TIL112 TIL115 ACOPLADORES ÓTICOS VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS(Tamb=25oC) - Emissor VR (tensão reversa) 3 IF (corrente direta) 100 PD (potência de dissipação) 150 V mA mW - Detetor VCBO (tensão coletor-base) VCEO (tensão coletor-emissor) VECO (tensão emissor-coletor) PD (potência de dissipação) V V V mW - Acoplador Visol (tensão de isolação) TIL112 TIL115 Ptot (potência total) Tstg (temperatura de armazenagem) Tsd (temperatura de soldagem)(tmáx=10s) 30 20 4 150 1,5 kV 2,5 kV 250 mW -55 a +150 oC oC 260 CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tamb=25oC) (cond.teste) - Emissor VF (tensão direta) (IF=10mA) VBR (tensão de ruptura) (IR=10µA) - Detetor VBR(CBO) (ruptura coletor-base) (IC=100µA) VBR(CEO) (ruptura coletor-emissor) (IC=1mA) ICEO (fuga coletor-emissor) (VCE=5V,IF=0) - Acoplador Risol (resistência de isolação) CTR (taxa transf.corr.) (VCE=5V,IF=10mA) VCEsat (tensão de saturação) (IC=2mA,IF=50mA) Ck (capacitância de acopl.) (f=1MHz) CARACTERÍSTICAS DE CHAVEAMENTO (VS=10V,RL=100Ω ,IC=2mA) (1) tr tf (1)- correntes de coletor ajustadas pela amplitude de entrada condições de entrada - RG=50 Ω tp/T=0,01 tp=100 µs Especificação Técnica til112/115 - 05/01 mín típ 1,2 3 1,5 máx V V 30 20 1 1011 2 unid. 100 V V nA Ω 20 1 % V pF 2 2 µs µs 0,5 DIMENSÕES FÍSICAS (em mm)