Par Diferencial

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INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO
Universidade Técnica de Lisboa
Electrónica Geral
Par Diferencial
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Par Diferencial com Transistores
Bipolares
-VEE
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Modo diferencial e Modo Comum
As duas entradas do par diferencial são as tensões vB1 e vB2.
VC 
VB1  VB 2
2
VD  VB1  VB 2
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Par diferencial com entrada de modo comum
As correntes dos dois colectores são
exactamente iguais.
Em cada colector IC=aIE
Em que ab/b1
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Par diferencial com entrada diferencial de
grande amplitude
Existindo uma entrada diferencial
de amplitude razoavelmente
elevada (vD=1 V) a corrente
passará toda por um dos
transistores.
Note-se que:
vB1=vC+vD/2=0,5+0,5 V
vB2=vCvD/2=0,50,5 V
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Par diferencial com entrada diferencial de
grande amplitude
Neste caso as entradas são:
vB1=vC+vD/2=0,50,5 V
vB2=vCvD/2=0,5+0,5 V
Note-se que o transistor que
conduz toda a corrente não deve
chegar a saturar.
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Par diferencial com entrada diferencial de
pequena amplitude
Considerando que a fonte
de corrente I é ideal, a soma
das correntes nos dois
emissores mantém-se igual
a I.
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Correntes de colector em modo diferencial
iC1  I S evBE1 / uT
iC   I S evBE  / uT
I EE  I E1  I E  
iC1 iC  I S vBE1 / uT


(e
 evBE  / uT )
a
a
a
vD  vBE1  vBE 
iC1 
aI EE
1 evD / uT
iC  
aI EE
1 e vD / uT
iC1  iC   aI EE  I EE
iC1  iC   I EE /  quando vD  
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Correntes de colector em modo diferencial
I=IEE
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Ganho
Pode considerar-se que a zona linear de funcionamento corresponde a vD = uT
No ponto de equilíbrio vD=0 :
iC1  g m vBE1
,
vBE1  vBE 
vD


iC1 g m aI EE /  I EE



vD

uT
uT
v1   RC iC1
v1  v   RC (iC1  iC  )
v   RC iC 
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Ganho
Os ganhos medidos na tensão de cada colector e na diferença de tensões
serão:
I
v1   RC EE vD
uT
I
v1  v1  v1   RC EE  vD
uT
I
v   RC EE vD
uT
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Linearização da Característica por Colocação de Resistências
nos Emissores
iC1  iC 2  I
vD  vB1  vB 2  Re (iC1  iC 2 )
Desprezando vB1  vB 2 face a Re (iC1  iC 2 )
I  iC1  iC 2
vD
 iC1  iC 2
Re
Resulta por soma e subtacção
iC1 
I vD

2 2 Re
iC 2 
I vD

2 2 Re
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Linearização da Característica por Colocação de Resistências
nos Emissores
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Separação, num circuito com simetria geométrica
nos modos comum e diferencial
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MODO COMUM
A resistência central pode ser dividida em duas, que por estarem
em paralelo terão um valor óhmico duplo.
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MODO DIFERENCIAL
Na resistência central não há corrente, e pode ser retirada do circuito.
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Resultado Final por Sobreposição
É necessário lembrar que o princípio da sobreposição decorre da
linearidade. Em dispositivos não lineares é necessário ter cuidado a
aplicá-lo.
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Par Diferencial Completo para PFR
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Meio Par Diferencial para PFR
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Par diferencial completo em regime incremental
para o modo diferencial
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Dada a simetria basta considerar uma metade do circuito
Considetando a saída no colector do transistor da esquerda o ganho será:
Ad 
vc1
  g m ( RC // ro )
vd / 2
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MODO COMUM
Quando
consideramos o
modo comum temos
de conhecer a
resistência da fonte
de corrente.
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Também aqui se pode dividir o circuito em duas metades
Ao dividir REE em duas
partes passa a ter-se
2REE, porque
REE=2REE//2REE
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Par diferencial completo em regime incremental
para o modo comum
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Também aqui basta considerar meio circuito
Desprezando ro o ganho
fica idêntico ao ganho de
um andar em emissor
comum com resistência de
emissor:
bRC
RC
Ac  

r  (1  b)2 REE
2 REE
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Factor de Rejeição de Modo Comum
(Common Mode Rejection Ratio)
O factor de rejeição de modo comum é definido como a razão entre o
ganho em modo diferencial e o ganho em modo comum: Ad/Ac.
A tensão de saída em modo comum é medida no colector de um dos
transistores, pois a tensão entre os dois colectores é nula.
Definindo o ganho em modo diferencial como Advc1/vd tem-se
Ad 
g m RC
2
O factor de rejeição de modo comum (CMRR) valerá:
CMRR 
Ad
 gm REE
Ac
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Par Diferencial com Transistores
MOS
(Modo Comum)
I
vD1  vD 2  VDD  RD
2
I
 K (VGS  Vt ) 2  VGS  Vt  I / 2 K
2
vS  vC  VGS
A tensão vC só pode estar dentro
de uma dada gama para que os
transistores funcionem na
saturação e a fonte de corrente
funcione correctamente.
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Par Diferencial com Transistores MOS
(Modo Comum)
Ao especificar o valor da corrente I, fica
imediatamente definida a tensão VGS.
I
 K (VGS  Vt )2  VGS  Vt  I / 2 K
2
vS  vC  VGS
Para que os transistores estejam na
saturação:
I
vDS  (VGS  Vt )  VDD  RD  vS  VGS  Vt 
2
I
 VDD  RD  vC  VGS  VGS  Vt 
2
I
 vC  VDD  RD  Vt
2
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Par Diferencial com Transistores MOS
(Modo Comum)
Para que a fonte de corrente funcione
convenientemente a tensão aos seus
terminais deve ser superior a um dado valor
mínimo.
vS  (VSS )  VFCmín  vC  VGS  VSS  VFCmín 
 vC  VGS  VSS  VFCmín
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Par Diferencial com Transistores
MOS
(Modo Diferencial)
Qual a tensão vd que é
necessário aplicar para que
toda a corrente I passe no
transistor da esquerda?
A condição iD1=I permite
obter vGS1.
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Par Diferencial com Transistores
MOS
(Modo Diferencial)
iD1  I  K (vGS1  Vt )2  vGS1  Vt  I / K
Designamos por VODvGS1Vt, a tensão de
“overdrive” na situação de equilíbrio em
que iD1=I/2. Assim:
vGS1  Vt  2 VOD
vd  vGS1  vS =Vt  2 VOD  Vt  2 VOD
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Operação com Sinal de Alto Nível
Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as
expressões das correntes de dreno para cada um dos dois transistores:
 vd / 2 
I
I vd
iD1  
1 

2
VOD 2
 VOD 
iD 2
2
v /2
I
I vd
 
1  d 
2
VOD 2
 VOD 
2
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Operação com Sinal de Alto Nível
Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as
expressões das correntes de dreno para cada um dos dois transistores:
Perto da situação de equilíbrio
o comportamento é
aproximadamente linear e pode
fazer-se
iD1 
I
I vd

2
VOD 2
iD 2 
I
I vd

2
VOD 2
em que g m 
I
VOD
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Controle da Zona de Funcionamento Linear
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Ganho Diferencial em Regime de Sinal de
Baixo Nível
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Ganho de Modo Comum em Regime de
Sinal de Baixo Nível e Factor de Rejeição
de Modo Comum
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Par Diferencial com saída unilateral
Quando se tem um encadeamento
de amplificadores diferenciais só o
primeiro andar necessita de ter a
saída diferencial para obter um
elevado CMRR.
Com saída unilateral poder-se-ia
usar uma montagem como a
representada, mas o ganho fica
reduzido a metade.
Utilizando cargas activas o ganho
pode ser muito elevado pois a
carga pode ter uma elevada
resistência dinâmica.
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Carga Activa Utilizando um Espelho de Corrente
A utilização de um espelho de corrente
como representado permite ter, na
saída unilateral, um ganho idêntico ao
que se obteria com saída diferencial.
No entanto a montagem é muito
sensível às assimetrias dos
componentes pelo que é sempre
necessário introduzir uma malha de
realimentação, que não estudaremos
aqui.
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Situação de Equilíbrio
Situação de equilíbrio, com um
ponto de funcionamento em
repouso exactamente igual nas
duas metades.
No transistor Q3 a tensão VDS é
igual à tensão VGS. A tensão
VDS em Q4 é igual à tensão VDS
em Q3.
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Comportamento Dinâmico
Como as entradas são
diferenciais as variações de
corrente em Q1 e Q2 têm
sentidos contrários.
O espelho de corrente obriga
a que as variações de
corrente em Q1 (e Q3) sejam
iguais às variações de Q4.
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