Memórias

Propaganda
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MEMÓRIAS
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1
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1
DEFINIÇÃO
DEFINIÇÃO
CONCEPÇÃO
MEMÓRIAS PARA LEITURA
MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
BARRAMENTOS
TECNOLOGIAS
ASSOCIAÇÕES
MEMÓRIA FLASH
TAMANHO
2
DEFINIÇÃO
Memória
• Memória é toda forma de manter alguma informação de
modo que ela possa ser recuperada posteriormente.
• O cérebro humano possui sua própria memória.
• Um pedaço de papel contendo alguma palavra ou
ilustração é uma memória.
• Se a informação estiver armazenada mas não puder ser
consultada, então não se tem uma memória.
DEFINIÇÃO
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DEFINIÇÃO
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DEFINIÇÃO
Memória serial e paralela
Memória serial e paralela
• Ao ler um texto, as palavras são formadas
visualmente, no cérebro, de modo que a absorção
da informação é feita instantaneamente.
• A leitura das palavras é feita de forma paralela, isto
é, todas as letras são lidas ao mesmo tempo.
• Esse procedimento permite uma leitura mais rápida.
• Sua desvantagem é a maior dificuldade na busca
por palavras contendo erros de ortografia.
• Uma letra errada pode passar despercebida durante
a formação da imagem da palavra no cérebro.
• Crianças em fase de alfabetização lêem as palavras
de forma serial, isto é, letra por letra.
• Ao ler um texto, as palavras são lidas sequencialmente,
uma após a outra, da esquerda para a direita, de cima
para baixo.
• A leitura das frases é feita de modo serial.
• A leitura serial requer memória para armazenamento das
informações anteriores.
• Pessoas com hiperatividade, déficit de atenção e outros
distúrbios podem ter dificuldade na leitura de frases
muito longas (mais de vinte palavras) por possuírem
pouca memória direcionada a este tipo de atividade.
• A compreensão do significado de uma frase consiste na
conversão da informação serial em paralela.
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DEFINIÇÃO
DEFINIÇÃO
Memória analógica
Memória digital
• Dentro do escopo da engenharia elétrica, temse memórias analógicas e digitais.
• Um exemplo de memória analógica eram os
antigos osciloscópios que permitiam “congelar”
a imagem da onda por meio da excitação das
partículas que formam a tela, mantendo a
imagem fixa por algumas dezenas de segundos.
• Outro exemplo são os filmes fotográficos.
• Discos de vinil e fitas cassete de áudio também
são exemplos de memórias analógicas.
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• Dentro do escopo da eletrônica digital, memórias são
dispositivos capazes de guardar informações
escritas na forma de bits.
• A forma como os bits são armazenados e os níveis
de tensão e corrente relativos a cada valor lógico
(zero ou um) dependem da tecnologia empregada.
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DEFINIÇÃO
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DEFINIÇÃO
Memória digital
Memória digital
• Como exemplo de memórias digitais tem-se os
disquetes magnéticos, as fitas magnéticas, os
discos rígidos, os CD’s, os DVD’s, os Blu-Ray’s, etc.
• Até mesmo informações
ç
gravadas em sites da
g
internet podem ser consideradas como memórias
digitais, pois permitem a gravação e recuperação
de dados, ainda que não se saiba qual é o método
de armazenamento empregado pelo servidor.
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8
http://www.netmultibusca.com.br/img/class/u
pload/062011/sony_n8_60_digital8.jpg
http://www.realistvideo.com/sites/4/component_sto
rage/component_image/Mini-DV.jpg
http://www.acheiobyte.com.br/wp-content/uploads/2011/05/cd-dvd.jpg
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DEFINIÇÃO
http://www.flickr.com/photos/thefrankfurtschool/1305454450/
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CONCEPÇÃO
Memória digital em chip
• Em computação e eletrônica digital, a palavra “memória”
pode receber, dependendo do contexto, um significado
mais específico, restrito aos chip’s de memória.
• Devido ao formato das placas que contém os chip’s de
memória, elas são chamadas de pentes.
CONCEPÇÃO
http://www.studyvilla.com/Images/memory.jpg
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CONCEPÇÃO
ROM de n bits e
2m
CONCEPÇÃO
RAM de n bits e 2m palavras
palavras
Entrada de dados
Entrada de endereços
A0
Am-1
ROM
2mn
I0
In-1
Saída de dados
D0
Dn-1
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Entrada de endereços
A0
Am-1
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2
RAM de n bits e
2m
CONCEPÇÃO
palavras
Bits de controle
CS WE RE OE
CS:
WE:
RE:
OE:
A0
Am-1
RAM
2mn
I/O de dados
Chip
Write
Read
Output
Select
Enable
Enable
Enable
Entrada de endereços
D0
Dn-1
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O0
On-1
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I/O ou W/R
Entrada de endereços
Saída de dados
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CONCEPÇÃO
RAM
2mn
A0
Am-1
15
D0
Dn-1
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CONCEPÇÃO
Decodificador de endereço
• Transforma, de maneira biunívoca, a palavra
binária de endereço em uma posição da
memória, selecionando uma palavra de dados.
• O decodificador de endereço forma a matriz de
entrada da memória construída com a
tecnologia Gate Array.
• Tanto na RAM como na ROM, a matriz de
entrada não é configurável.
• Na RAM, a matriz de saída pode ser
programada.
• Embora um decodificador genérico não precise
usar todas as combinações de entrada, os
24/02/2015 decodificadores das memórias sempre usam.
I/O de dados
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CONCEPÇÃO
RAM
2mn
Decodificador de endereço
Entrada codificada
Saída decodificada
Palavra de endereço
Posição da memória
A0
Am-1
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DEC
m2m
O0
O2m-1
18
3
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2
CONCEPÇÃO
CONCEPÇÃO
Decodificador de endereço
A0
word0
DEC
m2m
add
dress
dec
coder
A3
A matriz de saída
word3
word 2m–1
Am-1
D0 D3
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2
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2
CONCEPÇÃO
Dn-1
20
CONCEPÇÃO
Exemplo de memória de 8  4bits
Barramentos
Addre
ess Bus
Data Bus
DEC
m2m
matriz
de saída
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Address
Datum
0d
000b
0110b
1d
001b
1001b
2d
010b
1100b
3d
011b
1011b
4d
100b
0111b
5d
101b
1011b
6d
110b
0000b
7d
111b
1001b
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CONCEPÇÃO
Word
22
CONCEPÇÃO
Exemplo de memória de 8  8bits
Decodificador de endereço
DEC 38
24/02/2015
Word
Address
Datum
0d
000b
00000001b
1d
001b
00000010b
2d
010b
00000100b
3d
011b
00001000b
4d
100b
00010000b
5d
101b
00100000b
6d
110b
01000000b
7d
111b
10000000b
• Um decodificador genérico constitui
uma memória.
