Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto Licenciatura em Engenharia Electrotécnica e de Computadores Electrónica II MONTAGEM E ENSAIO DE UM AMPLIFICADOR OPERACIONAL DISCRETO Jorge André Leitão, Hugo Alexandre Pinto Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 1 INTRODUÇÃO Pretendeu-se com este trabalho montar e estudar um amplificador operacional. O estudo consistiu em várias etapas: 1. Polarização 2. Tensão de desvio à entrada 3. Ganho em malha aberta 4. Largura de banda 5. Compensação da resposta em frequência Par isso foi feita uma análise teórica com cálculos e comentários, seguida de uma simulação em computador com o auxilio do Electronics Workbench (EWB) e posterior montagem no laboratório, procurando comparar os resultados obtidos e justificar eventuais falhas. Por último foram apresentadas algumas conclusões e justificações dos resultados obtidos. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 2 POLARIZAÇÃO ANÁLISE TEÓRICA Para se obter um ganho em malha fechada de –100 V/V escolheram-se as resistências R17 e R18 de modo a que − R17 = −100 . Utilizaram-se para R17 R18 100 KΩ e para R18 1KΩ. Assumiram-se tadas as correntes de base nulas e correntes do emissor iguais às do colector para mais fácil análise. Esta aproximação não introduz grande erro porque o β dos transístores é elevado logo o α é aproximadamente unitário. VB3 = R6 8 .2 VCC = 15 = 10.7 V R5 + R6 3 .3 + 8 .2 VE 3 = VB 3 + 0.7 = 11.4 V = VC 2 Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 3 VB8 = R13 8 .2 (−15) = −10.7 V = VB 7 (−VCC ) = R14 + R13 3 .3 + 8 .2 VE 8 = VB8 − 0.7 = −11.4 V = VE 7 I E7 = I1 = VE 7 − VCC − 11.4 + 15 = = 1.33 mA ≈ I C 7 R12 2.7 VBE 0.7 = = 0.26 mA R8 2.7 Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 4 I C 7 = I 1 + I 2 ⇔ I 2 = 1.33 − 0.26 = 1.07 mA ≈ I E 4 ≈ I C 4 I C 3 ≈ I1 + I C 4 = 0.26 + 1.07 = 1.33 mA ≈ I E 3 I3 = VCC − VC 2 15 − 11.4 = = 3 mA R3 1.2 I C 2 = I 3 − I E 3 = 3 − 1.33 = 1.67 mA ≈ I E 2 I E1 + I E 2 = I C 8 ⇔ I E1 = 3.3 − 1.67 = 1.63 mA ≈ I C1 VC1 = VCC − R2 I E1 = 15 − 2.7 * 1.63 = 10.6 V Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 5 SIMULAÇÃO EM EWB ENSAIO NO LABORATÓRIO Para “medir” uma corrente de 3.3 mA no emissor de Q8 mediu-se a queda de tensão em R16 e variou-se o potenciómetro até obter 1 KΩ*3.3 mA=3.3 V. Q1 Q2 Q3 Electrónica 2 06/2000 VB VC VE VB VC VE VB VC -0.51 V +10.71 V -1.16 V -0.52 V +11.30 V -1.16 V +10.68 V +0.19 V Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 6 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 VE VB VC VE VB VC VE VB VC VE VB VC VE VB VC VE +11.3 V -0.46 V +0.19 V -1.10 V +0.19 V +14.89 V -0.44 V -1.10 V -14.99 V -0.49 V -10.69 V -1.10 V -11.33 V -10.69 V -1.16 V -11.35 V CONCLUSÕES Apesar das aproximações feitas na análise teórica (β muito elevado e VBE=0.7 V) e de eventuais erros de medição no laboratório verificou-se que os valores obtidos são muito semelhantes. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 7 TENSÃO DE DESVIO À ENTRADA (TENSÃO DE OFFSET) ANÁLISE TEÓRICA Com a montagem seguinte é possível medir a tensão de desvio à entrada do amplificador operacional (queda na resistência de 10 Ω): Vio = 10 V1 ⇔ V1 = 1001 * Vio 10 + 10 K Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 8 SIMULAÇÃO EM EWB V1 = 1001 * Vio ⇒ Vio = V1 1.2332 = ≈ 1.23 mV 1001 1001 ENSAIO NO LABORATÓRIO V1 = 1.5 V ⇒ Vio = 1.5 ≈ 1.5 mV 1001 CONCLUSÕES Mais uma vez os valores experimentais e simulados com o EWB são semelhantes. