Synchronous DRAM

UNIVERSIDADE
FEDERAL
DOSEMI-ÁRIDO
SEMI-ÁRIDO
UNIVERSIDADE
FEDERALRURAL
RURAL DO
DEPARTAMENTO
DE DE
CIÊNCIAS
NATURAIS
DEPARTAMENTO
CIÊNCIASEXATAS
EXATAS E E
NATURAIS
CURSO DE CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
CURSO DE CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO
Arquitetura e Organização de
Computadores
04 - Memória Principal I
Prof. Sílvio Fernandes
Exemplo análogo

Agente secreto 89

O assassinato de um líder mundial está para acontecer

O agente secreto 89 deve descobrir quantos dias faltam
para o assassinato

Ele tem um contato com essa informação

Para ninguém descobrir essa informação foi espalhada
por uma série de 10 caixas postais

Há 10 chaves e um conjunto de instruções para decifrar
informação
2
Exemplo análogo

Agente secreto 89 (Conjunto de instruções)
1.
A informação em cada uma das caixas está escrita em
código.
2.
Abra a caixa 1 primeiro e execute a instrução
localizada lá.
3.
Continue pelas caixas restantes, em sequência, a
menos que seja instruído do contrário.
4.
Uma das caixas está preparada para explodir quando
for aberta.
3
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
Caixa 1
Caixa 2
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
Caixa 9
Caixa 10
4
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
Caixa 2
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
Caixa 9
Caixa 10
5
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
Caixa 2
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
9. 11
Caixa 10
6
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
No. Agente = 89
No. Armazenado em (9) = 11
Caixa 2
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
89 + 11 = 100
9. 11
Caixa 10
7
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
Resultado anterior = 100
No. Armazenado em (10) = ?
100 / ? = ?
9. 11
Caixa 10
8
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
9. 11
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
Caixa 3
Caixa 4
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
Resultado anterior = 100
No. Armazenado em (10) = 2
100 / 2 = 50
10. 2
9
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
Resultado anterior = 50
No. Armazenado em (8) = ?
50 - ? = ?
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
Caixa 4
9. 11
Caixa 5
Caixa 6
Caixa 7
Caixa 8
10. 2
10
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
Resultado anterior = 50
No. Armazenado em (8) = 30
50 - 20 = 30
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
Caixa 4
Caixa 6
Caixa 5
8. 20
Caixa 7
9. 11
10. 2
11
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
4. Se o resultado
anterior não for igual
a 30, vá para a caixa
(7). Caso contrário
continue para a
próxima caixa.
Resultado anterior = 30
Caixa 6
Caixa 5
8. 20
Caixa 7
9. 11
10. 2
Conjunto Instruções - Sílvio
Fernandes
12
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
4. Se o resultado
anterior não for igual
a 30, vá para a caixa
(7). Caso contrário
continue para a
próxima caixa.
5. Subtraia 13 do
resultado anterior
Caixa 7
9. 11
Resultado anterior = 30
30 - 13 = 17
Caixa 6
8. 20
10. 2
13
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
4. Se o resultado
anterior não for igual
a 30, vá para a caixa
(7). Caso contrário
continue para a
próxima caixa.
5. Subtraia 13 do
resultado anterior
6. Retorne para o
quartel-general para
receber mais
instruções.
Caixa 7
9. 11
Resultado anterior = 17
8. 20
10. 2
14
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas
1. Some o número
armazenado na caixa
(9) ao seu número de
código de agente
secreto.
2. Divida o resultado
anterior pelo número
armazenado na caixa
(10).
3. Subtraia o número
armazenado na caixa
(8).
4. Se o resultado
anterior não for igual
a 30, vá para a caixa
(7). Caso contrário
continue para a
próxima caixa.
5. Subtraia 13 do
resultado anterior
6. Retorne para o
quartel-general para
receber mais
instruções.
7.
8. 20
9. 11
BOMBA!
10. 2
Resultado anterior = 17
15
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas



Quem ou que é o agente secreto?
E o conjunto das caixas postais?
Os números de cada caixa?
16
Exemplo análogo
Caixas postais com mensagens codificadas

Quem ou que é o agente secreto?


