Eletrônica II

Eletrônica II
Germano Maioli Penello
24/03/2015
MOSFET
MOSFET
Dispositivo de 3 terminais
•Amplificação de sinal
•Lógica digital
•Memória
Largamente utilizado no design de CI
MOSFET
Dispositivo de 3 terminais
•Amplificação de sinal
•Lógica digital
•Memória
Fabricado em dimensões reduzidas
Opera em baixa potência
Utilizado em projetos de VLSI
(microprocessadores atuais)
Largamente utilizado no design de CI
Fabricação do MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/NMOS/nmos.html
Operação do MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_0.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_1.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_2.html
Operação do MOSFET
Vgs < Vt - Região de corte (iD = 0)
Canal só é criado quando Vgs > Vt
Vds < Vov (Região Triodo)
(Vov < Vgs – Vt )
Vds < Vov (Região de saturação)
Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior
Característica de transferência de
tensão (VTC)
Q - ponto quiescente
Característica de transferência de
tensão (VTC)
Q - ponto quiescente
Ganho de tensão de sinal pequeno
Operação de sinal pequeno
Na saturação, iD a Vov2 ou iD a (VGS - Vt)2
Modelo de circuito equivalente para
sinais pequenos
Fonte de corrente controlada por tensão
Amplificadores MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/ckt/mosamp/index.html
Transcondutância (gm)
Lembrando:
BJT
BJT
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html
BJT
http://jas.eng.buffalo.edu/
BJT
http://www.falstad.com/circuit/e-npn.html
Região ativa e de saturação
Transistor npn com corrente IE constante.
Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET.
A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.
Região ativa
Amplificador de tensão
http://www.falstad.com/circuit/e-transswitch.html
Amplificação linear
Ponto quiescente
Amplificação linear
Transcondutância (gm)
<10mV
, se