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 9 GANHO EM MALHA ABERTA DO OPERACIONAL ANÁLISE TEÓRICA Ganho do TL081: A1=105 V/V v1 = A1v + − A1v1 v1 = A1 v + − v − ⇒ A1v + − ⇔ v1 = ≈ v+ v = v1 A +1 ( ) 1 v o = A(− vio ) v ⇒ vo = − A 1 10 v = 1001 io 10 + 10 K v1 1 + 1 v v1 1 1 v = vi + vo ⇔ A = 1001 i − 2 2 2 ⇒ v1 = vi − A 2 2 1001 v1 v1 = v + ENSAIO I Substituindo o transístor Q7 por uma resistência de 8.2 KΩ ligada entre os terminais colector-emissor deste. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 10 SIMULAÇÃO EM EWB v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 320 V V ⇒ A = 1001 v i = 1 .9 V 1 .9 Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 11 ENSAIO NO LABORATÓRIO v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 200 V V ⇒ A = 1001 v i = 2 .0 V 2 .0 ENSAIO II Nas mesmas condições mas adicionando um condensador de 220 µF ligado entre a saída do amplificador operacional e o ponto intermédio de junção entre a resistência de 8.2 KΩ e a resistência R12. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 12 SIMULAÇÃO EM EWB v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 8485 V V ⇒ A = 1001 vi = 421 mV 0.42 ENSAIO NO LABORATÓRIO v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 7174 V V ⇒ A = 1001 vi = 0.48 V 0.48 ENSAIO III Com o transístor em Q7 (actuando como carga activa para Q3) Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 13 SIMULAÇÃO EM EWB v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 30 * 10 3 V V ⇒ A = 1001 vi = 0.14 V 0.14 ENSAIO NO LABORATÓRIO v i = 4 .4 V 4 .4 − 2 ≈ 25 * 10 3 V V ⇒ A = 1001 vi = 0.18 V 0.18 CONCLUSÕES Na situação do ensaio III (com o transístor Q7), como VCE=10.2 V e a corrente no emissor ou no colector é aproximadamente 1.34 mA, teriamos Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 14 que ter uma resistência entre colector e emissor de 10.2/1.34=7.6 KΩ. Assim, uma resistência de 8.2 provocará aproximadamente o mesmo efeito na polarização quando comparado com o transístor. Quanto ao ganho, será menor no primeiro ensaio quando comparado com o terceiro já que não tem o transístor Q7 que, com Q4, constitui o andar de amplificação do sinal. Quanto ao segundo ensaio, devido ao condensador de elevada capacidade, a saída é “transportada” para o ponto intermédio de ligação de R12 e a resistência de 8.2 KΩ e provoca um incremento da resistência de saída do amplificador, levando a um ganho maior do que no primeiro caso. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 15 DETERMINAÇÃO DA LARGURA DE BANDA DO OPERACIONAL SIMULAÇÃO EM EWB Resposta em frequência do circuito em malha fechada: A frequência superior de corte em malha fechada é aproximadamente 790 KHz. Através da medição do tempo de subida é também possível calcular a frequência superior de corte em malha fechada: Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 16 t r ≈ 0.46 µs f H * t r ≈ 0.35 ⇒ f H = 0.35 ≈ 760 KHz 0.46 * 10 −6 Os dois valores obtidos são bastante idênticos, como seria de esperar. Para o cálculo da frequência superior de corte em malha aberta utilizouse o primeiro resultado (790 KHz) já que este é mais correcto (o segundo envolveu mais aproximações). f Hma * Ama = f Hmf * Amf ⇒ f hma 790 *10 3 *100 = ≈ 2.63 KHz 30 *10 3 ENSAIO NO LABORATÓRIO tr=0.34 µs tl=2 µs f Hmf * t r = 0.35 ⇒ f h = 0.35 ≈ 1 MHz 0.34 *10 −6 f Hma * Ama = f Hmf * Amf ⇒ f hma = Electrónica 2 06/2000 10 6 *100 ≈ 4 KHz 25 * 10 3 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 17 CONCLUSÕES Como seria de esperar, a frequência superior de corte em malha fechada é maior do que em malha aberta, já que no primeiro caso o ganho é menor e quanto menor é o ganho, maior a estabilidade. Podemos concluir que a estabilidade aumenta com o aumento do feedback (e consequente diminuição do ganho em malha fechada) e o ampificador será muito instável em malha aberta. