Operação Física dos Diodos - Engenharia Eletrica

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Sumário
Diodos
• Circuitos Retificadores
• Circuitos Limitadores e Grampeadores
• Operação Física dos Diodos
TE214 Fundamentos da Eletrônica
Engenharia Elétrica
Circuitos Retificadores
• O diodo retificador converte a senóide de entrada
em uma saída unipolar.
Circuitos Retificadores: Meia Onda
• Retificador de meia onda: utiliza metade dos
ciclos da senóide de entrada.
vO  0,
vO 
vS  VD 0
R
R
vS  VD 0
,
R  rD
R  rD
vS  VD 0
• Em muitas aplicações temos rD << R, logo:
vO  vS  VD 0
VD0= 0,7V
Circuitos Retificadores: Meia Onda
Circuitos Retificadores: Meia Onda
• Na escolha dos diodos:
– Capacidade de condução do diodo: maior corrente
que ele pode conduzir
– Tensão de pico inversa (PIV): tensão que deve
suportar sem entrar na região de ruptura
• Para o exemplo temos PIV = VS
• Normalmente escolhemos um diodo que suporte 50% a mais
do valor esperado para PIV
Circuitos Retificadores: Onda Completa
•
Retificador de onda completa: utiliza ambos os
semiciclos da senóide de entrada
“inverte” o
semiciclo negativo da onda senoidal!
•
Quando a tensão de entrada é positiva (semiciclo
positivo), VS é positiva, logo
1. Diodo D1 conduz
2. Diodo D2 “cortado” (inversamente polarizado)
•
Quando a tensão de entrada é negativa (semiciclo
negativo), VS é negativa, logo
1. Diodo D1 “cortado” (inversamente polarizado)
2. Diodo D2 conduz,
Circuitos Retificadores: Onda Completa
PIV = 2VS - VD
• A corrente circula por R
sempre no mesmo
sentido
Circuitos Retificadores: Ponte
•
•
Circuitos Retificadores: Ponte
Retificador em ponte: Implementação
alternativa do retificador de onda completa.
Quando a tensão de entrada é positiva
(semiciclo positivo), a tensão VS é positiva, logo
1. Diodos D1 e D2 conduzem
2. Diodos D3 e D4“cortados” (inversamente polarizados)
•
Quando a tensão de entrada é negativa
(semiciclo negativo), a tensão VS é negativa,
logo
1. Diodos D1 e D2 “cortados” (inversamente polarizados)
2. Diodos D3 e D4 conduzem
Retificador com Capacitor de Filtro
• Capacitor em paralelo com a carga
variação na tensão de saída.
• Durante ambos os semiciclos,
a corrente circula por R no
mesmo sentido
PIV = VS - VD
Retificador com Capacitor de Filtro
reduz a
Retificador com Capacitor de Filtro
Circuitos Retificadores: Resumo
Circuitos Retificadores: Resumo
Circuitos Limitadores
• Aplicação em circuitos de proteção.
Característica de transferência
geral para um circuito limitador
Em geral k  1
Se vI exceder o limiar superior (L+/K) ou o limiar inferior (L-/K)
a tensão de saída será limitada a L+ e L- respectivamente.
Circuitos Limitadores
• Limitadores
implementados
combinando diodos
e resistores.
Circuitos Grampeadores
• Circuito restaurador de cc.
vO  vI  vC
• Limitadores simples
e duplos
Circuitos Grampeadores
Operação Física dos Diodos
• Compreender a física do dispositivo que
proporciona as características observadas entre
seus terminais.
Operação Física dos Diodos
• O diodo é uma junção pn.
• Material semicondutor (silício) tipo p posto em
contato com uma material semicondutor tipo n.
• Regiões p e n fazem parte de um mesmo cristal
de silício.
• São criadas duas regiões com “dopagens”
diferentes.
Operação Física dos Diodos
• Sílício Intrínseco (Cristal 2D)
Círculos: núcleo átomos de silício. +4 indica sua carga positiva de
+4q, que é neutralizada pelos 4 elétrons da camada de valência.
Ligações covalentes são formadas pelo compartilhamento dos
elétrons pelos átomos vizinhos. Em 0 K, todas as ligações estão
completas e não há elétrons livres para condução de corrente.
Operação Física dos Diodos
• Difusão e Deriva:
– Mecanismos pelos quais elétrons e lacunas
se movem através de um cristal de silício.
Em temperatura ambiente, alguns ligações covalente se
rompem pela ionização térmica. Cada ligação rompida dá
origem a um elétron livre e a uma lacuna. Ambos se tornam
disponíveis para a condução de corrente elétrica.
Operação Física dos Diodos
• Semicondutores Dopados:
– Cristal de silício tem concentrações iguais de elétrons e lacunas.
– Silício Dopado: um dos materiais predomina (lacunas ou elétrons).
– Corrente de difusão: gerada pela
concentração de elétrons livres em uma
região.
• Tipo n: silício dopado onde portadores majoritários são elétrons (-).
• Tipo p: silício dopado onde portadores majoritários são lacunas (+).
– Como é feita a dopagem?
– Corrente de deriva: gerada por um campo
elétrico que acelera elétrons e lacunas.
Introduz átomos de impurezas!
• Elemento pentavalente  fósforo  Silício tipo n
• Elemento trivalente  boro  Silício tipo p
Operação Física dos Diodos
Operação Física dos Diodos
• Semicondutores Dopados:
• Junção pn “aberta”
– Corrente de Difusão: ID
(portadores majoritários)
– Região de Depleção: cargas
não neutralizadas pelos
elétrons/lacunas livres.
• Dá origem a um campo
elétrico
– Corrente de Deriva: IS
(portadores minoritários)
Operação Física dos Diodos
Operação Física dos Diodos
• Junção pn “polarizada
inversamente”
• Junção pn “ruptura”
– Corrente I : elétrons
circulando de n para p.
– Corrente I : elétrons
circulando de n para p.
• Movimenta as lacunas de p
para n.
• Provoca aumento das cargas
fixas positivas
• Provoca aumento das cargas
fixas negativas
Aumenta a largura da
camada de depleção
 Aumenta a tensão da
barreira
 Aumenta a largura da
camada de depleção
I<IS
I>IS
Operação Física dos Diodos
• Junção pn “polarização
direta”
– Corrente I : fornecimento de
portadores majoritários em
ambos os lados da junção.
• Neutralizam algumas cargas
fixas
Diminui a largura da
camada de depleção
 Diminui a tensão da
barreira
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