Universidade Tecnológica Federal do Paraná Departamento Acadêmico de Eletrotécnica Engenharias – Eletrônica 1 – ET74C Profª Elisabete N Moraes EXERCÍCIOS PARA A PRIMEIRA VERIFICAÇÃO DE APRENDIZAGEM 1. Considere um diodo de silício com n=1,5. Determine a variação da tensão nos seus terminais se a corrente varia de 0,1mA a 10mA. (R: 172,5mV) 2. Um diodo de silício com n = 1 apresenta uma queda de 0,7V quando circula uma corrente de 1mA. Pede-se qual é o valor da tensão nos terminais deste diodo quando a corrente for de: a) 0,1mA (R:0,64V) b) 10mA (R:0,76V) 3. Calcule a corrente I1, I2 e I3. a)Admitir o diodo como ideal. (0,5A, 0A e 1A) b)Admita o diodo D1 como sendo de germânio com VT = 0,3V D1 4. Calcular Vo e ID.(-4,3V , 3,57mA). Admitir o modelo simplificado. 5. Dado o circuito a seguir, determine: corrente total, potência total da fonte,corrente no r2, corrente em r3,queda de tensão em R5 eR6, potência no R1.Admitir diodo ideal. 7.5mA 226.2mW 7.5mA 0A 7.2V 6,2V 68.2mW R6 0,860kΩ 6. Considerando diodos ideais e idênticos, determine ID e VO. a) Vi = 10Vcc (R:6,6V e 1,67mA) b) Vi= 15sen (377t) volts (3,18V e 0,8mA) 7. Dada a tabela, que representa a curva característica de um diodo, calcule a resistência DC para os seguintes pontos: a)E=0.6V b)E=15V c)E=-10V ENM 1/3 Exerc1aprova_1sem14 Universidade Tecnológica Federal do Paraná Departamento Acadêmico de Eletrotécnica Engenharias – Eletrônica 1 – ET74C Profª Elisabete N Moraes Estabeleça um comparativo entre os valores calculados tendo como base de análise o tipo de polarização. (R: Lei de ohm) E(V) I(mA) 0.1 0.38 0.4 1.3 0.6 5.9 1.0 19 5.0 35 10.0 120 15.0 175 20.0 215 -5 -10 -15 1.2m 1.8m 2.1m 8. Identifique quais são os circuitos em que os diodos estão diretamente polarizados. (R:1,3,4) 9. No circuito abaixo o diodo Zener está na região de ruptura? Sim ( para encontrar a solução, determine qual é a queda de tensão sobre o R =1kΩ , desprezando a existência do zener, se esta queda for maior que a tensão de zener , o diodo está na região de zener, no caso o valor da queda é 14,2 V - use o divisor de tensão !!!!) 10. Calcule o valor do resistor série em um regulador Zener de 9,1V/400mW. O circuito é alimentado em 22V com uma carga de 50ohms. (R:69,2ohms) 11. Esboce a forma de onda da tensão de saída (Vo) para o circuito a seguir. Considere diodo ideal e a fonte VI como sendo uma onda senoidal com tensão de pico igual a 5V; e a fonte V com tensão igual a 3V. 12. Esboce a forma de onda vo. Refaça o exercício para tensão do zener 1 igual a Vz1 e do zener 2 igual a Vz2 ENM 2/3 Exerc1aprova_1sem14 Universidade Tecnológica Federal do Paraná Departamento Acadêmico de Eletrotécnica Engenharias – Eletrônica 1 – ET74C Profª Elisabete N Moraes 13. Determine graficamente as coordenadas do ponto de operação do diodo (Vd e Id) para o circuito a seguir, considerando a curva característica apresentada. 3V 0,150kΩ 14. Para um circuito com retificador duplo de meia onda - center tap, utiliza-se um transformador de 127/ 13 + 13 V e diodos 1N4002, a carga é de 150Ω. Admitindo o diodo como sendo ideal, pede-se: a)Circuito b)Valor da tensão média Vdc no resistor de carga , Vdc resp:11,7 Vcc c)Valor da corrente média na carga, Idc resp:78,03mA d)TPI resp:36,77V e)Potência Pdc na carga resp:912,9mW f)Menor potência aceitável em VA para este transformador resp:1,6VA 15. Complete as lacunas , com palavras que tornem correta a sentença. a)Os diodos semicondutores são geralmente feitos de _________________ ou_________________ b)A região P é rica em portadores do tipo _______________________ c)________________ na região N são os portadores majoritários d)________________na região P são as portadores minoritários e)Num semicondutor , os portadores de carga positiva são chamados de _________________ f)A região P contém muitos(as) _________________ e poucos(as) ____________________ g)A recombinação está ocorrendo continuamente entre ___________________e _______________ h)Prefere-se o silício ao germânio nas altas temperaturas porque_______________________ i)A fronteira entre as regiões P e N num cristal semicondutor é denominada ____________________ j)A região próxima da junção , a qual é relativamente livre de portadores é chamada região _____________________ ENM 3/3 Exerc1aprova_1sem14