E o conjunto das caixas postais?



Computador que executa as instruções
Memória contendo instruções (caixas de 1 a 6) e
dados (8 a 10).
Caixa 7 sem equivalentes nos computadores
Os números de cada caixa?

Endereços das posições de memória
17
Memória Principal


Nos primeiros computadores as memórias de
acesso aleatório eram uma matriz de loops
ferromagnéticos em forma de anel (núcleos)
Hoje, o uso de chips semicondutores para memória
principal é quase universal
18
Memória Principal

Organização

Elemento básico = célula de memória

Apresentam 2 estados estáveis (ou semiestáveis)

Capazes de ser escritas, para definir o estado

Capazes de ser lidas, para verificar o estado
19
Tecnologia de Semicondutores
Tipo de memória
Categoria
Mecanismo de
apagamento
Mecanismo de
escrita
Volatilidade
Memória de Acesso
Aleatório (RAM)
Memória de
Leitura e escrita
Eletricamente, em
Nível de Byte
Eletricamente
Volátil
Memória Apenas de
Leitura (ROM)
ROM Programável
(PROM)
Máscaras
Memória apenas
de leitura
PROM Apagável
(EPROM)
Memória Flash
PROM Eletricamente
Apagável (EEPROM)
Não é possível
Luz UV, em nível
de pastilha
Memória
Principalmente
de leitura
Eletricamente, em
nível de Blocos
Não-volátil
Eletricamente
Eletricamente, em
nível de Bytes
20
Memórias RAM


RAM dinâmica (DRAM)‫‏‬

Células armazenam dados com a carga de capacitores

É necessário um circuito de regeneração (refresh)‫‏‬

Usada na Memória Principal
RAM estática (SRAM)‫‏‬

Valores são armazenados usando configurações de flipflops com portas lógicas

Não é necessário o circuito de regeneração

Usada na Memória Cache
21
Memórias ROM

Memória somente leitura

Não volátil, mesmo sem nenhuma fonte de energia

Aplicações


Bibliotecas de funções de uso frequente

Programas do sistema

Tabelas de função
Tamanho moderado pois os dados não precisam ser
armazenados em dispositivos secundários
22
Memórias ROM

Tipos

ROM programável (PROM)

Mais barata que a ROM

Pode ser escrita (eletricamente) apenas uma vez


Necessário um equipamento especial para o processo de
escrita ou “programação”
Somente de leitura e apagável (EPROM)



Lida e escrita eletricamente
Antes da escrita todas as células de armazenamento são
apagados através da exposição à luz ultravioleta intensa
Mais cara que a PROM
23
Memórias ROM

Tipos

Somente de leitura programável
eletronicamente (EEPROM)



e
apagável
Escrita pode ser feita somente nos bytes endereçados sem
modificar os demais
Mais cara que a EPROM e menos densa
Flash


Intermediária entre a EPROM e EEPROM tanto no custo
quanto na funcionalidade
Usa tecnologia elétrica de apagamento
24
Lógica do chip



Memórias semicondutoras vem em chips
empacotados que contêm um array de células de
memória
Para mem. semicondutoras uma das principais
questões de projeto é o no. de bits de dados que
podem ser lidos/escritos de cada vez
Em um extremo o arranjo físico de células no array
é o mesmo que o arranjo lógico de palavras de
memória
25
Exemplos de Arranjos Físicos das Células

Exemplo #01: arranjo físico é igual ao arranjo lógico
das palavras na memória – tal como é percebido
pelo processador
8 bits
EPROM de 8 Mbits
(ou 1 MB)‫‏‬
P0
P1
P2
1M Palavras
P3
P4
...
P220 - 1
26
Exemplos de Arranjos Físicos das Células