• Um decodificador específico
p
de entrada
codificada
e
saída
decodificada
consiste da matriz de entrada de toda
memória construída na forma G.A.
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CONCEPÇÃO
MEMÓRIAS PARA LEITURA
Exemplo de memória de 16  8bits
24/02/2015
3
Word
Address
Datum
00d
0h
E0h
01d
1h
6Bh
02d
2h
C5h
03d
3h
8Bh
04d
4h
5Ah
05d
5h
74h
06d
6h
22h
07d
7h
D0h
08d
8h
D7h
09d
9h
9Eh
10d
Ah
39h
11d
Bh
F6h
12d
Ch
1Fh
13d
Dh
CAh
14d
Eh
18h
15d
Fh
34h
MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
ROM
ROM
• Um CD e DVD prensados são considerados
ROM, pois sua informação é gravada durante o
processo de fabricação e não após sua
fabricação muito embora a posição física dos
bits no disco influencie no tempo de leitura.
• ROM também pode ser implementada em chip,
chip
quando o layout das máscaras para sua
fabricação já levarem em consideração a
informação que o chip conterá. A posição física
dos bits não afeta o tempo de leitura, mas é
preciso o uso de uma palavra de endereço.
• Convencionou-se que quando se fala apenas
“ROM”, referir-se-á ao chip’s.
• As memórias ROM “read only memory” são
o tipo mais elementar de memória.
• As ROM’s permitem o acesso aleatório.
• Acesso aleatório é aquele que não depende
do acesso anterior,
anterior isto é,
é qualquer posição
da memória pode ser acessado qualquer
que tenha sido a posição do acesso anterior.
• Memórias de acesso sequencial não se
enquadram na categoria ROM.
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
PROM
PROM
• Programmable ROM
• ROM’s programáveis.
• Um CD-R e DVD-R são considerados PROM, pois sua
informação é gravada após o processo de fabricação e
não durante sua fabricação.
• PROM também pode ser implementada em chip, quando
o layout das máscaras para sua fabricação não levam em
consideração a informação que o chip conterá, mas, sim,
um padrão genérico.
• A gravação é feita uma única vez e não permite reversão.
• Convencionou-se que quando se fala apenas “PROM”,
referir-se-á ao chip’s.
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• Embora as PROM’s em chip, os CD-R’s e os DVD-R’s
permitam a escrita, trata-se de um processo separado,
dentro do qual não é permitida a leitura do mesmo.
• Nos discos óticos, esse processo separado requer um
laser com características diferentes.
diferentes
• Nos chip’s, esse processo separado requer níveis de
tensão mais elevados e/ou luz ultravioleta.
• Por esses motivo, tais dispositivos são considerados
como somente de leitura.
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
MEMÓRIAS PARA LEITURA
PROM
PROM
CHIPSET
ROM
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• As memórias ROM e PROM são encontradas
em diversos elementos de um computador,
sendo o “chipset” o mais importante deles.
• O chipset é o controlador de todos os elementos
da placa-mãe e sua programação não pode ser
alterada, a fim de manter a integridade da placa.
• Uma mesma placa-mãe pode suportar
diferentes chipset’s, de diferentes marcas.
• Uma alteração em sua programação poderia
provocar a queima de diversos componentes
internos e periféricos.
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
CHIPSET
CHIPSET
• Com
o
aperfeiçoamento
dos
computadores, os chipset’s passaram a
incorporar, também, circuitos sequenciais
e outras unidades, além da PROM.
• O chipset é formado pela ponte norte e
pela ponte sul.
• Outras placas, além das de computadores,
também podem fazem uso de chipset.
http://files.conexaodireta100.webnode.com.br/200000020-05a4406a1a/chipset
via.jpg
http://files.conexaodireta100.webnode.com.br/200000020
05a4406a1a/chipset_via.jpg
http://techreport.com/r.x/nforce3-250gb/mcp1.jpg
http://4.bp.blogspot.com/-5fFudmRCd6g/TgDyxJg5stI/AAAAAAAAAFw/A2kOYMy2_S8/s1600/amd.jpg
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
CHIPSET
MEMÓRIAS PARA LEITURA
Arquiteturas
http://www.ixbt.com/cpu/inttel/pentium4-32ghz/via-kt600-block.jpg
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• Todo circuito lógico puramente combinacional é
uma ROM, pois, para qualquer combinação das
variáveis de entrada (endereço), há um valor
biunívoco para as variáveis de saída (dado).
• Circuitos lógicos minimizados, construídos de
modo a satisfazer a algum critério de projeto,
projeto
empregam a arquitetura “full-custom”.
• Os critérios podem ser:
• Menor número de portas lógicas
• Menor tempo de resposta
• Menor consumo de energia elétrica
• Menos hazard’s.
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• Outros
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
Arquiteturas
Gate Array
• Se o circuito lógico precisa seguir um critério
pré-estabelecido no uso e posicionamento de
portas lógicas, a arquitetura não é full-custom.
• Se as portas são dispostas em arranjos
matriciais, a arquitetura é gate-array.
• Para grande volume de produção, compensa
usar tecnologia full-custom, onde o custo de
projeto é alto, mas o custo unitário é baixo.
• Para pequeno volume de produção, compensa
usar tecnologia gate-array, onde o custo unitário
é alto, mas o custo de projeto é baixo.
• Semi-custom são opções intermediárias.
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• Os arranjos de portas formam matrizes de contatos.
• PROM’s construídas com a arquitetura GA fazem parte
da família das PGA’s (Programmable Gate Array).
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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Arquiteturas
• As ROM’s gravadas pelo fabricante do chip
oferecem maior segurança contra perda de dados.
• Esta é a memória mais barata que existe e possui
a vantagem de manter sua gravação, mesmo sem
energia elétrica por um tempo relativamente alto.
• A perda de dados ocorre quando o normal
processo de difusão das regiões do circuito
integrado geram problemas como, por exemplo:
• Curto-circuito.
• Circuito-aberto.
• Capacitância parasita.
• Diodo parasita.
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• Alteração de VTH VBR e VP em transistores.
• Existem arquiteturas intermediárias, semi-custom,
onde, por exemplo, o fabricante do chip já possui
as matrizes desenhadas, faltando, apenas, a
programação, que é fornecida pelo cliente e
gravada sobre as máscaras do lay
lay-out
out do chip.
