INSTITUTO SUPERIOR DE CIÊNCIAS DO TRABALHO E DA EMPRESA Guia do 2º Laboratório FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR Objectivos e regras de funcionamento: Com este trabalho pretende-se que o aluno consolide os conhecimentos teóricos adquiridos relativos ao funcionamento e às principais montagens do transístor de junção bipolar (TJB). O trabalho pressupõe a leitura prévia deste enunciado. A simulação e a subsequente obtenção e interpretação de resultados têm lugar no laboratório, acompanhadas pelo docente para esclarecimento das dúvidas. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR o Análise do comportamento eléctrico do TJB em regime estacionário. o Esboço da influência da temperatura nas características eléctricas do dispositivo. o Estudo das montagens básicas em que o TJB é usado como amplificador. Montagem de emissor comum Montagem de colector comum Montagem de base comum Formulário Equações de Ebers-Moll e 1 e 1 I E I ES evBE /VT 1 R I CS evCE /VT 1 I C I CS vCE / VT I F ES vBE / VT Aproximações R I CS F I ES I S IC IS e V BE VT Definições F F 1F F F 1 F VT kT q T 300 K 25mV R R 1R R (Zona Activa) F IC IB R 1 R (Zona Activa Inversa) R V CBC te. IC F I B IE IB V EB C te. I E R I B Conversão de Graus em Kelvin K 273.15 Cº Convenções 1. Grandeza em Maiúsculas – Índice em minúsculas Componente DC ou seja, o ponto de funcionamento em repouso (PFR), exemplo: Ic, Ib, Vo 2. Grandeza em minúsculas – Índice em minúsculas Pequenos sinais normalmente correspondendo à componente AC, exemplo: ic(t), ib(t), vo(t), vi(t) 3. Grandeza em minúsculas – Índice em Maiúsculas Soma do PFR com o pequeno sinal, exemplo: iC(t), iB(t), vI(t) Temos então que: iC(t)=Ic+ic(t); iB(t)=Ib+ib(t); vO(t)=Vo+vo(t), etc Software Electronics workbench, Multisim Simulação em Multisim Em “Ouptut Variables” para obter os valores de corrente Ic ou Ie ou Ib nos transístores ou o valor de corrente nas resistências pode utilizar as opções: More Options; Add device/model parameters. Para obter a corrente num dado ponto pode adicionar uma resistência de impedância nula nesse troço e representar a corrente nessa resistência. Pode usar a análise DC sweep para traçar as características eléctricas do TJB. A análise parameter sweep permite efectuar uma análise DC sweep no caso em que se varia as amplitudes de fontes do circuito, mas é mais flexível, nomeadamente permite variações segundo uma escala logarítmica, e variar outros parâmetros. Sempre que necessário deve alterar as escalas ou a gama de valores observados nos resultados das simulações de forma que sejam visíveis os fenómenos pretendidos, de acordo com a matéria leccionada nas aulas teóricas. Parâmetros e dimensionamento (n = #grupo - cuidado não contar com o turno!) O transístor a utilizar é o n-ésimo da lista do Multisim O valor da resistência R é dado por 10k nº k . Estes valores devem ser rigorosamente respeitados com excepção do Transístor. Para este não é fundamental que seja escolhido exactamente o transístor indicado. Procedimento Sugestão: Comece por abrir um documento de Word e vá colocando os resultados que for obtendo. Assim adianta trabalho para o relatório. Pode guardar os resultados na sua área de trabalho de FE, e depois passar para a área no ISCTE, para que lhes possa aceder fora do período de aulas. Para colocar as figuras do Osciloscópio faça Alt->Print Screen para copiar o conteúdo de uma janela. I - Análise do comportamento eléctrico do TJB em regime estacionário XM M 1 R Vc 10 V Vo Q 1 Ib Figura 1. Extracção das características do TJB a partir da montagem de emissor comum. Monte o esquema do circuito anterior. 1. Trace a característica de variação de Vo com a corrente na base Ib. Para tal utilize o comando DC Sweep do Multisim de forma a variar a corrente fornecida pela fonte de corrente Ib. Escolha o valor inicial e final da corrente de forma a evidenciar as diferentes zonas de funcionamento do transístor (zona activa e zona de saturação), e o passo de forma a conseguir mais de 30 pontos na característica. Além disso construa uma tabela com quatro valores da corrente na base e os correspondentes valores da tensão Vo. Para R utilize o valor definido em parâmetros de dimensionamento, que varia de grupo para grupo. 2. Trace a curva característica Ic de Vce com Ib constante, para diferentes valores de Ib. Para tal remova a resistência R donde resulta Vce será igual a Vc e varie este ultimo. Utilize mais uma vez o comando DC Sweep. Para variar o valor de Vce deve colocar esta como primeira fonte. Para fazer o gráfico para diferentes valores de Ib coloque esta como segunda fonte. Faça dois gráficos, um para Vce positivo e um para Vce negativo, e comente as diferenças observadas. Indique as diferentes zonas de funcionamento do BJT. 3. Represente graficamente F(IC) e R(IC). Para tal deve utilizar a opção DC Sweep para obter um conjunto de valores de Ic e Ib, calculando Ic / Ib utilizando outro programa de cálculo (pode exportar para o Excel utilizando um botão na janela de gráficos do MultiSim). Utilize uma escala logarítmica para a corrente, de forma a percorrer uma gama elevada de valores. Para tal pode utilizar a opção parameter sweep. 4. Calcule os valores de F, R para Ic=0.1 mA. 5. Utiliza a característica Ic(Vce) para determinar o valor da tensão de Early. Represente esta no gráfico referido. Esboço da influência da temperatura nas características eléctricas do dispositivo 6. Represente e comente o impacto da variação da temperatura numa das características I C VCE I B C te. para os seguintes valores T=0ºC e T=100ºC. (Nota: Algumas vezes a simulação dá erros! Mas o temperature sweep em geral funciona!) II - Análise do transístor de junção bipolar quando utilizado como amplificador Montagem de emissor comum XSC1 G Rc Rp Vcc Rb A B T Vo C1 Q2 100ohm 9V 0.1uF vi Re 0ohm 1mV 1000Hz 0Deg Figura 2. Montagem de emissor comum. Monte o esquema do circuito anterior. 1. No circuito representado a fonte de tensão Vcc fornece a energia para o funcionamento do circuito. A fonte de tensão, vi representa um sinal de entrada no circuito com uma amplitude de 10mV e uma frequência de 1Khz. Assuma Re = 0. Determine o valor de Rp e de Rc de tal forma o circuito funcione na zona activa directa com Ic=100A e o ganho de tensão do circuito para pequenos sinais seja de 80 vezes. Utilize o valor de F obtido na alínea I.3, com Ic=100A. 2. Determine o ponto de funcionamento em repouso através da opção “DC Operating Point” e compare com os valores previstos teoricamente (Ic, Ib e Vo). 3. Faça uma análise no tempo do circuito (Comando Analises – Transient, com “automatic determine input conditions”) para determinar o valor do ganho de tensão. Esta é semelhante a observar os resultados de uma simulação no osciloscópio. Deve observar o sinal na saída, e comparar a amplitude deste com a amplitude do sinal de entrada. Comente os resultados e compare o valor do ganho de tensão com o previsto teoricamente. Altere a amplitude da fonte de sinal para 10mV e para 100mV e repita a análise no tempo. Comente os resultados obtidos (como variou o ganho?). 4. Obtenha e represente os ganhos de tensão para pequenos sinais utilizando a opção AC Analysis do Multisim. Para tal certifique-se que a opção “use in AC analysis” está activada na tab “Analysis Setup” da fonte de entrada, e que esta tem uma amplitude de um. Varie a frequência desde 100Hz a 1GHz. Comente os resultados. Para medir o ganho de corrente pode substituir a fonte de tensão por uma fonte de corrente. 5. Altere o valor de RP (e apenas o valor de Rp) de forma a alterar o ponto de funcionamento em repouso duplicando aproximadamente a corrente de polarização do colector. Comente o efeito observado no ganho incremental de tensão e no ponto de funcionamento em repouso. Montagem de colector comum Rp Vcc Rb C1 9V Q2 1kohm 0.1uF vi Vo 100ohm Re Rl 100ohm 1V 1000Hz 0Deg XSC1 G A B T Figura 3. Montagem de colector comum. Construa o circuito apresentado. 1. Escolha o valor de Rp de forma que no ponto de funcionamento em repouso a tensão na saída Vo seja aproximadamente 5V. 2. Determine o ponto de funcionamento em repouso através da opção “DC Operating Point” e compare com os previstos teoricamente. 3. Faça uma análise no tempo. Comente os resultados e compare o valor do ganho de tensão e de corrente com o previsto teoricamente. 4. Represente os ganhos incrementais de corrente |iC/iB(f)| e de tensão |vO/vI(f)| entre a entrada e a saída do circuito, utilizando a opção AC analysis do Multisim. Varie a frequência entre 100Hz e 10GHz. Compare-os com os resultados obtidos na montagem de emissor comum. Montagem de base comum Rc Rp C2 Vo 0.1uF Q2 V3 9V 10ohm Rb C1 0.1uF Vi 1kohm Re XSC1 10mV 1000Hz 0Deg G A B T Figura 4. Montagem de base comum. Construa o esquema o circuito representado na figura anterior. 