cefetsp-uned cubatão

IFSP - campus Cubatão
Lista 1 de ETRA3 1º semestre de 2017 SAI311
Aluno 1:
Aluno 2:
Aluno 3:
Aluno 4:
Data de entrega: 25 de março de 2017
ATENÇÃO: NÃO SERÃO ACEITAS LISTAS:
1. que não estiverem resolvidas em papel almaço pautado;
2. que não apresentarem a resolução de cada questão imediatamente
após o enunciado da respectiva questão;
3. que não apresentarem os gráficos solicitados em papel quadriculado
ou milimetrado.
Professor: Humberto Hickel de Carvalho
1 – Para que temperatura a banda de energia proibida do Silício se iguala à banda
de energia proibida do Germânio?
2 - Calcular a resistência ôhmica de uma barra retangular de Germânio intrínseco
com 2mm de comprimento e 0,04mm de diagonal em sua seção transversal à
temperatura ambiente.
3 - Calcular o valor da resistência da barra do exercício anterior se a mesma for
dopada com impurezas trivalentes com concentração de 4.1018cm-3.
4 - O circuito abaixo representa o sistema de segurança de uma estufa. A
Lâmpada acenderá quando a tensão sobre ela for de 8V. Se a lâmpada possui
resistência de 10kW determine a partir de que temperatura a lâmpada dará o sinal
de perigo. A corrente de saturação do diodo a 20ºC é de 15mA.
5 - Uma carga de resistência igual a 100 e que necessita de uma corrente de
200mA é alimentada a partir da tensão cujo gráfico é mostrado abaixo. Projetar
um circuito estabilizador com diodo Zener, de menor potência máxima possível,
para fornecer a alimentação adequada para a carga a partir da tensão disponível.
vi (V)
35
25
t
6 – Um diodo de silício com concentração Na igual a 5.1016cm-3 e concentração
Nd igual a 8.1013cm-3 apresenta capacitância de transição igual a 20pF quando
submetido a uma tensão reversa de 5V. Calcular a área da seção reta do corpo
desse diodo.
7 - O circuito abaixo utiliza um diodo REAL de silício, cuja curva característica está
representada no gráfico onde cada divisão horizontal do gráfico vale 200mV e
cada divisão vertical vale 1,0mA. Pede-se:
a) Traçar a reta de carga do circuito, usando o próprio gráfico onde está
representada a curva característica do diodo;
b) Através da reta de carga, determinar os valores da tensão sobre o diodo e da
corrente que percorre o circuito;
c) Calcular o valor da corrente de saturação reversa do diodo se a temperatura da
junção for de 30ºC.
8 - Para o diodo do Exercício 7, calcular o valor da resistência dinâmica quando a
corrente vale 10mA.
9 - A corrente de saturação reversa do diodo real no circuito abaixo vale 50nA e a
tensão sobre o resistor, 2,5V. Calcular o valor da tensão VF aplicada se a
temperatura da junção for de 300K.
10- Nos circuitos abaixo todas as lâmpadas são iguais entre si e necessitam de
pelo menos 4,0V para emitir luz. Determinar quais lâmpadas estão acesas.
Considerar que os diodos são de silício e quando em condução deixam sobre si
0,7V.
11 – a) Projetar um RMO que alimente uma carga de 500 com uma tensão
média de 10V a partir da tensão da rede 110V/60Hz. Desenhe a forma de onda da
tensão na carga em função do tempo.
b) Projetar um ROCT que alimente uma carga de 500 com uma tensão média de
10V a partir da tensão da rede 110V/60Hz. Desenhe a forma de onda da tensão
na carga em função do tempo.
c) Projetar um ROCP que alimente uma carga de 500 com uma tensão média de
10V a partir da tensão da rede 110V/60Hz. Desenhe a forma de onda da tensão
na carga em função do tempo.
12 – a) Projetar um RMO que alimente uma carga de 500 com uma tensão
média de 10V e ripple máximo de 10%, a partir da tensão da rede 110V/60Hz.
Desenhe a forma de onda da tensão na carga.
b) Projetar um ROCT que alimente uma carga de 500 com uma tensão média de
10V e ripple máximo de 10%, a partir da tensão da rede 110V/60Hz. Desenhe a
forma de onda da tensão na carga.
c) Projetar um ROCP que alimente uma carga de 500 com uma tensão média de
10V e ripple máximo de 10%, a partir da tensão da rede 110V/60Hz. Desenhe a
forma de onda da tensão na carga.
13 – Dados os circuitos abaixo, onde V1 e V2 são tensões que valem 0V ou 10V,
preencha as tabelas abaixo e identifique qual a função de cada um dos circuitos.
CIRCUITO 1
V1
V2
Função do circuito
I1
I2
I3
CIRCUITO 2
V0
I1
I2
I3
V0
14 – Dados os circuitos abaixo e vi(t), que é o mesmo para todos os circuitos,
desenhe v0(t) para cada um dos circuitos.
15 - Dados os gráficos das tensões va e vb abaixo, projetar e desenhar o diagrama
de um circuito grampeador que recebendo va em sua entrada, forneça vb em sua
saída. Os gráficos contemplam apenas o estado permanente do circuito.