• Após a gravação das máscaras, o fabricante
produz o chip na quantidade encomendada.
• Tanto o custo unitário quanto o custo de projeto
são intermediários entre full-custom e gate-array.
3
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
Arquiteturas
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http://i.ytimg.com/vi/zaLPKUVffjY/0.jpg
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
3
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
Arquiteturas
PROM
Os contatos abertos são diodos queimados.
• Outro tipo de arquitetura semi-custom é aquela onde
o chip possui diversos módulos fixos,
fixos cujas
interconexões podem ser programadas pelo usuário.
http://www.electronics.dit.ie/staff/tscarff/memory/rom.htm
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
PROM
PROM
• Este é o tipo ideal para produção não muito grande.
• A PROM anteior possui três palavras de três bits cada.
• Quando, na via decodificada “An” é 1 (lógica positiva),
o diodo saturado leva o bit “Dm” para 1.
pull-down leva a saída a 0 caso o bit “Dm”
• O resistor de p
esteja desconectado de “A”, ou seja, quando o diodo
está cortado, impedindo corrente reversa.
• Quando D=1, o diodo, reverso, protege as demais vias
“A”, que estão em “0”.
• O diodo queimado não leva o bit “Dm” para 1, Dm ficari
a em alta impedâcia se não fosse o resistor de pulldown, que o leva ao nível 0.
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• Os contatos abertos são
fusíveis queimados.
• O diodo BE do BJT age
como o diodo PN do circuito
anterior
anterior.
• A vantagem do uso do BJT
é a amplificação da corrente
na saída de dados.
http://www.electronics.dit.ie/staff/tscarff/memory/rom.htm
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
PROM
EPROM
http://ustudy.in/sites/default/files/prom.jpg
• As PROM’s são gravadas pelo usuário por um
processo definido pelo fabricante e, uma vez gravado,
não é possível reverter o processo, semelhantemente
à gravação de um CD-R e um DVD-R.
• Um bit PROM é mais caro do que um bit ROM, mas é
mais barato do que um bit SRAM.
• As PROM’s, tal como as ROM’s, têm a vantagem de
manter a gravação mesmo quando desenergizados,
mas por tempo menor, medido em anos.
• Há uma matriz com um diodo em cada célula, e eles
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são
queimados conforme a gravação da memória.
3
• Erasable PROM .
• PROM’s apagáveis.
• Memórias feitas apenas para leitura, mas que
podem ser reprogramadas.
• Isto significa que, em condições normais de
operação, esta memória não suporta escrita,
agem como uma ROM simples, mas, em uma
condição especial, ela pode ser programada.
• Sendo um tipo de ROM, ela não permite a
leitura durante a sua gravação.
• A EPROM é um subconjunto das PROM’s.
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
EPROM
EPROM
• Um
CD-RW
e
DVD-RW
são
considerados
EPROM,
pois
sua
informação pode ser gravada e apagada.
• EPROM também pode ser implementada
em chip. É necessário a incorporação de
semicondutores fotosensíveis.
• Convencionou-se que quando se fala
apenas “EPROM”, referir-se-á ao chip’s.
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EPROM
ROM
PROM
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
EPROM
EEPROM
• Algumas EPROM’s são gravadas por meio de luz ultravioleta em uma janela de quartzo na parte de cima do chip.
• O quartzo é usado devido a sua pequena difração da luz.
• Um adesivo bloqueador de luz é fixado sobre a janela para
evitar que fontes de luz UV venham a alterar a gravação.
• A gravação em EPROM é menos durável do que em uma
PROM.
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• Por usar luz UV de alta definição, o equipamento
gravador de EPROM é bastante caro em
comparação aos equipamentos de gravação de
outros tipos de memória programável.
• Por requerer um equipamento caro em sua
gravação, uma EPROM nunca é gravada no
mesmo circuito onde seus dados são usados.
• Por requerer um equipamento caro em sua
gravação, uma EPROM oferece a garantia de
que, em hipótese alguma, o circuito que usa os
seus dados irá apagá-los..
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http://4.bp.blogspot.com/-6ZpyIFraSok/TakTT52YAtI/AAAAAAAAAAg/wF_EBAo8Rqs/s1600/000388606.png
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
3
MEMÓRIAS PARA LEITURA
EEPROM
•
•
•
•
EEPROM
Electrically Erasable PROM.
PROM’s apagáveis eletricamente.
Também chamadas de E2PROM.
A EEPROM é um subconjunto das EPROM’s.
EEPROM
ROM
EPROM
PROM
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
EEPROM serial
Comparação
• Memória serial é aquela em que a matriz de informações é
acessada por meio de um conversor paralelo/série.
• Esta conversão implica em perda de rapidez no acesso.
• Essa conversão gera redução do número de pinos do
chip, reduzindo o custo de encapsulamento, que responde
por grande parte do custo total em chip’s de baixo custo.
• Esta opção é usada quando os dados são acessados uma
única vez por uso do equipamento, ou são acessados
poucas vezes.
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•Segurança
•Densidade
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
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•Custo por bit
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http://www.engineersgarage.com/sites/default/files/EEPROM24C02_0.jpg?1281348978
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
Firmware
Firmware
• Poder-se-ia utilizar uma PROM ou uma ROM
para a colocação do firmware.
• De fato, esta idéia já foi muito usada.
• Porém, o uso de EEPROM oferece muitas
vantagens pois permite:
vantagens,
• Atualização na produção.
• Atualização pelo usuário.
• Correção de erros de gravação.
• Correção de erros de programação.
• Dados fixos, como número de série, nome
do distribuidor e outros códigos podem ser
24/02/2015 gravados em uma PROM.
• Memória EEPROM usada como firmware pode
ser observada em drives de CD, DVD, Blu-Ray,
HD, pendrives, entre outros.
• É nesta EEPROM que se grava a “firmware”
firmware , um
programa de baixo nível que é executado pelo
microcontrolador do dispositivo ou pelo chipset.
• Nesses casos, usa-se EEPROM serial.
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
Firmware
ROM
• Aplicativos especiais, fornecidos pelos fabricantes,
permitem a reescrita desta memória.
• Um erro em tal procedimento pode provocar a perda
do periférico, pois não é mais possível habilitá-lo
para uma nova escrita por meio do aplicativo.
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• ROM,
PROM,
EPROM
e
EEPROM preservam seus dados
mesmo quando desenergizados.
desenergizados
• Por esse motivo, são chamados
de memórias não voláteis.
