UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA - UDESC CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS – CCT DEPARTAMENTO DE FÍSICA – DFIS FÍSICA PARA ENGENHARIA ELÉTRICA FEE0001 – E04 2o Semestre de 2009 Professor: Prof. José Fernando Fragalli e-mail: [email protected] Fone: 4009-7858 Sala 9: Departamento de Física CRONOGRAMA 1. Introdução 27/07 Apresentação da Disciplina. Objetivos da disciplina. O contexto da disciplina no Curso de Engenharia Elétrica. 2. Eletrônica e Mecânica Quântica 29/07 Introdução. O nascimento da Eletrônica. A relação entre a Eletrônica e a Física do Estado Sólido. A relação entre a Física do Estado Sólido e a Mecânica Quântica. 3. Origens da Mecânica Quântica 03/08 Introdução. Conceitos de Relatividade Restrita. O experimento de MichelsonMorley. Postulados da Teoria da Relatividade Restrita. Transformação de Lorentz. A dilatação temporal e a contração espacial. A massa, a energia e o momento linear relativísticos. 05/08 A Radiação de Corpo Negro. O estado da Física no final do Século XIX. Propriedades do campo de radiação. 10/08 Resultados experimentais para a Radiação do Corpo Negro. Modelos teóricos para explicar a Radiação do Corpo Negro. 12/08 Propriedades corpusculares da radiação. A natureza da Luz. O Efeito Fotoelétrico. Resultados experimentais. Modelo de Einstein para a Luz. 17/08 Semana da Engenharia Elétrica. O Fóton e o Efeito Fotoelétrico. O Fóton e a dualidade onda-partícula. O Efeito Compton. A criação e a aniquilação de pares. A produção de Raios-X. 19/08 Semana da Engenharia Elétrica. 24/08 Propriedades ondulatórias da matéria. O Postulado de De Broglie. O experimento de Davisson e Germer. 26/08 O experimento de Thomson. A dualidade onda-partícula para a matéria. O Princípio da Incerteza de Heisemberg. 4. Conceitos de Mecânica Quântica 31/08 Introdução. Os Postulados da Mecânica Quântica. A função de onda. Operadores quânticos. Valores médios de operadores quânticos. A Equação de Schrödinger, A Equação de Schrödinger Independente do Tempo. A Equação de Schrödinger em uma dimensão. 02/09 A partícula livre. A partícula confinada em uma caixa. O potencial degrau. A barreira UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA - UDESC CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS – CCT DEPARTAMENTO DE FÍSICA – DFIS de potencial – o tunelamento. O poço de potencial. O oscilador harmônico simples. 5. Modelos Atômicos 09/09 Introdução. Modelos filosóficos para o átomo – a contribuição da filosofia grecoromana. A contribuição da Química para a compreensão do átomo. A Lei das Proporções Múltiplas de Dalton. A Lei das Proporções Definidas de Proust. A descoberta do elétron. O modelo de Thomson. 12/09 O modelo de Rutherford. A espectroscopia de vapores atômicos. O modelo de Bohr – os Postulados de Bohr. 14/09 O Átomo de Hidrogênio. A Equação de Schrödinger para o Átomo de Hidrogênio. O número quântico magnético. O número quântico secundário. O número quântico principal. O número quântico de spin. 6. Átomos de Muitos Elétrons e Moléculas 16/09 Introdução. O Princípio da Exclusão de Pauli. O átomo de hélio. Átomos alcalinos. A formação de moléculas e sólidos. Ligações iônicas. Ligações covalentes. Ligações metálicas. Estrutura cristalina. 7. Introdução à Física do Estado Sólido 21/09 Introdução. A indistinguibilidade e a estatística quântica – bósons e férmions. A estatística de Fermi-Dirac. O gás de elétrons livres. O modelo de elétrons livres. Densidade de estados. O Nível de Fermi. 23/09 Teoria das Bandas de Energia para sólidos. Sólidos condutores, isolantes e semicondutores. Movimento de elétrons em uma rede cristalina. Condutividade elétrica. Mobilidade dos portadores de carga e sua dependência com a temperatura. Massa efetiva. Defeitos em sólidos. 26/09 Aula de exercícios preparatória para a Prova 1.* 28/09 Prova 1. 8. Semicondutores 30/09 Introdução. Processos de obtenção de semicondutores. Método de Czochralsky. Epitaxia de fase líquida (LPE). Epitaxia por feixe molecular (MBE). Deposição a partir de reações químicas ou processos físicos em fase vapor (CVD ou PVD). 05/10 Estrutura de bandas de energia em um semicondutor. A condução por elétrons na banda de condução. A condução por buracos na banda de valência. Condutividade em semicondutores. 07/10 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos. Impurezas doadoras. Impurezas aceitadoras. A Lei de Ação das Massas. Exemplos. 14/10 Cálculo das concentrações de estados ocupados na banda de condução (BC) e de estados desocupados na banda de valência (BV). Nível de Fermi em semicondutores intrínsecos. Nível de Fermi em semicondutores extrínsecos. 19/10 Efeitos de campos externos sobre a condutividade de um semicondutor. Efeito da temperatura – o termistor. 21/10 Efeito de campo magnético – o Efeito Hall. 26/10 O efeito da radiação eletromagnética – a fotocondutividade e o efeito fotovoltaico. 04/11 Transporte de portadores de carga em semicondutores. Efeitos transientes em semicondutores. Geração e recombinação de portadores de carga. 09/11 Correntes de deslocamento. Correntes de difusão. Relação de Einstein. 11/11 Equação da continuidade. Exemplos de aplicação. UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA - UDESC CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS – CCT DEPARTAMENTO DE FÍSICA – DFIS 9. Dispositivos Semicondutores 16/11 Introdução. A junção pn. Processos de fabricação de uma junção pn. 18/11 O modelo de junção pn abrupta. Discussão qualitativa e quantitativa de uma junção pn em equilíbrio. Discussão qualitativa e quantitativa de uma junção pn polarizada. 23/11 A equação de Schockley – a ruptura reversa. Dispositivos semicondutores de junção pn. O diodo semicondutor. O transistor de junção bipolar (BJT). O transistor de efeito de campo (FET e MOSFET). Outros diodos e transistores. 23/11 Aula de exercícios preparatória para a Prova 2.** 25/11 Prova 2. 30/11 Divulgação do resultado das avaliações no Sistema Acadêmico. 09/12 Exame.*** * fora do horário de aula. ** fora do horário de aula. *** a ser confirmada pelo Coordenador de Curso.