100 (CEM) Ω(P2)

Universidade Tecnológica Federal do Paraná
Departamento Acadêmico de Eletrotécnica
Engenharias – Eletrônica 1 – ET74C - Laboratório
Prof.ª Elisabete N Moraes
ROTEIRO EXTRA 06-CURVA CARACTERÍSTICA DO TJB
Nome: ______________________________________Turma__________
Data:
____/_____/____
Visto
Objetivos:
Traçar experimentalmente a curva característica de entrada e saída de um
transistor NPN na configuração emissor comum.
Pré-requisitos:
_____________
Nota
_____________
-Saber o que é a curva característica de entrada e saída do TJB.
-Entender o que será realizado na prática
-Capítulo 04 do livro Microeletrônica – Sedra.
-Capítulo 3 e 4 do Boylestad
▪
▪
▪
▪
▪
▪
01 fonte CC variável;
01 proto board
02 multímetros como amperímetros;
02 (01) multímetros como voltímetro
01 resistor 22 de 1/2W
01 resistor 2,7k de 1/2W
▪
▪
01 transistor BC547 ou BC 548 ou equivalente
01 Potenciômetro linear de 1k (P1)
▪
01 Potenciômetro linear de
(P2)
Preferencialmente com os terminais para encaixe em
protoboard (imagem ao lado).
100 (CEM) 
OBS: CONFERIR NA AQUISIÇÃO O VALOR DO POTENCIÔMETRO DE 100 ohms.
ORIENTAÇÕES:
1)Dependendo
do
tipo
do
potenciômetro adquirido pela equipe,
faz-se necessário soldar fios flexíveis,
nos terminais de conexão do
potenciômetro, conforme ilustra a
figura ao lado. Este procedimento,
além de facilitar a conexão mecânica
no protoboard assegura a sua conexão
elétrica.
Figura 01-Potenciômetro
2) Ao executar a montagem, preferir que os terminais dos componentes sejam usados nas interligações. Caso use
jumpers, certifique-se que estão em bom estado
3) Testar a função miliamperímetro dos VOMs antes de utilizá-los!! Para isso use um segundo VOM na função
teste de continuidade. Altere o seletor para a posição que mede mA, na sequência verifique a continuidade entre
os terminais que serão usados para a medida de corrente (mA e comum). Caso a função de medida de corrente
esteja em boas condições, o VOM deverá emitir o sinal sonoro, resultante da baixa impedância do instrumento.
4) O ajuste do P1 e P2 interferem nas outras variáveis do circuito, portanto execute com muito cuidado as variações
dos potenciômetros e confira os valores.
ENM
1
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PREPARAÇÃO:
Teste e identificação do transistor:
a)Com o auxílio do multímetro, identifique o tipo e os terminais do transistor.
Tabela 1 -Consulte o datasheet do TJB usado e indique o valor ou
faixa dos valores dos parâmetros a seguir:
OBS:indicar qual fabricante foi consultado.
1. Ic=________________
2. Pc=________________
3. Icbo=_______________
4. Vce(sat)=_____________
5. Vbe(sat)=_____________
6. hFE= ________________
7. Esboce (ou “cole eletronicamente”) a curva característica Ic=f(Vce) do
transistor em questão
Tipo do transistor:
BC ____________
VOM DIGITAL
Borne +
Borne -
1
1
2
2
3
3
2
3
1
3
1
2
Leitura (mV)
EXECUÇÃO:
Montagem do circuito
I)Levantamento da característica de entrada do transistor (Ib=f(VBE) @VCE=3V).
a)Monte o circuito da figura 02. Sendo P1=1kohm e P2= 100 ou 200 ohms.
+
+
Figura 2- Circuito com transistor NPN na configuração emissor comum.
ENM
2
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b) Varie a tensão VBE através do potenciômetro P1 (1k), conforme indica a tabela 2. Para cada caso meça e anote
a corrente de base, mantendo constante, através do potenciômetro P2, a tensão VCE em 3V.
VBE(V)
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Ib(mA)
Tabela 2.
II) Levantamento da característica de saída do transistor (Ic=f(VCE) @Ib=0 a 0,2mA).
0,7
0,75
0,8
c) Ajuste a corrente de base em 0mA através do potenciômetro P1. Varie a tensão VCE, conforme a tabela 3, através
do potenciômetro P2. Para cada intervalo, meça e anote o valor da corrente Ic.
VCE(V)
0
1
2
3
Ic (mA)
4
5
Ib (mA)
0
0,05
0,1
0,15
0,20
Tabela 3.
d) Repita o item IIc) para os demais valores de Ib, conforme indica a última coluna da tabela 3, mantendo constante
o valor de Ib para cada um dos valores de VCE.
QUESTIONÁRIO:
1. Com os dados da tabela 2, construa o gráfico da característica de entrada do transistor, ou seja,
Ib=f(VBE)@VCE=3V.
2. Com os dados da tabela 3, construa a família de curvas que representam o comportamento de saída do
transistor, ou seja, Ic=f(VCE) @ Ibúltima coluna tabela 3.
OBS: As respostas numéricas das questões 4,5 e 6 devem ser apresentadas em uma única tabela. As
justificativas, quando solicitadas, devem ser respondidas individualmente para cada questão.
3. Calcule o valor de  usando os valores da tabela 3, para VCE=3V. Compare os valores obtidos com o valor
disponibilizado pelo datasheet. Comente sobre a proximidade entre os valores do fabricante e os obtidos
pelo experimento.
4. Usando os parâmetros , calculados na questão 4, determine os respectivos valores do parâmetro .
5. Calcule a potência dissipada pelo transistor, para a condição VCE=3V.
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3
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