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https://www.rh-webs.net/wp-content/uploads/2011/04/linksys-firmware-upgrade_thumb2.jpg
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MEMÓRIAS PARA LEITURA
EPROM
MEMÓRIAS PARA LEITURA
Comparação com memórias analógicas
• Uma ROM, um CD-ROM, um DVD-ROM são
comparáveis aos discos de vinil, onde
fabricação e gravação são realizados em
uma única etapa.
• Uma PROM, um CD-R, um DVD-R são
comparáveis aos filmes fotográficos, onde a
gravação pode ser realizada uma única vez.
• Uma EPROM, um CD-RW, um DVD-RW são
comparáveis às fitas cassete, onde a
gravação pode ser feita várias vezes em um
processo separado e o número de gravações
é limitado.
• CD-RW, DVD-RW, EPROM e EEPROM
sofrem um desgaste a cada operação
de escrita.
• É previsto um número determinado e
limitado de operações de escrita, a partir
do qual o fabricante não garante mais a
veracidade da informação gravada.
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10
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
RAM
•
•
•
•
MEM.
MEM P/ LEITURA E ESCRITA
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Random access memory.
Memória para acesso aleatório.
Memória para leitura e escrita.
Embora leitura e escrita não possam ser realizadas
exatamente no mesmo instante, elas p
podem ser
multiplexadas temporalmente, dando a impressão de
ocorrerem ao mesmo tempo.
• O tempo de leitura e gravação são quase os mesmos.
• Não são necessárias condições especiais para a
realização da escrita.
• A intensidade de operações de escrita não diminuem
a vida útil do dispositivo.
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
Memória do computador
RAM
• A maioria dos chips de memória, em computação, são
usados para o armazenamento temporário de informação.
• Estas informações ficam armazenadas, a princípio, em em
memórias definitivas, como discos rígidos, óticos ou
pendrives, mas são processadas pela CPU.
• Como o acesso aos meios definitivos de armazenamento é
muito lento comparadamente com a rapidez de acesso da
CPU, então estas informações são transferidas,
temporariamente, para a memória (dinâmica) do
computador, tanto quando a CPU lê, como quando a CPU
escreve.
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63
• De modo geral, os computadores possuem dois tipos de
chips de memória temporária, a RAM e a cache.
• A rigor,
g , a p
palavra RAM também p
pode ser atribuída à
cache e a outros dispositivos de armazenamento, porém,
no contexto de computação, a RAM é considerada um
outro tipo de memória; tem-se, então, RAM e cache.
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
DRAM
DRAM
• No caso de computadores, a palavra RAM assume um
significado mais específico e é atribuída a chips destinados
ao armazenamento temporário de grande volume de
informação, que trafega entre a CPU e os outros
dispositivos de armazenamento.
• Essas memórias são chamadas de DRAM – Dinamic RAM.
RAM
• O aumento da memória DRAM melhora consideravelmente
o rendimento do computador uma vez que diminui a
necessidade de acesso, por parte da CPU, aos demais
dispositivos de armazenamento, que são relativamente
lentos.
• As DRAM’s têm esse nome porque precisam ser
constantemente regravadas (refresh).
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clk
CPU
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clk
refresh
DRAM
DVD
HD
RS 232
RS-232
LPT
USB
etc
66
11
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
DRAM
DRAM
• A DRAM é formada por capacitores ligados a transistores,
para cada bit, de modo que a carga capacitiva indique o
nível lógico do bit.
• Para que essa carga capacitiva seja lida, é preciso aplicar
uma corrente,
corrente o capacitor descarrega-se
descarrega se ou carrega-se
carrega se
naturalmente, de modo que a informação precisa ser
reescrita antes que seja perdida.
• A frequência de reescrita, chamada de “refresh rate”,
depende da constante de tempo do circuito capacitivo.
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67
• O transistor é uma resistência ativa, isto é, um
transistor cuja função é formar uma resistência.
• Isto é feito porque, em circuitos integrados, é
mais fácil construir transistores do que resistores.
• A resistência tem a função de regular
g
a constante
de tempo do circuito capacitivo - .
• Quanto maior for , maior é o tempo de carga e
de descarga do capacitor.
  R C
s 
t


CARGA
 VSOURCE  1  e 
VCAPACITOR
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
t


DESCARGA
 VCAPACITOR
 VSOURCE  e 


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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
DRAM
DRAM
• A mesma constante de tempo que preserva a
informação da DRAM por algum tempo é responsável
pela demora em sua escrita e leitura, tornando este tipo
de memória lento em relação às ROM’s e às SRAM’s.
• Por causa da característica deste tipo de memória,
memória ela
é chamada de memória dinâmica e recebe a sigla
DRAM; cada modelo comercial possui um determinado
valor de frequência de operação e, quanto mais alto,
melhor.
http://lwn.net/images/cpumemory/cpumemory.9.png
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69
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70
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
DRAM SIMM e DIMM
DRAM DDR
Single Inline Memory Module
Dual Inline Memory Module
Double Data Rate
http://img.tfd.com/cde/SIMMDIMM.GIF
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http://2.bp.blogspot.com/-KejmeByhqTI/Ta9-eD5DvQI/AAAAAAAAACU/zqxPwb67KME/s1600/ddr.jpg
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12
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
Memória virtual
• Os sistemas operacionais atuais possuem
o recurso da memória virtual, que é a
alocação de parte do disco rígido para ser
usado como uma RAM.
• Isto não resolve o problema da
morosidade deste tipo de armazenamento,
mas impede que o sistema operacional
pare de funcionar por falta de memória.
• Sistemas operacionais como o Linux
alocam uma partição do disco rígido
dedicada exclusivamente para esta
finalidade, chamada de “swap”.
24/02/2015
BIOS
http://www.linuxnewmedia.com.br/i
mages/uploads/materias_online/pa
rticionamento/figura-03-mini.png
73
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
• Uma DRAM é usada na BIOS – “Basic Input / Output System”,
que gerencia os componentes básicos de entrada/saída do
computador, ou seja, os recursos da placa-mãe.
• Em uso normal do computador, esta memória não pode ser
alterada, mas quando se usa o utilitário de configuração da
BIOS ela pode ser reescrita.
BIOS,
reescrita
• Geralmente, o utilitário de configuração não pode ser
acessado através de um sistema operacional, mas, sim, por
meio de uma tecla durante a iniciação da placa-mãe.
• Esta informação, juntamente com o relógio, não pode ser
perdida, por isso existe uma bateria recarregável acoplada ao
sistema, para quando o computador for desligado.
• Esta DRAM guarda as configurações do usuário obtidas com
24/02/2015
74
o uso do utilitário de configuração da BIOS.
