exemplo 3.6: Considere o circuito abaixo, alimentado por uma fonte V+ constituída por um sinal CC de 10V sobre o qual aplica-se um sinal senoidal de 60Hz com 1Vp de amplitude. Calcule a tensão CC sobre o diodo e a amplitude do sinal senoidal sobre ele. Assuma que o diodo tem uma queda de tensão de 0,7V em 1mA e n=2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 60 Exemplo 3.6: Considere o circuito abaixo, alimentado por uma fonte V+ constituída por um sinal CC de 10V sobre o qual aplica-se um sinal senoidal de 60Hz com 1Vp de amplitude. Calcule a tensão CC sobre o diodo e a amplitude do sinal senoidal sobre ele. Assuma que o diodo tem uma queda de tensão de 0,7V em 1mA e n=2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 61 Relembrando Exemplo 3.6: Considere o circuito abaixo, alimentado por uma fonte V+ constituída por um sinal CC de 10V sobre o qual aplica-se um sinal senoidal de 60Hz com 1Vp de amplitude. Calcule a tensão CC sobre o diodo e a amplitude do sinal senoidal sobre ele. Assuma que o diodo tem uma queda de tensão de 0,7V em 1mA e n=2. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 62 Relebrando Exemplo 3.6: Passos: - Resolver a parte CC -Modelo diodo ideal (aberto/fechado) -Modelo bateria -Modelo bateria+rD ID (10 0,7) 0,93mA 10k - Resolver a parte CA -Modelo para pequenos sinais nVT 2 25mV rd 53,8W ID 0,93mA vd vs Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith rd 54 5,35mV R rd 10k 54 63 Exemplo 3.7: No circuito abaixo temos cerca de 2,1V na saída (n=2). Queremos saber qual a variação percentual de tensão na saída quando temos: (a) 10% de variação na tensão de entrada (b) Quando acoplamos uma carga na saída (mantendo a tensão de entrada em 10V fixos) Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 64 Exemplo 3.7: Sem carga: (a) 10% de variação na tensão de entrada (b) Quando acoplamos uma carga na saída (mantendo a tensão de entrada em 10V fixos) (a) rd ID 2,1V 3rd 19 1V . 18, 6mV R 3rd 1k 19 Sem carga: I R I D (b) Sem carga: (10 2,1) 7, 9mA 1k nVT 2 25mV 6, 3W ID 7, 9mA vd v s IR ID IR IR ID IR ID (10 2,1) 7, 9mA 1k Com carga: Se I R cte 2,1V IL I D I R I L 7, 9m 2,1V 1kW (7, 9 2,1)mA 5, 8mA Vs 3rd (I D com L I D sem L ) 19.(5, 8 7, 9) 40mV Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 65 Exercício 3.15: Considere um diodo com n=2 polarizado em 1mA. Determine a variação na corrente quando variamos a tensão de (a)-20mV (b) -10mV (c)-5mV (d)+5mV (e)+10mV (f)+20mV Faça esse cálculo (i) usando o modelo para pequenos sinais (ii) a lei do diodo (i) id vd vd nVT 50mV (ii) id I D 10 V 2,3nVT V 115mV 1, 0mA 10 vd -20m -10m -5m +5m +10m +20m id (i) -0,40m -0,20m -0,10m +0,10m +0,20m +0,40m id (ii) -0,330m -0,182m -0,095m +0,105m +0,222m +0,493m e% +21% +9,9% +5,3% -4,8% -9,9% -18,9% ±10mV ⇒ erro < 10% (aprox. pequenos sinais) Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 66 Exercício 3.16: Projete o circuito abaixo para que VO = 3V quando IL = 0 e que VO mude de 40mV por 1 mA de corrente de carga. Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 67 Resumo de Modelos (Tabela 3.1) Lei do Diodo MODELOS CC (Exponencial) Ideal Bateria Bat+Res Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 68 Resumo de Modelos (Tabela 3.1) Lei do Diodo MODELOS CC (Exponencial) Ideal Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 69 Resumo de Modelos (Tabela 3.1) MODELOS Bateria Bat+Res < Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 70 Lei do Diodo (Exponencial) Microeletrônica – Quinta Edição Resumo de Modelos MODELO CA Pequenos Sinais Sedra/Smith 71 REOF. ELETRÔNICA I (PSI3321) 2o. Semestre de 2016 Livro Texto: Sedra&Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson, 2007, (tradução da 5a. Ed. em inglês).Aula Matéria da Primeira Prova Capítulo/página 1ª 02/08 2ª 04/08 3ª 09/08 4ª 11/08 5ª 16/08 6ª 18/08 7ª 23/08 8ª 25/08 9ª 30/08 Introdução, O primeiro Amp Op Comercial. Encapsulamento do Amp Op, O Amp Op ideal, Análise de circuitos com Amp Ops ideais. Exemplo 2.2 Somador, Configuração não inversora, seguidor, amplificador de diferenças. Exercício 2.15 Amplificador de instrumentação, Funcionamento dos Amp Ops Não-Ideais. Exemplo 2.3 e 2.4 Operação dos Amp Ops em grande excursão de sinal, imperfeições cc, circuitos integrador e diferenciador. Exemplo 2.6. Diodo ideal, características do diodo real, equação de corrente do diodo, exercícios. Análise gráfica (reta de carga), modelos simplificados de diodos, exercícios Modelo para pequenos sinais, modelos de circuitos equivalentes para pequenas