Lista VIII – Revisao Geral e Reguladores 78XX

Lista de Exercícios de Eletrônica Analógica
Lista VIII de Eletrônica Analógica I – Revisão Geral
Prof. Gabriel Vinicios Silva Maganha (http://www.gvensino.com.br)
Lista de Exercícios 8 de Eletrônica Analógica – Dia 1 (Day One)
Cronograma de Estudos:
Dia 1 – Revisão sobre os Fundamentos da Eletrônica Analógica – Semicondutores e Diodos
Dia 2 – Retificadores e Filtros Capacitivos
Dia 3 – Reguladores de Tensão com Diodo Zener e Regulador Monolítico 78XX
Bons estudos!
Dia 1 - Day One
1. Os Semicondutores são materiais que possuem:
(A)
(B)
(C)
(D)
Nenhum elétron de valência
3 elétrons de valência
4 elétrons de valência
8 elétrons de valência
2. Quanto à resistividade elétrica, é correto afirmar sobre os semicondutores:
(A)
(B)
(C)
(D)
Possuem resistividade alta, acima dos condutores e isolantes;
Possuem resisitividade baixíssima, abaixo dos isolantes e dos condutores;
Possuem resistividade acima dos isolantes e abaixo dos condutores;
Possuem resistividade acima dos condutores e abaixo dos isolantes;
3. Ligação covalente acontece quando:
(A)
(B)
(C)
(D)
As moléculas compartilham seus átomos entre sí;
Um elétron passa de um átomo para outro;
Um elétron passa a pertencer a dois átomos;
Um elétron fica livre;
4. Dopagem é quando:
(A)
(B)
(C)
(D)
Acrescentamos materiais pentavalentes ou trivalentes a um cristal semicondutor;
Retiramos elétrons ou prótons de um material;
Damos drogas aos diodos e transistores;
Um palmeirense assiste um jogo de seu time;
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5. Sobre o cristal abaixo, marque a alternativa correta:
( A ) É um cristal semicondutor Intrínseco
( B ) É um cristal semicondutor extrínseco
dopado negativamente;
( C ) É um cristal semicondutor extrínseco
dopado positivamente;
( D ) É um crital semicondutor extrínseco
neutro
6. Sobre o cristal abaixo, marque a alternativa correta:
(A)
Semicondutor Intrínseco
(B)
Semicondutor Dopado Tipo N
(C)
Semicondutor Dopado Tipo P
(D)
Semicondutor Dopado Tipo J
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7. Sobre o Cristal abaixo, marque a alternativa correta:
(A)
Semicondutor Intrínseco
(B)
Semicondutor Dopado Tipo N
(C)
Semicondutor Dopado Tipo P
(D)
Semicondutor Dopado Tipo Y
8. Nos semicondutores Tipo P, os portadores majoritários são:
(A)
(B)
(C)
(D)
Elétrons Livres
Lacunas
Prótons
Neutrons
9. Nos semicondutores Tipo N, os portadores majoritários são:
(A)
(B)
(C)
(D)
Elétrons Livres
Lacunas
Prótons
Neutrons
10. Os semicondutores de Silício e Germânio só são estáveis com:
(A)
(B)
(C)
(D)
4 elétrons de valência;
8 elétrons de valência
Quando dopados negativamente;
Quando dopados positivamente;
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11. Numa junção PN, também conhecida como Diodo, quando não está polarizada, o que acontece na
região central?
(A)
Elétrons Livres e Lacunas permanecem nos mesmos lugares;
(B)
Os elétrons livres do lado P são atraídos pelas lacunas e passam para o lado N nas regiões do
centro, formando a camada de depleção ou barreira de potencial;
(C)
Os elétrons livres do lado N são atraídos pelas lacunas e passam para o lado P nas regiões do
centro, formando a camada de depleção ou barreira de potencial;
(D)
Todos os elétrons livres são atraídos pelas lacunas e cruzam o centro da junção até o outro
lado.
12. Na junção PN (Diodo) polarizada diretamente, o que acontece com os elétrons livres e lacunas do
semicondutor extrínseco?
(A)
Os elétrons livres são repelidos pela fonte e vencem a barreira de potencial (camada de
depleção), atravessando até o outro lado e permitindo a passagem da corrente elétrica;
(B)
Os elétrons livres são atraídos pela fonte e vencem a barreira de potencial (camada de
depleção), atravessando até o outro lado e permitindo a passagem da corrente elétrica;
(C)
Os elétrons livres e lacunas são repelidos pela fonte e ficam cada vez mais distantes do
centro da junção, aumentando a barreira de potencial (camada de depleção) e não permitindo a
condução da corrente;
(D)
Os elétrons livres são atraídos pela fonte e ficam cada vez mais distantes do centro da
junção, aumentando a barreira de potencial (camada de depleção) e permitindo a condução de
corrente elétrica;
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13. Na junção PN polarizada reversamente, o que acontece com os elétrons livres e lacunas do
semicondutor extrínseco?
(A)
Os elétrons livres são repelidos pela fonte e vencem a barreira de potencial (camada de
depleção), atravessando até o outro lado e permitindo a passagem da corrente elétrica;
(B)
Os elétrons livres são atraídos pela fonte e vencem a barreira de potencial (camada de
depleção), atravessando até o outro lado e permitindo a passagem da corrente elétrica;
(C)
Os elétrons livres e lacunas são atraídos pela fonte e ficam cada vez mais distantes do
centro da junção, aumentando a barreira de potencial (camada de depleção) e não permitindo a
condução da corrente;
(D)
Os elétrons livres e lacunas são atraídos pela fonte e ficam cada vez mais distantes do
centro da junção, aumentando a barreira de potencial (camada de depleção) e permitindo a
condução de corrente elétrica;
14. O Diodo D1 do circuito abaixo possuí as seguintes características:
Vd = 0,7V
IdM = 500mA
VBR = 50V
Ir = 10µA
D1
V1
12 V
RS
Qual deve ser o valor mínimo do resistor de segurança RS para que o Diodo não queime?
15. Qual dos diodos abaixo apresenta as características de um diodo ideal?
(A)
Vd = 0V, IdM = 0A, VBR = ∞, Ir = 0A
(B)
Vd = 0V, IdM = ∞, VBR = ∞, Ir = ∞
(C)
Vd = ∞, IdM = ∞, VBR = 0V, Ir = ∞
(D)
Vd = 0V, IdM = ∞, VBR = ∞, Ir = 0A
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16. Considerando D1 de Germânio e D2 de Silício no circuito abaixo, calcule a tensão e a corrente em
todos os resistores e também em todos os diodos.
D1
V1
20 V
R1
100 Ω
R2
100 Ω
17. Faça o desenho da curva característica de um diodo Real (gráfico)
D2
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RESPOSTAS:
1–C
2–D
3–C
4–A
5–A
6–B
7–C
8–B
9–A
10 – B
11 – C
12 – A
13 – C
14 – 22,6 Ω
15 – D
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16 –
VD1 = 0,3V
ID1 = 0,19A ou 190mA
VR1 = 0,7V
IR1 = 7mA
VD2 = 0,7V
ID2 = 183mA
VR2 = 19V
IR2 = 0,19A ou 190Ma
17 – Curva característica de um Diodo Real: