Tecnologia em Automação Industrial 2016 ELETRÔNICA II Aula 03 Revisão: diodos Prof. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino https://giovanatangerino.wordpress.com [email protected] [email protected] DIODOS 2 Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino DIODOS Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino DIODO SEMICONDUTOR • O diodo é um dispositivo de dois terminais • É criado pela simples junção de um material do tipo n com outro do tipo p • Idealmente, o diodo: • conduz somente em uma única direção • O sentido definido da corrente convencional para a região de tensão positiva corresponde à ponta da seta no símbolo do diodo. • comporta-se de maneira semelhante a uma chave mecânica controlando a corrente que flui entre seus dois terminais. • Como chave fechada na região de polarização direta (região de condução). • Como chave aberta na região de polarização reversa (região de não condução). Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino DIODO REAL: CURVA CARACTERÍSTICA • Equação de Shockley: • 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇 −1 Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino DIODO IDEAL x REAL DIODO IDEAL DIODO REAL SIMPLIFICADO Leva em consideração a inclinação devido à resistência interna rav DIODO REAL LINEAR Leva em consideração a inclinação devido à resistência interna rav Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino DIODOS ZENER • Opera na região de polarização reversa na tensão Zener (VZ) • Variando o nível de dopagem de um diodo de silício, um fabricante pode produzir diodos Zener com tensões de ruptura de cerca de 2V a valores acima de 1000V. • Na região direta: atua como um diodo comum • Na região de ruptura: • • • • VZ: a tensão é quase constante sobre a maior parte da região de ruptura. IZT: corrente de teste especificada em datasheet. IZM: corrente máxima reversa. PZM: portência máxima reversa. • Aplicação mais comum: regulador de tensão • Reguladores: circuitos que mantêm a tensão na carga quase constante, independentemente da alta variação na tensão de linha e na resistência de carga. Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino EXEMPLOS DIODOS 8 Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 1 • Para a configuração em série do diodo da figura (a), empregando a curva característica do diodo da figura (b), determine: • a) 𝑉𝐷 𝑄 e 𝐼𝐷 𝑄 • Lei das tensões de Kirchhoff: • 𝐸 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑅 = 0 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅 • Para definir a reta de carga: 𝐸 10 • Para 𝑉𝐷 = 0𝑉 𝐼𝐷 = = = 20𝑚𝐴 𝑅 0,5𝑘 • Para 𝐼𝐷 = 0𝑉 𝑉𝐷 = E = 10V • A intersecção entre a reta de carga e a curva característica do diodo define o ponto Q: • 𝑉𝐷 𝑄 ≅ 0,78𝑉 e 𝐼𝐷 𝑄 ≅18,5mA • b) 𝑉𝑅 • 𝑉𝑅 =𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑄 𝑅 = 18,5𝑚𝐴 0,5𝑘Ω = 9,25𝑉 • ou 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 10𝑉 − 0,78𝑉 = 9,22𝑉 • c) 𝑅𝐷 em CC • 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 𝑄 𝐼𝐷 𝑄 0,78𝑉 = 18,5𝑚𝐴 = 42,16Ω • Uma vez determinado o ponto Q de CC, o diodo pode ser substituído por sua resistência equivalente CC Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 2 • Repita o exemplo 1 utilizando o modelo aproximado para o diodo semicondutor de silício • a) 𝑉𝐷 𝑄 e 𝐼𝐷 𝑄 • Lei das tensões de Kirchhoff: • 𝐸 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑅 = 0 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅 • Para definir a reta de carga (continua sendo a mesma): 𝐸 10 • Para 𝑉𝐷 = 0𝑉 𝐼𝐷 = = = 5𝑚𝐴 𝑅 0,5𝑘 • Para 𝐼𝐷 = 0𝑉 𝑉𝐷 = E = 10V • A intersecção entre a reta de carga e a curva do modelo aproximado do diodo define o ponto Q: • 𝑉𝐷 𝑄 ≅ 0,7𝑉 e 𝐼𝐷 𝑄 ≅18,5mA • b) 𝑉𝑅 • 𝑉𝑅 =𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑄 𝑅 = 18,5𝑚𝐴 0,5𝑘Ω = 9,25𝑉 • Ou 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 10𝑉 − 0,7𝑉 = 9,3𝑉 • c) 𝑅𝐷 em CC • 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 𝑄 𝐼𝐷 𝑄 0,7𝑉 = 18,5𝑚𝐴 = 37,84Ω Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 3 • Repita o exemplo 1 utilizando o modelo ideal para o diodo semicondutor de silício • a) 