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
BIOS
BIOS
http://www.clubedohardware.com.br/imageview.php?image=40
http://4.bp.blogspot.com/-EF0AxG-FLmw/Tbf_pixQsOI/AAAAAAAAAVc/mgXoTXNMDBQ/s1600/bios0.jpg
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75
• Dentro da BIOS, existe uma EEPROM com a gravação do
utilitário de configuração da BIOS – “BIOS Setup Utility”.
• A informação contida na EEPROM, isto é, o “BIOS Setup
Utility”, não pode ser alterado pelo usuário.
• Esta memória pode ser reescrita por meio de um utilitário de
atualização da firmware da BIOS,
BIOS fornecido pelo fabricante.
fabricante
• Um problema na atualização da BIOS faz com que o
computador não inicie (Boot).
• Por ficar gravado em uma EEPROM, o utilitário não é perdido
quando a bateria para de funcionar.
• Computadores antigos não permitiam esta operação e o
utilitário de “BIOS setup” era gravado em uma ROM ou PROM.
24/02/2015
76
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
BIOS
BIOS
• Os dados de configuração da BIOS são gravados em uma
memória volátil. Isso permite que, cortando a alimentação
de energia, possa-se restaurar as configurações padrão.
• Quando o computador está ligado, a fonte principal
alimenta a memória volátil da BIOS e o relógio do
sistema; a pilha é recarregada.
recarregada
• Quando o computador está totalmente desligado, a pilha
alimenta a memória da BIOS, juntamente com o relógio
do sistema.
• Ao envelhecer, a pilha pode falhar e os dados de
configuração da BIOS juntamente com a data e a hora
podem ser perdidos.
• 24/02/2015
“CMOS BIOS checksun failure – defauts loaded”
77
http://1.bp.blogspot.com/-ad0D4_SAqi8/Tbf_zfv2yrI/AAAAAAAAAVg/gGZs1S6dXLk/s1600/BIOS.png
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
SRAM
SRAM
• Embora a DRAM do computador seja muito mais veloz do
que os demais dispositivos de armazenamento, ela ainda
é muito mais lenta do que a capacidade de acesso e
leitura da CPU, sendo, então, necessária uma memória
mais rápida para fazer a conexão entre a DRAM e a CPU.
• Esta memória, mais rápida, é chama de “cache”.
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79
• Cada bit da cache é formada por um latch, um biestável RS
formado por duas portas NAND ou NOR.
• Como o próprio nome diz, o biestável possui dois estados
estáveis em sua saída, zero e um, e, por ser estável, não
precisa ser reescrito, a informação é preservada naturalmente,
uma grande vantagem em relação às memórias dinâmicas;
trata-se, então, de uma memória estática.
• Por esse motivo, a cache também é chamada de SRAM –
“Static RAM”.
• Há outros usos para SRAM, porém, como, em informática, a
cache é uma das únicas aplicações, SRAM e cache tornaramse sinônimos neste contexto.
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Cache
SRAM
CPU
SRAM
DRAM
RAM
M
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CACH
HE
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DVD
HD
RS 232
RS-232
LPT
USB
etc
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
• Por não possuir um capacitor para armazenamento da
informação, a SRAM é mais veloz do que a DRAM.
• As capacitâncias parasitas do latch são bem menores
do que a capacitância da DRAM.
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
SRAM
SRAM
• O latch que forma um bit SRAM possiu muitas portas
lógicas, e cada porta lógica possui muitos transistores.
• Um bit SRAM é muito mais caro do que um bit DRAM.
• Um bit SRAM ocupa muito mais área no lay-out
lay out do
chip do que um bit DRAM.
• Por esses dois motivos, a cache é muito menor em
capacidade de armazenamento do que a DRAM.
24/02/2015
83
• Antigamente, a cache era formada por chips
específicos para esta finalidade.
• Atualmente, ela é construída dentro do chip da
CPU, para eliminar os problemas de temporização
provocados pelas conexões entre chips.
http://1.bp.blogspot.com/-6CufFdAhD2Q/TgslFif1gbI/AAAAAAAAAH4/S4SMspDejAc/s400/cache-de-memoria-2.jpg
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http://www.hardware.com.br/static/blog/17238-cache_html_m3816b3dd.jpg
14
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SRAM
Cache
DVD
HD
RS 232
RS-232
LPT
USB
etc
DRAM
M
L3 CACH
HE
CPU
U
• A cache é organizada em níveis
de hierarquia e existem CPU’s
de um, dois e até três níveis
(level), (L1, L2 e L3).
• O nível mais alto é o mais
importante, onde fica alocada a
maior parte da memória e tem
conexão direta com a DRAM.
• O nível mais baixo tem conexão
direta com a CPU.
L2 CACH
HE
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
L1 CACH
HE
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
http://www.new-social.com/wp-content/uploads/2011/04/Cpu-Z-1.57.1.jpg
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86
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
Organização da memória
Cache
RAM
M
DRAM
L3 CACH
HE
L2 CACH
HE
L1 CACH
HE
SRAM
REGISTRADORES
COR
RE
CPU
Outras
RAM’s
DVD
HD
RS-232
LPT
USB
etc
http://static.hsw.com.br/gif/computer-memory-pyramid.gif
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
Aplicação
Máquinas de estados finitos
• Levando-se em conta que um FF RS é uma memória de um
bit, os FF’s D e JK também são memórias, bem como qualquer
máquina de estados finitos construída com estes FF’s.
• O problema destas memórias é que seu acesso não é
aleatório, depende das entradas, do estado atual e da lógica
do circuito, ou seja, não se trata de uma RAM ou uma ROM.
• Não é somente na computação que
as memórias estão presentes.
• Qualquer
dispositivo
digital
emprega memórias, seja em sua
interface, seja no armazenamento
de dados.
• Aplicações analógicas (sintonizador
de FM, por exemplo) podem ter
interface analógica e usar memória
para armazenar configurações.
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http://www.scielo.org.ve/img/fbpe/rtfiuz/v30n2/art08fig2.gif
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4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
4 MEM. P/ LEITURA E ESCRITA
Contadores
Comparação com a sala de aula
• Contadores podem ser considerados memórias, pois, para
cada estado, existe uma atribuição para as variáveis de
estado, um bit para cada flip flop.
• Entretanto,
Entretanto seu acesso não é aleatório,
aleatório é sequencial,
sequencial e a
contagem depende dos estados, isto é, a sequencia dos
acessos ao estados depende destes estados, inviabilizando
este tipo de memória para o armazenamento de informação.
• A capa do caderno já vem impressa, tal como uma ROM.
• A folha do caderno escrita a caneta é como uma PROM,
vem em branco e, uma vez escrita, não pode ser apagada.
• A folha do caderno escrita a lápis é como uma EPROM,
vem em branco,
branco pode ser apagada,
apagada mas um número
limitado de vezes.
• A lousa é como uma RAM, pode ser apagada um número
ilimitado de vezes sem provocar nenhum desgaste, e isso
não requer nenhum esforço adicional.
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91
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5
BARRAMENTOS
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BARRAMENTOS
Significado de Barramento
BARRAMENTOS
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• Barra é um objeto em formato retangular.
• A palavra “bar”, em inglês, não tem o significado específico
de um local de descontração, como em português. “Bar” se
refere à barra (balcão) onde a bebida (ou comida) é
servida. Isto significa que não se trata de mesas individuais.
• Barramento é um conjunto de objetos alinhados formando
uma barra.
• A palavra “bus”, em inglês, não tem o significado específico
de “ônibus”, porém, em um ônibus, os bancos são
dispostos na forma de barramento, formando, assim, um
tipo específico de “bus”.
• A palavra “ônibus”,“omnibus” provém de “omni - todos”, isto
é, um “bus” para todos.
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5
BARRAMENTOS
BARRAMENTOS
Barramento de dados
Barramento de dados
• “Data Bus”.
• Se for uma ROM, o barramento de dados é unidirecional,
da memória para o processador ou controlador.
• Se for uma RAM, este barramento é bidirecional e o
sentido do fluxo de dados é determinado pelo barramento
de controle.
• O tamanho deste barramento é dado pelo tamanho das
palavras armazenadas na memória, que pode variar de 1
a 128 bits, podendo, em certos casos, exceder este limite.
• Para acessar uma palavra com tamanho maior do que o
barramento de dados, é preciso realizar a leitura por
etapas.
• Em se tratando de um sistema com vários chip’s, cada
um pode conter seu próprio barramento de dados que é
conectado ao barramento de dados do sistema.
• Em se tratando de um microcontrolador, cada módulo
i t
interno
pode
d ter
t
seu barramento
b
t de
d dados
d d
que é
conectado ao barramento de dados do microcontrolador.
• Os barramentos de dados individuais dos módulos ou dos
chip’s costumam ter todos o mesmo tamanho de modo a
tornar-se um único barramento.
• Pode acontecer de algum módulo ou chip ter barramento
de dados menor ou maior do que o do sistema.
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5
5
BARRAMENTOS
BARRAMENTOS
Barramento de dados
Barramento de endereços
• Se um processador de 8 bits lida com uma memória de
16 bits, a leitura/gravação precisa ser multiplexada
temporalmente; primeiro se lê/escreve a metade menos
significativa, depois a metade mais significativa do
barramento de dados da memória.
memória
• Se um processador de 16 bits lida com uma memória de
8 bits, o dado da memória é lido/escrito através da
metade menos significativa do barramento de dados do
processador.
• Ao invés de memória, isso pode acontecer com conversor
A/D, conversor série/paralelo, ULA, porta paralela, etc.
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5
•
•
•
•
“Address Bus”.
Também chamado de entrada de endereço.
É unidirecional.
A memória
ó i possuii várias
ái
palavras
l
armazenadas,
d
t d
todas
do mesmo tamanho.
• O barramento de endereço deve ser capaz de selecionar,
biunivocamente, todas as palavras da memória.
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5
BARRAMENTOS
BARRAMENTOS
Barramento de endereços
Barramento de endereços
• Em se tratando de um sistema com vários chip’s, cada um
pode conter seu próprio barramento de endereços que é
conectado ao barramento de endereços do sistema.
• Em se tratando de um microcontrolador, cada módulo interno
pode
d ter
t seu barramento
b
t de
d endereços
d
que é conectado
t d ao
barramento de endereços do microcontrolador.
• Os barramentos de endereços individuais dos módulos ou
dos chip’s costumam ter diversos tamanhos e a conexão ao
barramento de endereços principal está sujeito a uma lógica
de endereçamento.
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5
• A quantidade de endereços acessáveis por um
barramento de endereços é dado por 2n, onde
“n” é a quantidade de bits do barramento.
• A quantidade de palavras armazenáveis e o
tamanho da palavra determina o tamanho da
memória, para fins comerciais.
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100
5
BARRAMENTOS
BARRAMENTOS
Barramento de endereços
Barramento de endereços
• O tamanho do barramento de endereço da memória pode
ser menor do que o do processador; neste caso, nem
todas as posições endereçáveis pelo processador estão
disponíveis.
• A quantidade de palavras da memória não precisa ser
potência de dois; neste caso, nem todas as posições
endereçáveis no barramento de endereço da memória
estão disponíveis.
• A programação do processador deve levar em
consideração os limites de endereçamento da memória.
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101
A0
CPU
40 bits de endereço
1T palavras
DRAM
33 bits de endereço
8G palavras
A32
A0 até A32
A33
Não
A0 até A39
conectado
A39
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102
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5
5
BARRAMENTOS
BARRAMENTOS
Exemplos
Barramento de controle
• 1k: 10 bits de endereço
• 2k: 11 bits de endereço
• 3k: 12 bits de endereço, com endereços indisponíveis.
• 4k: 12 bits de endereço
• 1M: 20 bits de endereço
• 2M: 21 bits de endereço
• 3M: 22 bits de endereço, com endereços indisponíveis.
• 4M: 22 bits de endereço
• 1G: 30 bits de endereço
• 2G: 31 bits de endereço
• 3G: 32 bits de endereço, com endereços indisponíveis.
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• 4G: 32 bits de endereço
5
• “Control Bus”.
• Também chamado de entrada de controle.
• É chamado controle todos os bits que não
são dados nem endereço.
• Determina
D t
i o tipo
ti de
d ação
ã do
d módulo.
ód l
• Para que funcionem corretamente, as
memórias (ou outros módulos) possuem
diversos pinos de controle.
• Bits de controle podem ser compartilhados
nos barramentos de dados e de endereços.
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5
BARRAMENTOS
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BARRAMENTOS
Barramento de controle
CE e CS
• “Read/Write” (R/W): Um valor lógico configura a RAM para
leitura, e outro valor lógico para escrita. Este controle está
ausente nas ROM’s.
• “Chip
p Enable” ((CE)) ou “Chip
p Select” ((CS):
) Permite desligar
g
o chip. Ao ser desligado, o chip continua sendo alimentado
eletricamente, mas entra em um modo de baixo consumo
de energia, e as operações de leitura e escrita ficam
desabilitadas.
• Muitos chip’s possuem CE e CS.
• É preciso ler a folha de dados (data sheet) do chip para
entender o funcionamento destes comandos.
• Geralmente, a desabilitação
ç
de um chip
p implica
p
na
colocação dos bits de saída de dados em alta impedância
(tri-state).
• Em alguns casos, o comando coloca as saídas em nível
zero (lógica positiva) ou nível um (lógica negativa).
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105
24/02/2015
5
BARRAMENTOS
106
BARRAMENTOS
Barramento de controle
Barramento de controle
• “Output Enable” (OE): Permite ligar ou desligar as saídas
do chip, mantendo as demais partes ligadas. Ao desligar as
saídas, as mesmas são colocadas em modo de alta
impedância “tri-state”, de modo que o barramento de dados
de saída pode ser compartilhado com outros chips.
• “Write Enable” (WE): Permite que os dados contidos no
barramento de dados de entrada sejam transferidos para a
RAM.
• A definição do nível lógico necessário em uma
determinada entrada de controle é identificada por
meio do nome da entrada através do símbolo “/”.
• “/” indica negação booleana.
• A presença de “/” indica ação com valor lógico “0”.
• A ausência de “/” indica ação com valor lógico “1”.
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BARRAMENTOS
TECNOLOGIAS
Exemplos
TECNOLOGIAS
http://electronicstechnician.tpub.com/14091/img/14091_131_2.jpg
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http://www-mdp.eng.cam.ac.uk/web/library/enginfo/mdp_micro/images/busstructure.gif
http://www.talktoanit.com/A+/aplus-website/images/resources-system.jpg
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6
TECNOLOGIAS
TECNOLOGIAS
Parâmetros de memórias
Arquiteturas de memórias
• Densidade: É a relação entre a quantidade de bits que
a memória é capaz de armazenar e a área do chip. Por
exemplo, as SRAM´s usam latches para armazenar os
bits, os latches são circuitos complexos e tornam este
tipo de memória menos densa do que as DRAM
DRAM´s
s.
• Rapidez: É a quantidade de informação que a memória
consegue operar em um determinado tempo. Este
valor pode ser diferente entre leitura e escrita,
considera-se a menor velocidade.
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6
111
• A arquitetura interna de uma memória pode ser bastante
parecida com a de uma PLD ou de um decodificador.
• Tem-se uma matriz de entrada e uma matriz de saída.
• Esses chips podem ter dois tipos de arquitetura: AND-OR e
OR-AND, onde a primeira palavra indica o tipo de porta
lógica usada na matriz de entrada e a segunda palavra
indica o tipo na de saída.
• Na matriz de entrada, tem-se tantas colunas quanto forem
as variáveis de entrada ou de endereço, e tantas linhas
quanto forem as combinações das variáveis de entrada
(2n).
• A matriz de entrada faz o papel do decodificador de
endereço.
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112
6
TECNOLOGIAS
TECNOLOGIAS
Arquiteturas de memórias
Parâmetros de memórias
• O número de linhas da matriz de saída é o da de entrada.
• O número máximo de colunas na matriz de saída é 2x onde x é
o número de linhas.
• Cada coluna na matriz de saída é uma saída de um bit ou uma
função de um bit.
• Juntando-se os bits de saída forma-se palavras de vários bits.
• Se houver dois bits de endereço, tem-se quatro linhas e um
máximo de dezesseis bits de saída. Para três bits de endereço,
palavras de 256 bits na saída; para quatro bits de endereço,
palavras de 65k bits.
• Geralmente, as palavras não passam de 128 bits, por isso as
memórias não usam todas as combinações na matriz de saída.
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113
• Potência: Energia consumida pela memória.
Esse valor pode ser diferente entre os diversos
estados ou modos de operação da memória.
Considera-se a situação de maior consumo.
• Custo: Relação entre a quantidade de bits
armazenáveis e o valor do dispositivo.
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19
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6
6
TECNOLOGIAS
TECNOLOGIAS
Tecnologias de fabricação de integrados digitais
PLD
• Bipolar: Utiliza BJT’s; esta tecnologia é chamada de TTL.
• MOS:
Pode ser nMOS ou pMOS e utiliza MOSFET’s de
canal n ou p, respectivamente.
• CMOS:
Utiliza MOSFET’s complementares.
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• Devido à capacitância de porta, as
memórias CMOS são mais lentas que
as TTL.
• Devido à isolação de porta provocada
pela capacitância de porta, as
memórias CMOS consomem menos
energia.
• Existe, também, a tecnologia BiCMOS.
•
•
•
•
115
Programmable Logic Device
Dispositivo lógico programável
É um sub-conjunto das GA’s.
Possui duas matrizes:
• Matriz de entrada: Forma os termos
• Mintermos: AND
• Maxtermos: OR
• Matriz de saída: Forma as funções
• Somatórios: OR
• Produtórios: AND
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116
6
TECNOLOGIAS
TECNOLOGIAS
PLD
PLD
PLD
• Tipos de GA:
• AND-OR: Análise de “1”
• OR-AND: Análise de “0”
• GA’s também podem conter FF’s.
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ROM
PROM
PAL
PLA
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TECNOLOGIAS
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6
118
TECNOLOGIAS
PLD
• Nas ROM’s e nas PROM’s, a matriz de entrada é o
decodificador de endereços.
• A ROM PLD é aquela que o usuário define por meio da matriz
de saída que é enviada ao fabricante do chip, que produzirá
um chip exatamente com tal programação (semi-custom).
• Uma ROM full-custom, que não se enquadra na topologia G.A.
não se enquadra na categoria PLD, pois toda PLD é uma G.A.
• Nas PROM’s, estão incluídas as EEPROM’s.
• SRAM’s e DRAM’s, embora se enquadrem em uma topologia
G.A., não são PLD’s, pois, por serem voláteis, não são
consideradas programáveis.
• PLD’s podem incluir FF’s para a formação de máquinas de
estadso
24/02/2015 finitos.
119
Matriz de
Matriz de
entrada
saída
Fixa
Fixa
Fixa
Programável
Programável
Fixa
Programável Programável
PLD PROM
• PROM’s são indicadas quando se usa expressões algébricas
na forma canônica, isto é, quando nenhum método de
minimização é empregado, tem-se soma de mintermos ou
produto de maxtermos.
• A forma canônica é mais indicada q
quando o circuito p
possui
muitas funções, isto é, bits na palavra de saída.
• Quanto mais bits de saída existirem, maior será a
probabilidade
de
mintermos
ou
maxtermos
serem
compartilhados, gerando uma redução no uso de portas
lógicas melhor o que a redução gerada por meio da
minimização das funções individuais.