1. Determine o valor de Rp e Rc de forma que o ganho de tensão seja aproximadamente unitário, e que no ponto de funcionamento em repouso a tensão na saída, Vo seja aproximadamente 6V. 2. Determine o ponto de funcionamento em repouso através da opção “DC Operating Point” e compare com os previstos teoricamente. 3. Faça uma análise no tempo. Comente os resultados e compare o valor do ganho de tensão e de corrente com o previsto teoricamente. 4. Represente os ganhos incrementais de corrente |iC/iB(f)| e de tensão |vO/vI(f)| entre a entrada e a saída do circuito, utilizando a opção AC analysis do Multisim. Faça variar a tensão entre de 100Hz a 10GHz. Compare-os com os resultados obtidos na montagem de emissor comum e colector comum. Verificações experimental Os transístor fornecidos no laboratório (C547PN93) têm um ganho de corrente, , de aproximadamente de 640. As resistência indicadas foram calculadas para este calor de . Estes devem ser montados utilizando o esquema, C B E Monte na breadbord o circuito referente à montagem emissor comum, removendo a resistência Rb, tal como representado em baixo. Utilize para fonte de tensão uma pilha de 9V disponível no laboratório. No circuito apresentado o PFR de Vo é de 7.25V. Qual será o valor de Vo no PFR para Rc=8.2kohm? Qual é o valor de Ic? Qual seria o efeito de adicionar uma resistência no emissor? XSC1 3.3kohm 10Mohm Rp Rc G Vo A C1 Vcc B T Q1 0.1uF 9V vi 10mV 1000Hz 0Deg 1. Meça o valor do ganhe de tensão para uma tensão de entrada do circuito para uma frequência de entrada de 100Hz e uma amplitude de 10mV. 2. Determine o valor máximo da tensão de entrada que evita a saturação da saída. 3. Meça o valor do ganho de tensão para uma frequência de entrada de 10Hz, 1kHz, 10kHz até 1GHz. 4. Coloque na saída uma resistência de 100 para a massa. Determine novamente o ganho de tesão. Monte na breadbord o circuito referente à montagem colector comum, mas remova o andar de entrada, tal como representado na figura em baixo. Não desmonte o circuito anterior. Ajuste o gerador de sinais para que este gere uma tensão contínua de 4.5V (ou 7.25V), utilizando par tal o botão de offset do gerador. Se ligar este circuito a uma coluna com uma impedância de 8homs tal resulta que para um sinal com uma amplitude de 4V a corrente de saída terá uma amplitude de 0.5 A e a corrente na base será de 0.8mA. Se o circuito for ligado à saída do circuito emissor comum anterior, ele perturbará o funcionamento do primeiro? Supondo que bateria alcalina (4euros!) consegue fornecer 1W (Vo > 7 V) durante uma hora, o que corresponde aproximadamente a uma capacidade de cerca de 100mAh, e se o circuito apresentado for ligado a uma entrada de coluna, com um condensador de desacoplamento na entrada, quanto tempo deve durar a pilha? vi Q1 Vcc 9V V1 Vo 7. 2 5V 1V 100Hz 0Deg Re 100 ohm 5. Meça o valor do ganhe de tensão para frequência de 100Hz, 10kHz, 100kHz, 1MHz. 6. Ligue a saída do circuito do andar emissor comum à entrada do circuito colector comum. Meça o ganho de tensão do circuito. 7. Coloque na saída uma resistência de 100 para a massa. Meça o valor do ganho de tensão do circuito. 8. Ligue a saída do circuito a uma das colunas não amplificadas disponíveis no laboratório e verifique o resultado. Volte a ligar o circuito mas agora sem a montagem colectora comum. Notas As aulas de laboratório devem ser previamente preparadas. O enunciado de cada trabalho será disponibilizado anteriormente à realização da aula de laboratório. Estão disponíveis datasheets de alguns componentes utilizados na página http:/iscte.pt/labeti Elementos a incluir no relatório: · Uma pequena introdução. · Os valores das resistências utilizadas e os dimensionamentos teórico devem anteceder os resultados das simulações. · Descrição pormenorizada do procedimento experimental e de simulação. · Todos os valores medidos, correspondentes a resultados de simulação, valores esperados analiticamente ou resultados reais. · Todos os gráficos requeridos no enunciado correspondentes aos resultados de simulação ou outros. · Comentários sempre que os resultados de simulação não coincidam com os valores esperados analiticamente ou observados durante a demonstração experimental. · Lista das escolhas/decisões tomadas no decurso do trabalho. · Opções de implementação e demonstração de resultados utilizados. · Conclusões