Formato da pastilha do Exemplo #01:
32 pinos
1,5 cm2
Pinos de
endereço
Pinos de
Dados
Pino de
Terra
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
D0
D1
D2
Vss
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
Vcc
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
Vpp
A10
CE
D7
D6
D5
D4
D3
Pino de
alimentação
Pinos de
endereço
Pino de
programação
Chip Enable
Pinos de
Dados
27
Exemplos de Arranjos Físicos das Células
Exemplo #02: arranjo em matrizes quadradas contendo
grupos de células (16 Mb = 4 arrays 2048 elementos)
2048 colunas
DRAM de
16 Mbits (ou 2 MB)‫‏‬
...
...
2048
linhas
...
...
...
...
...
11
Decodificador
de linha

...
11
MUX
Decodificador de coluna
11
4
28
Exemplos de Arranjos Físicos das Células

Formato da pastilha do Exemplo #02:
16 pinos
Pino de
Alimentação
Pinos de
Dados
Write Enable
Row Address
Strobe
Number of Chip
Pinos de
endereço
Pino de
Alimentação
Vcc
D0
D1
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Vss
D3
D2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
Pino de Terra
Pinos de
Dados
Column Address
Strobe
Output
Enable
Pinos de
endereço
Pino de Terra
29
Exemplos de Arranjos Físicos das Células



O arranjo em matrizes quadradas de grupos de
células possibilita pastilhas mais densas
A adição de uma linha de endereço faz com que a
quantidade de linhas e colunas da matriz seja
duplicada
A capacidade total de memória da pastilha é,
portanto, quadruplicada
30
Organização em Módulos




Se um chip de RAM contém apenas 1 bit por
palavra, então claramente precisamos de pelo
menos um número de chips igual ao número de bits
por palavra
A seguir um módulo de memória consistindo em
256 K palavras de 8 bits
Para 256 K, um endereço de 18 bits é necessário
O endereço é apresentado a 8 chips de 256 K x 1
bit, cada um oferecendo a entrada/saída de 1 bit
31
Organização em Módulos
Pastilha #01
256 K x 1 bit
DRAM de
256 KB
512
linhas
...
9
...
...
...
...
...
...
MAR
512 colunas
...
MBR
Decodificador
de Coluna
...
7
...
...
1
2
...
512 colunas
9
...
...
...
512
linhas
8
...
...
...
...
...
Decodificador
de Coluna
Pastilha #08
32
Organização em Módulos





Essa organização funciona desde que o tamanho da
memória seja igual ao número de bits por chip
No caso em que um memória maior é necessária,
um array de chips é necessário
A seguir uma memória consistindo em 1M palavras
por 8 bits por palavra
Temos 4 colunas de chips, cada coluna contendo
256 K palavras
Para 1 M palavra, 20 linhas de endereços são
necessários
33
CE
1/512
CE
1/512
CE
C1
1/512
1/512
B1
1/512
A1
1/512
MAR
1/512
Organização em Módulos
CE
D1
1/512
9
MBR
1/512
CE
1/512
CE
C2
1/512
1/512
1/512
B2
CE
D2
2
1/512
...
CE
A2
1/512
1/512
1
9
Habilitação
de Grupo
CE
1/512
Grupo A
Grupo B
Grupo C
Grupo D
C8
1/512
1/512
B8
1/512
CE
A8
1/512
2
1/512
8
D8
CE
1/512
CE
1/512
DRAM de 1 MB
34
Formas de Encapsulamento

Módulos DIP (Dual Inline Package)‫‏‬



Usados em PCs antigos
(XTs, 286s e os primeiros
386)‫‏‬
Soldados diretamente na
placa mãe ou encaixados
individualmente em
soquetes disponíveis na
placa
Upgrade de memória ou
substituição de módulos
era difícil
35
Formas de Encapsulamento

Módulos SIMM (Single Inline Memory Module)‫‏‬
 30 vias
8 MB

72 vias
8 MB
36
Formas de Encapsulamento

Módulos DIMM (Dual Inline Memory Module)‫‏‬



Possuem contatos em ambos
os lados do módulo
Têm 168 vias
Trabalham com palavras
de 64 bits
37
Formas de Encapsulamento