𝑉𝐷 𝑄 e 𝐼𝐷 𝑄 • Lei das tensões de Kirchhoff: • 𝐸 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑅 = 0 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅 • 𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅 • Para definir a reta de carga (continua sendo a mesma): 𝐸 10 • Para 𝑉𝐷 = 0𝑉 𝐼𝐷 = = = 5𝑚𝐴 𝑅 0,5𝑘 • Para 𝐼𝐷 = 0𝑉 𝑉𝐷 = E = 10V • A intersecção entre a reta de carga e a curva do modelo aproximado do diodo define o ponto Q: • 𝑉𝐷 𝑄 ≅ 0𝑉 e 𝐼𝐷 𝑄 ≅20mA • b) 𝑉𝑅 • 𝑉𝑅 =𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑄 𝑅 = 20𝑚𝐴 0,5𝑘Ω = 10𝑉 • Ou 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 10𝑉 − 0𝑉 = 10𝑉 • c) 𝑅𝐷 em CC • 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 𝑄 𝐼𝐷 𝑄 = 0𝑉 20𝐴 =0 • A utilização do modelo ideal do diodo deve ser reservada para os casos em que a função de um diodo é mais importante do que níveis de tensão que diferem em décimos de volt e para situações em que as tensões aplicadas são consideravelmente maiores do que a tensão de limiar VK. Prof . Dra. Giovana Tripoloni Tangerino a Exemplo 4 • Para a configuração do diodo em série como o da figura, determine VD, VR e ID. • a) VD • Diodo polarizado diretamente: sentido da corrente estabelecido por E coincide com o sentido da seta do diodo. • VD=0,7V. • b) VR • 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 8𝑉 − 0,7𝑉 = 7,3𝑉 • c) ID • 𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = 𝑉𝑅 𝑅 = 7,3𝑉 2,2𝑘Ω ≅ 3,32mA Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 5 • Repita o exemplo 4 com o diodo invertido • Diodo polarizado inversamente: sentido da corrente estabelecido por E não coincide com o sentido da seta do diodo. • 𝐼𝐷 = 0𝐴 • 𝑉𝑅 = 𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑅 = 0 𝑅 = 0𝑉 • 𝑉𝐷 = 𝐸 − 𝑉𝑅 = 8 − 0 = 8𝑉 • Um circuito aberto pode ter qualquer valor de tensão através de seus terminais, mas a corrente é sempre 0A. • Um curto-circuito tem um queda de tensão de 0V em seus terminais, mas a corrente é limitada apenas pelo circuito em questão. Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 6 • Para a configuração do diodo em série da figura determine VD, VR e ID. • 𝐼𝐷 = 0𝐴 • 𝑉𝑅 = 𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑅 = 0𝐴 1,2𝑘Ω = 0𝑉 • 𝑉𝐷 = 𝐸 − 𝑉𝑅 = 0,5 − 0 = 0,5𝑉 Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 7 • Determine Vo e ID para o circuito em série da figura. • 𝑉𝑜 = 𝐸 − 𝑉𝐾 1 − 𝑉𝐾 2 = 12𝑉 − 0,7 − 1,8𝑉 = 9,5𝑉 • 𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = 𝑉𝑅 𝑅 = 9,5𝑉 680Ω ≅ 13,97mA Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 8 • Determine I, V1, V2 e V0, para a configuração CC em série da figura 𝐸1 +𝐸2 −𝑉𝐷 𝑅1 +𝑅2 10𝑉+5𝑉−0,7𝑉 4,7𝑘Ω+2,2𝑘Ω 14,3𝑉 6,9𝑘Ω • 𝐼 = 𝐼𝐷 = = = ≅ 2,07𝑚𝐴 • 𝑉1 = 𝐼𝑅1 = 2,07𝑚𝐴 4,7𝑘Ω = 9,73𝑉 • 𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2,07𝑚𝐴 2,2Ω = 9,73𝑉 • 𝑉0 = 𝑉2 − 𝐸2 = 4,55𝑉 − 5𝑉 = −0,45𝑉 • O sinal de menos indica que Vo tem uma polaridade oposta à mostrada na figura. Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 9 • Determine Vo, I1, ID1 e ID2 para a configuração do diodo em paralelo. • Vo =0,7V • A tensão sobre elementos em paralelo é sempre a mesma, ou seja, é a mesma sobre o diodo • 𝐼1 = 𝐸−𝑉𝐷 𝑅 • 𝐼𝐷1 = 10𝑉−0,7𝑉 = = 28,28𝑚𝐴 0,33𝑘Ω 𝐼1 28,18𝑚𝐴 𝐼𝐷2 = = = 14,09𝑚𝐴 2 2 • Esse exemplo indica uma das razões para que diodos sejam colocados em paralelo. • Se a corrente nominal dos diodos fosse apenas 20mA, uma corrente de 28,18mA danificaria o dispositivo se fosse utilizado só um para o circuito. • Colocando os dois em paralelo, limitamos a corrente a um valor seguro de 14,09mA com a mesma tensão nos terminais. Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino Exemplo 10 • Determine as correntes I1, I2 e ID2 para o circuito da figura • nós em paralelo • 𝐼1 = 𝑉𝐾2 𝑅1 = 0,7𝑉 3,3𝑘Ω = 0,212𝑚𝐴 • Aplicando as leis das Tensões de Kirchhoff na malha indicada no sentido horário produz: • −𝑉2 + 𝐸 − 𝑉𝐾1 −𝑉𝐾2 = 0 • 𝑉2 = 𝐸 − 𝑉𝐾1 −𝑉𝐾2 = 20𝑉 − 0,7𝑉 − 0,7𝑉 = 18,6𝑉 • 𝐼2 = 𝑉2 𝑅2 = 18,6𝑉 5,6𝑘Ω = 3,32𝑚𝐴 • Pela lei dos nós, no nó inferior a: • 𝐼𝐷2 + 𝐼1 = 𝐼2 • 𝐼𝐷2 = 𝐼2 − 𝐼1 = 3,32𝑚𝐴 − 0,212𝑚𝐴 = 3,11𝑚𝐴 Profa. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino