Valvula Triodo O transistor de silicio e germanio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por Bardeen e Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembbro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificação da corrente no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de junção bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da época. Rádio transistorizado modelo TR-1 fabricado pela empresa Regency nos EUA em 1955, utilizando quatro transistores da Texas Instruments. O primeiro rádio Sony, lançado em 1955, quando a empresa ainda tinha o longo nome Tokyo Tsushin Kogyo Kabushiki Kaisha. O nome Sony aparece acima do botão de sintonia e na caixa está gravada a palavra "TRANSISTORIZED". Rádio modelo TR-72 da Sony, foi o A primeira TV inteiramente segundo modelo fabricado pela transistorizada, lançada pela Sony em empresa, em 1956. Era uma versão "de maio de 1960 luxo" do modelo anterior, que apesar do sucesso comercial alcançado era considerado extremamente feio, além do botão de sintonia ser de ajuste muito difícil. Robert Noyce e um dos primeiros CIs fabricados pela Rádio-receptor ICR-100 fabricado pela Sony em Fairchild, 1967, foi o primeiro produto da empresa com 4 transistores utilizando circuitos integrados. Aparelho de surdez com circuitos integrados, lançado em 1964. A calculadora Busicom de 1970, empregando o microprocessador Intel 4004. A primeira calculadora eletrônica portátil, a Bowmar 901B, de 1971. A Datamath de 1971, a primeira calculadora eletrônica produzida pela Texas Instruments. Em 1972 a Hewlett-Packard lançou a HP-35, a primeira calculadora eletrônica portátil a incorporar funções científicas. Gordon Moore, Gordon Moore e o diagrama da "Lei de Moore", que mostra o aumento da capacidade das memórias dinâmicas e redução do tamanho dos dispositivos semicondutores. Suas previsões ficaram então conhecidas como lei de Moore, que estabelece que o número de componentes por circuito integrado dobra a cada dezoito meses, ou quadruplica a cada três anos. Em forma matemática tem-se: (ano-1975)/1,5 (Componentes por chip) = 2 4mA 3mA 2mA 1mA VOLTAR PARA SLIDE 7 CURVAS DO TRANSISTOR IC =hFExIB=150x7,32 IC = 11mA SAIDA SINAL DE ENT; 80V TENSÃO DE COLETOR CORRENTE DE COLETOR SUPRESÃO DE TRANSIENTE VOLTAGEM DE COLETOR FONTE (QUASE) COMPLETA DE TENSÃO DC FONTE REGULADA POSITIVA FONTE REGULADA NEGATIVA RETIFICAÇÃO E FILTRAGEM AMPLIFICADOR PUSH-PULL (SIMÉTRICO) RESPOSTA DO AMPLIFICADOR SIMÉTRICO Tensão Limiar de cond de VBE ESPECTRO DE FREQÜÊNCIA DO AMP. PUSH-PULL FET Field Effect Transistor • Transistor de Efeito de campo. A corrente de saída (Id) é controlada por um campo elétrico produzido por uma voltagem na porta (Vgs) APLICAÇÕES PARA O FET • AMPLICADORES DE IMPEDÂNCIAS EXTREMAMENTE ELEVADAS (MILHÕES DE MEGOHMS) • VOLTIMETROS ELETRÔNICOS • CHAVEAMENTO DE VOLTAGEM. • MULTIPLEXAGEM DE SINAIS DE ENTRADA (ENTRADA DE CONVERSORES A/D) • AMPLIFICADORES DE BAIXO RUIDO. • CONTROLE AUTOMÁTICO DE GANHO, A Corrente Idss é definida como sendo a corrente de saturação quando Vds>Vp Condições de operação do FET Curva de transcondutância do FET CARACTERÍSTICA DE SAIDA DE UM FET CANAL N AS CURVAS DO DRENO SÃO LINEARES PERTO DA ORIGEM CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA - ID X VGS FET COMO RESISTOR CONTROLADO PELA PORTA RESPOSTA DINÂMICA DE DIVISOR RESISTIVO A FET FET COMO CHAVE PARALELA Circuito equivalente O FET COMO CHAVE PARALELA Entrada com nível médio NOTA – Quando a tensão de controle é mais negativa que a tensão de corte (no caso, -3V), o FET se comporta como uma chave aberta e a saída é igual à entrada. – Desde que a tensão de entrada seja suficientemente pequena, o FET permanecerá na região de corte desde que a entrada fique negativa durante parte do ciclo. AÇÃO DE UMA CHAVE FET NUM SINAL COM PARTE NEGATIVA