Comparação entre os tamanhos:
Módulo
DIMM
Módulo SIMM
de 72 vias
Módulo SIMM
de 30 vias
38
Evolução Tecnológica em DRAMs

Memórias Regulares

Memórias FPM

Memórias EDO

Memórias SDRAM

Memórias DDR

Memórias DDR2
39
Memórias Regulares





Primeiro tipo de memória usado em PCs
Acesso era feito enviando primeiro o endereço da linha e
em seguida o endereço da coluna
Eram fabricadas inicialmente com tempos de acesso de
150 ns; depois foram fabricadas com tempos de acesso de
120, 100 e 80 ns, para operação com o 286
Utilizadas em computadores XT, 286 e em alguns dos
primeiros 386
Eram encontradas apenas sob a forma de módulos DIP
40
Memórias Regulares
41
Memórias FPM (Fast Page Mode)‫‏‬





Transferem dados em rajadas de 4 palavras em uma mesma linha,
ou página
Baseadas na idéia de que os dados são gravados sequencialmente
na memória
Encontradas na forma de módulos SIMM de 30/72 vias e com
tempos de acesso de 80, 70 e 60 ns
Foram usadas em computadores 386, 486 e nos primeiros Pentium
Tempos de acesso podem também ser dados em termos de ciclos
de clock da placa mãe

por exemplo, 5-3-3-3 em um barramento operando a 66 MHz
42
Memórias FPM (Fast Page Mode)‫‏‬
43
Memórias FPM (Fast Page Mode)

Uma nova operação de
leitura só pode ser iniciada
quando a operação anterior
é encerrada
Pequeno atraso imposto
44
Memórias EDO
(Extended Data Output)‫‏‬

Caracterizadas pela existência de um pipeline interno à
memória


São mais rápidas que as memórias FPM


Uma nova leitura pode ser iniciada sem que a leitura atual tenha
terminado
por exemplo, 5-2-2-2 em um barramento operando a 66 MHz
(ganho de 25 %)‫‏‬
Fabricadas com tempos de acesso de 70, 60 e 50 ns,
encapsuladas em módulos SIMM de 72 vias
45
Memórias EDO
(Extended Data Output)‫‏‬
46
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬

As memórias anteriores trabalham em seus próprios
ritmos, independentemente do clock da placa mãe



Uma FPM projetada para funcionar em placas para
processadores 386 e 486 (25/33 MHz) funciona perfeitamente
em placas para processadores Pentium (66 MHz)‫‏‬
Por isso, elas são tidas como memórias assíncronas
Todas as ações em uma memória SDRAM estão
sincronizadas com a borda de subida do sinal de clock da
placa mãe
47
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬

Estrutura:
SDRAM de 4M x 4 bits = 2 MB
CLK
CS#
WE#
CAS#
RAS#
Lógica
de
Controle
Buffer
de Linha
Registrador
de Modo
Lógica de
Controle
de Banco
Decodificador
de Linha
Decodificador
de Linha
CKE
Buffer
de
Entrada
DQ0
...
DQ3
2048x1024x4
2048x1024x4
Buffer
de
Saída
Decodificador
deDecodificador
Coluna
de Coluna
Buffer
de
Coluna
48
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬

Configuração através do Registrador de Modo

Habilitar (ou não) escrita em rajadas

Definir o tamanho das rajadas (quantidade de palavras)

Definir o tipo das rajadas (sequenciais ou intercaladas)