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 18 ESTUDO DA ESTABILIDADE E COMPENSAÇÃO ANÁLISE TEÓRICA Pretende-se modificar a função de transferência em malha aberta de modo a ter um amplificador em malha fechada estável para qualquer valor de ganho. Para isso foi usado um método que consistiu na introdução de um pólo na função de transferência de modo a aumentar a margem de ganho e consequente estabilidade. Contudo esta técnica diminui a largura de banda do amplificador. Numa primeira experiência introduziu-se um condensador num ponto do circuito onde se verificasse o Efeito Miller, de modo a não ser necessária uma capacidade elevada. Substituiu-se depois por um condensador no ponto de mais elevada impedância do circuito de modo a utilizar-se o Pole Splitting. SIMULAÇÃO EM EWB Utilizando a função Parameter Sweep, verifica-se que a variação do valor da resistência R17 e por consequência do ganho em malha fechada não altera a largura de banda: Resposta em frequência variando R12 Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 19 Resposta temporal variando R17 (transição ascendente) ENSAIO NO LABORATÓRIO Ganho –10: R17=10 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Electrónica 2 06/2000 Transição descendente Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 20 Ganho –5.6: R17=5.6 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Transição descendente Ganho –3.3: R17=3.3 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Transição descendente Ganho –1.8: R17=1.8 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Electrónica 2 06/2000 Transição descendente Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 21 Ganho –1.2: R17=1.2 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Transição descendente Ganho –1: R17=1 KΩ R18=1 KΩ Transição ascendente Electrónica 2 06/2000 Transição descendente Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 22 COMPENSAÇÃO COM C1 (EFEITO MILLER) SIMULAÇÃO EM EWB Resposta temporal variando C1 (transição ascendente) Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 23 Resposta temporal variando C1 (transição descendente) ENSAIO NO LABORATÓRIO C1=10 nF Transição ascendente Electrónica 2 06/2000 Transição descendente Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 24 C1=1.5 nF Transição ascendente Transição descendente Transição ascendente Transição descendente C1=680 pF Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 25 COMPENSAÇÃO COM C2 (EFEITO POLE SPLITTING) SIMULAÇÃO EM EWB Resposta temporal variando C2 (transição ascendente) Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 26 ENSAIO NO LABORATÓRIO C2=100 nF Transição ascendente Transição descendente Transição ascendente Transição descendente Transição ascendente Transição descendente C2=15 nF C2=1 nF Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 27 CONCLUSÕES Para não haver ringing (oscilação do sinal em torno do seu valor final) é necessário um condensador de capacidade mais elevada em C2 do que em C1. Isto deve-se ao Efeito Miller em C1, isto é, a sua capacidade virá multiplicada pelo ganho do estágio. Além disso a largura de banda no primeiro caso será maior, já que o tempo de subida é menor. Quanto aos ensaios laboratoriais em EWB, a capacidade ideal para C1 foi 10 nF e para C2 foi 100 nF (ou 1µF, também aceitável), o que confirma o dito anteriormente. Electrónica 2 06/2000 Montagem e ensaio de um Amplificador operacional discreto Página 28