variações (próximas do ponto quiescente), exercícios (exemplos 3.6 e 3.7) Operação na região de ruptura reversa, diodo zener, Projeto de um regulador Zener, exercícios (exemplo 3.8) Aula de Exercícios Cap. 2 p. 38-46 Sedra, Cap. 2 p. 46-53 Sedra, Cap. 2 p. 53-59 Sedra, Cap. 2 p. 59-73 Sedra, Cap. 3 p. 89-96 Sedra, Cap. 3 p. 96-99 Sedra, Cap. 3 p. 100-103 Sedra, Cap. 3 p. 104-106 1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016) Data: 01/09/2016 (quinta feira) – Horário: 7:30h Semana da Pátria (05/09 a 09/09/2016) 8ª Aula: • O Modelo para Pequenos Sinais • O Diodo real na região de ruptura reversa Ao final desta aula você deverá estar apto a: - Avaliar se o modelo para pequenos sinais pode ser empregado para analisar a resposta CA de um deterrminado circuito - Explicar e obter os parâmetros de um modelo CC/CA para diodos zener - Explicar as diferenças entre os modelos para diodos, tanto da região de polarização direta quanto na região de polarização reversa - Calcular tensões e correntes em circuitos CC/CA com diodos zener -Empregar diodos zener em circuitos reguladores de tensão Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 73 3.4 Operação na região de ruptura reversa, os diodos zener Diodo Real A Região de Ruptura Reversa Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 74 A região de Ruptura Reversa Construindo um modelo VZ VZ 0 rZ I Z Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 75 A região de Ruptura Reversa Construindo um modelo para o Diodo Zener VZ VZ 0 R Z I Z Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 76 A região de Ruptura Reversa Uma Família de Diodos Zener Reais Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 77 A região de Ruptura Reversa Uma Família de Diodos Zener Reais Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 78 A região de Ruptura Reversa Construindo um modelo para o Diodo Zener VZ VZ 0 R Z I Z O efeito da temperatura: Vz < 5V o coeficiente de temperatura é negativo Vz > 5V o coeficiente de temperatura é positivo Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 79 Exemplo 3.8: O diodo zener do circuito abaixo é especificado para 6,8V@5mA, rz =20W e IZK = 0,2mA. Veja que V+ tem uma variação. (a) Determine a tensão de saída sem carga; (b) Determine a regulação de linha para a variação de +- 1V na entrada; (c) Qual a variação na tensão de saída quando se coloca uma carga que drena 1mA? Isso é chamado Regulação de Carga. (d) Qual a variação na tensão de saída para uma carga de 2kW; (e) Qual a variação na tensão de saída para uma carga de 0,5kW; (f) Qual o valor mínimo de carga para o circuito operar corretamente? Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 80 Exemplo 3.8: O diodo zener do circuito abaixo é especificado para 6,8V@5mA, rz =20W e IZK = 0,2mA. Veja que V+ tem uma variação. VZ VZ 0 rZ I Z 6, 8 VZ 0 20.5mA VZ 0 6, 7V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 81 Exemplo 3.8: 6,8V@5mA, rz =20W e IZK = 0,2mA. (a) VO? (sem carga) 10V IZ (10V 6, 7V ) 6, 3mA R rZ ( 500 20) VO =VZ 6, 7 20.6, 3m 6, 827V (b) Variação em VO para uma variação de ± 1V na entrada; (regulação de linha) 10±1V 500Ω v Z 1V 1V Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 20Ω 20 38, 5mV 500 20 82 Exemplo 3.8: 6,8V@5mA, rz =20W e IZK = 0,2mA. (c) Qual a variação na tensão de saída quando se coloca uma carga que drena 1mA? Considere que VZ não varia. 10V I Z I R I L (6, 3 1, 0)mA = 5,3mA V Z c/carga 6,7+20.5,3m=6,806V 1mA 1mA V Z V Z c /carga V Z s/carga 6,806 - 6,827 V Z 21mV (d) Qual a variação na tensão de saída para uma carga de 2kW; Considere que VZ não varia. RL 2k W I L 6, 827 / 2k 3, 41mA I Z I R I L (6, 3 3, 4)mA = 2,9mA VZ c/carga 6,7+20.2,9m=6,758V VZ c /carga 6,758V IL 6, 758 3, 38mA 2k VZ VZ c /carga VZ s/carga 6,758 - 6,827 2kW VZ 69mV Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith 83 Exemplo 3.8: 6,8V@5mA, rz =20W e IZK = 0,2mA. (e) Qual a variação na tensão de saída para uma carga de 0,5kW; Considere V+ = 10V. RL 0, 5kW I L 6, 827 / 0, 5k 13, 65mA ~6,827V (em aberto) I Z I R I L (6, 3 13, 65)mA = -7,35mA (zener em aberto!!!) 0, 5kW 0,5kW 0, 5kW 0, 5kW VO 5V 10V 0,5kW VO 10. 0,5kW (f) Qual o valor mínimo de carga para o circuito operar corretamente? Considere V+ = 10±1V. 10±1V ParaV 10V : I L max I R I Z min 6, 3 0, 2 6,1mA VZ 6, 827 Pior casoV 10V 1V 9V Rmin 1120W I L max 6,1m e V Z V Z min V Z 0 6, 7V : IZmin=0,2mA Microeletrônica – Quinta Edição Sedra/Smith I R (9V 6, 7 )/ 0, 5k 4, 6mA I L max I R I Z min 4, 6 0, 2 4, 4mA VZ 6, 7 R min 1520W I L max 4, 4m 84