Definir a latência do CAS

etc
49
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
BA
A10
A9
A8 A7
A6 A5 A4
M11 M10
M9
M8 M7 M6 M5 M4 M3 M2 M1 M0
Reservado
WB
Código
de Op.
Latência
do CAS
A3
BT
A2 A1 A0
Tamanho
da rajada
Tamanho da rajada
M2 M1 M0
M3 = 0
M3 = 1
M3
Tipo da rajada
000
1
1
0
Sequencial
001
2
2
1
Intercalada
010
4
4
011
8
8
100
Reservado
Reservado
101
Reservado
Reservado
110
Reservado
Reservado
111
Pág.completa
Reservado
50
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
BA
A10
A9
A8 A7
A6 A5 A4
M11 M10
M9
M8 M7 M6 M5 M4 M3 M2 M1 M0
Reservado
WB
Código
de Op.
Latência
do CAS
A3
A2 A1 A0
BT
Tamanho
da rajada
M9
Modo de escrita em rajada
M6 M5 M4
Latência do CAS
0
Tamanho de rajada programado
000
Reservado
1
Escrita em uma só posição
001
1
010
2
011
3
100
Reservado
M8 M7
M6-M0
Modo de operação
101
Reservado
00
definido
Normal
110
Reservado
-
-
Reservados
111
Reservado
51
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬


Configuração do Registrador de Modo se dá através do
comando LOAD MODE REGISTER
Outros comandos:

COMAND INHIBIT


NOP


Inibe a execução de comandos na SDRAM
Previne a emissão de comandos indesejáveis durante estados de espera
ACTIVE

Abre (ativa) uma linha de um banco para acesso subsequente

BA: endereço do banco

A0-A10: endereço da linha no banco
52
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
CLK
•
Comando ACTIVE
CKE
CS#
RAS#
CAS#
Don’t care
WE#
A0-A10
Endereço da
Linha
BA
Endereço do
Banco
53
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬

Outros comandos (cont.):

PRECHARGE


BURST TERMINATE


Trunca uma rajada em uma operação de leitura ou escrita
AUTO REFRESH


Desativa uma linha aberta em um banco
Regenera os dados
SELF REFRESH

Regenera os dados na ausência do clock


SDRAM provê seu próprio sinal de clock interno
READ/WRITE
54

Leitura/escrita de dados
Memórias
SDRAM
(Synchronous
DRAM)‫‏‬
CLK
CKE
CS#
RAS#
•
Comando READ
CAS#
WE#
A0-A9
Endereço da
Coluna
A10
Habilitar/desa
bilitar auto
precharge
BA
Endereço do
Banco
Don’t care
55
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
CLK
COMANDOS
READ
DQ
DADOS
Don’t care

NOP
NOP
DADOS
Indefinido
Comando READ com Latência do CAS (CL) = 1
56
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
CLK
COMANDOS
READ
NOP
DQ
DADOS
Don’t care

NOP
NOP
DADOS
Indefinido
Comando READ com Latência do CAS (CL) = 2
57
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬
CLK
COMANDOS
READ
NOP
NOP
DQ
NOP
DADOS
Don’t care

NOP
DADOS
Indefinido
Comando READ com Latência do CAS (CL) = 3
58
Memórias SDRAM
(Synchronous DRAM)‫‏‬

Comparação entre SDRAM de 12 ns e EDO de 60ns:


Barramento operando em 66 MHz:

SDRAM: 5+1+1+1 = 8 ciclos em 4 acessos

EDO: 5+2+2+2 = 11 ciclos em 4 acessos

Conclusão: SDRAM é 30% mais rápida que a EDO
Barramento operando em 82 MHz:

SDRAM: 5+1+1+1 = 8 ciclos em 4 acessos

EDO: 6+3+3+3 = 15 ciclos em 4 acessos

Conclusão: SDRAM é 47 % mais rápida que a EDO
59
Parâmetros de Especificação

CL/tRCD/tRP/tRAS/CMD

CL : intervalo de tempo entre a ativação do CAS e a recepção
dos dados

tRCD: tempo compreendido entre a ativação do RAS e a
ativação do CAS

tRP: tempo requerido entre o término do acesso de uma
linha e o início do acesso a uma outra

tRAS: tempo decorrido da recepção do sinal de seleção de
linha no terminal RAS até a sua ativação propriamente dita

