Método para produção de dispositivos eletrónicos com

Método para produção de dispositivos eletrónicos com barreiras de
difusão de oxigênio metálica-Mg
RESUMO
Foi desenvolvida uma nova tecnologia que
consiste numa metodologia de produção de
dispositivos eletrónicos com uma barreira de
difusão de oxigénio, ultrafina, com a
composição de metal-Mg. A indústria de
dispositivos eletrónicos possui entre seus
maiores desafios o controlo da oxidação dos
eletródios metálicos. Procura-se fabricantes de
dispositivos eletrónicos e/ou transístores
MOSFET
(acrónimo
de
Metal
Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) para
acordo de licenciamento.
DESCRIÇÃO
A utilização de interlayers (barreiras) na
fabricação de dispositivos eletrónicos é uma
resposta à necessidade de evitar a passagem do
oxigénio para o eléctrodo metálico e,
consequentemente, sua oxidação. Com a
crescente miniaturização dos componentes
eletrónicos, a utilização necessária dos
interlayers está condicionada à diminuição dos
mesmos, acompanhando a diminuição de
escala dos referidos componentes. Háfnio,
precursores de amida, ALD não-aquoso, outras
técnicas de deposição como a MBE,
substituição do SiO2 por dielétricos ultrafinos
de SiO2 nitretados e interlayers de nitreto
depostos, entre outras; são algumas das
soluções que foram testadas ao longo dos
últimos anos, todas apresentando deficiências
em diversos níveis. A presente tecnologia
apresenta
uma
nova
abordagem
à
problemática descrita.
Portefolio de Tecnologias – Outros
ASPECTOS INOVADORES E PRINCIPAIS VANTAGENS
A fina película de HFO2 colocada no topo do
substrato de silício não se mistura entre a
barreira e a película de óxido no topo e não
apresenta mudanças de densidade do
substrato;
Melhoria das propriedades elétricas;
Presença de descargas elétricas apenas devido
à técnica de deposição do high gate dielectric
(ALD) utilizada em laboratório.
FASE DE DESENVOLVIMENTO
Testado em laboratório. A tecnologia foi
testada com sucesso em aplicações como
transístores CMOS, dispositivos MEMs e MIMs
e multi-layers.
TIPO DE COLABORAÇÃO PRETENDIDA


Licenciamento
Desenvolvimento Conjunto

Adaptação a necessidades específicas
DIREITOS DE PI
Patente ainda não atribuída
ÁREA DE ATIVIDADE DO PARCEIRO
Indústria
eletrónicacomponentes eletrónicos.
Fabricantes
de
APLICAÇÕES NO MERCADO
A presente tecnologia encontra aplicabilidade
em Componentes eletrónicos para vários tipos
de hardware.
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