CMD: define o tempo compreendido entre a seleção de um
banco (CS – Chip Select) e a emissão de um comando ACTIVE
60
Parâmetros de Especificação
CLK
ACTIVE
COMANDOS
NOP
NOP
READ/
WRITE
NOP
tRCD
Don’t care

Visualização do parâmetro tRCD
61
Parâmetros de Especificação
CLK
tRP
READ
COMANDOS
ENDEREÇOS
PRE
CHARGE
NOP
NOP
BANCO a,
COL n
BANCO a,
COL m
DADOS
DQ
Don’t care

READ
DADOS
Indefinido
Visualização do parâmetro tRP
62
Parâmetros de Especificação



Exemplo: 2-2-2-5-T1

CL = 2 (ciclos)‫‏‬

tRCD = 2 (ciclos)‫‏‬

tRP = 2 (ciclos)‫‏‬

tRAS = 5 (ciclos)‫‏‬

CMD = 1 (ciclo)‫‏‬
Parâmetros gravados no módulo
Podem ser mudados via SETUP do
BIOS

Configuração do Registrador de
Modo
63
Parâmetros de Especificação


Memórias SDRAM são especificadas também de
acordo com a frequência nominal do barramento,
na forma PCxxx
Exemplos

PC66 → 66 MHz

PC100 → 100 MHz

PC133 → 133 MHz
64
Memórias DDR
(Double Data Rate)‫‏‬

Também chamadas de DDR SDRAM


Transferência de dados se dá na borda de subida e na borda de
descida do clock
Os módulos DIMM DDR e SDRAM são muito semelhantes,
diferenciando-se em:
 SDRAM


Módulo tem 168 terminais

Chanfro duplo
DDR


Módulo tem 184 terminais
Chanfro único
65
Memórias DDR
CLK
COMANDOS
DQ
READ
NOP
NOP
DADOS
NOP
DADOS
DADOS
NOP
DADOS
Don’t care

Comando READ com Latência do CAS = 2

Valores usuais para CL: 2, 2.5 e 3
66
Memórias DDR2


Transferem dados nas bordas de subida e descida
do sinal de clock (como as DDR)
Diferenças entre DDR, DDR2 e DDR3


Versões encontradas no mercado

DDR: 266 MHz, 333 MHz e 400 MHz

DDR2: 533 MHz, 677 MHz e 800 MHz

DDR3: 1066MHz (2x533) ou 1333MHz (2x667)
Alimentação

DDR: 2,5 V

DDR2: 1,8 V

DDR3: 1,5 V
67
Memórias DDR2

Diferenças entre DDR2 e DDR (cont.):

Encapsulamento:

DDR: Módulos DIMM possuem 184 terminais

DDR2: Módulos DIMM possuem 240 terminais
68
Memórias DDR2

Diferenças entre DDR2 e DDR (cont.):

Arranjos dos chips nos módulos:

DDR: Arranjos TSOP (Thin Small-Output Package)

DDR2: Arranjos BGA (Ball Grid Array)
69
Parâmetros de Especificação



DDR(2)xxx/PC(2)yyyy

xxx é o dobro da frequência nominal de clock suportada
pelo chip de memória, em MHz

yyyy é a taxa de transferência máxima alcançada pelo
módulo de memória, em MB/s
Exemplos:

DDR400 → 200 MHz; PC3200 → 3200 MB/s

DDR2-667 → 333 MHz; PC2-5400 → 5336 MB/s
Parâmetros gravados no módulo
70
Referências
• STALLINGS, W. Arquitetura e organização de
computadores: projeto para o desempenho. 8.
ed. Prentice Hall, 2009.
• DELGADO, J.; RIBEIRO, C. Arquitetura de
Computadores. 2 ed. LTC, 2009.
• PATTERSON, D. A. ; HENNESSY, J.L. Organização
e projeto de computadores – a interface
hardware software. 3. ed. Editora Campus,
2005.
71