24/02/2015
120
20
24/02/2015
6
TECNOLOGIAS
6
TECNOLOGIAS
PLD PAL
PLD PAL
• PAL’s são indicadas quando se usa expressões algébricas
na forma minimizada
• A forma minimizada é mais indicada quando o circuito
possui poucas funções, poucos bits na palavra de saída.
• Para cada bit de saída há uma porta (AND, OR, NAND ou
NOR), com uma determinada quantidade de entradas. Esta
é a matriz de saída, fixa.
• Cada entrada desta porta é ligada à saída de uma outra
porta, AND se a portade saída for OR, e vice-versa. Esta é
a matriz de entrada.
• Cada porta de entrada corresponde a um produto ou soma,
cujas entradas podem ser programadas pelo usuário.
24/02/2015
6
http://beta.ivc.no/blog/wp-content/uploads/2011/03/pal.png
121
TECNOLOGIAS
24/02/2015
6
122
TECNOLOGIAS
Outros dispositivos digitais
24/02/2015
7
Arquitettura GA
• O decodificador é o caso mais simples de
memória, onde a matriz de saída tem apenas uma
conexão por coluna; neste caso, a quantidade de
colunas é igual à de linhas e são dadas por 2n.
• O decodificador pode ser interpretado como uma
arquitetura GA sem a matriz de saída.
• Codificadores, Decodificadores, Multiplexadores e
Demultiplexadores podem ser implementados em
memórias.
123
Address
Decoder
24/02/2015
7
ASSOCIAÇÕES
124
ASSOCIAÇÕES
Expansão de memória
• Memórias podem ser expandidas a fim de se
aumentar a capacidade de armazenamento, tal como
se faz com decodificadores e demultiplexadores.
• A associação destes dispositivos pode ser vertical,
horizontal ou híbrida.
• Embora estas associações possam ser feitas com
memórias diferentes, elas quase sempre são
realizadas com memórias idênticas ou equivalentes.
ASSOCIAÇÕES
24/02/2015
125
24/02/2015
126
21
24/02/2015
7
7
ASSOCIAÇÕES
RAM/ROM
ASSOCIAÇÕES
2(2m)n
RAM/ROM 4(2m)n
OE0
DEC
12
Am
Am
DEC
Am+1 24
OE1
OE0
MEM
2mn
A0
Am-1
A0
Am-1
D0
Dn-1
OE1
MEM
2mn
OE3
24/02/2015
127
7
OE0
Am
DEC
Am+1 23
A0
Am-1
OE1
OE2
24/02/2015
7
ASSOCIAÇÕES
RAM/ROM
OE2
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
D0
Dn-1
128
ASSOCIAÇÕES
RAM/ROM 2m2n
3(2m)n
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
A0
Am-1
D0
Dn-1
D0
Dn-1
Dn
D(2n)-1
São inválidos todos os endereços onde Am = 1 e Am+1 = 1.
24/02/2015
7
129
7
ASSOCIAÇÕES
RAM/ROM
24/02/2015
ASSOCIAÇÕES
2m3n
RAM/ROM 2(2m)(2n)
Am
A0
Am-1
24/02/2015
MEM
2mn
MEM
2mn
MEM
2mn
130
D0
Dn-1
OE0
OE0
A0
Am-1
Dn
D(2n)-1
D2n
D(3n)-1
DEC
12
24/02/2015
D0
Dn-1
Dn
D(2n) -1
D0
Dn-1
MEM
2mn
MEM
2mn
D0
Dn-1
Dn
D(2n) -1
OE1
OE2
131
MEM
2mn
MEM
2mn
Dn
D(2n) -1
132
22
24/02/2015
7
7
ASSOCIAÇÕES
ASSOCIAÇÕES
ROM 8k12bit
A11
A12
A0
A10
OE3
ROM
2k4-bit
OE3
ROM
2k4-bit
DEC
24
Página 0
ROM
2k8-bit
Página 1
D0
D3
D4
D7
OE2
ROM
2k4-bit
OE2
ROM
2k4-bit
D0
D3
D4
D7
OE2
D8
D11
ROM
2k4-bit
OE1
ROM
2k4-bit
OE1
ROM
2k4-bit
D0
D3
D4
D7
OE1
D8
D11
ROM
2k4-bit
OE0
D0
D3
ROM
2k4-bit
OE0
A0
A10
D4
D7
ROM
2k4-bit
O0
O7
ROM
133
ASSOCIAÇÕES
ROM
8-bit
MUX
41
Página 3
D8
D11
ROM
2k4-bit
2k8-bit
Página 2
2k8-bit
OE0
D8
D11
24/02/2015
7
A12 A11
ROM
OE3
ROM
2k4-bit
ROM 8k8-bit
OE0
OE1
OE2
OE3
24/02/2015
7
2k8-bit
134
ASSOCIAÇÕES
Associação vertical ou paralela
Associação vertical ou paralela
• Aumenta o número de palavras, o número de endereços
válidos, sem, porém, alterar o tamanho das palavras.
• O tamanho total das posições de memória é a soma do
tamanho das duas memórias.
• Todas as ligações são feitas em paralelo, exceto o controle
CS ou CE, pois somente um chip pode estar ligado por
vez, o que requer um decodificador para selecionar o chip.
• Por aumentar o número de palavras, esta associação
aumenta o tamanho do barramento de endereço, que
passa a incorporar, também, os bits usados nos CS’s.
• Para duas memórias iguais, esta associação duplica os
endereços e adiciona um bit ao barramento de endereços.
24/02/2015
135
24/02/2015
136
http://www.ebah.com.br/content/ABAAAetiwAB/associacao-memorias
7
ASSOCIAÇÕES
7
ASSOCIAÇÕES
Associação horizontal
Associação horizontal
• Usado em alguns tipos de memórias para
computador, como, por exemplo, a EDO.
• Aumenta o número de bits das palavras, sem,
contudo, aumentar o número de palavras.
• Esta associação não altera o tamanho do barramento
de endereços, mas aumenta o de dados, cujo número
de bits é a soma dos bits de dados de cada memória.
• Para duas memórias iguais, esta associação duplica
o tamanho das palavras.
24/02/2015
137
24/02/2015
http://www.ebah.com.br/content/ABAAAetiwAB/associacao-memorias
138
23
24/02/2015
7
7
ASSOCIAÇÕES
ASSOCIAÇÕES
Associação híbrida
Hierarquia
Núcleo
Processador
Registradores
• É uma associação vertical e horizontal.
• Pode-se primeiro fazer a vertical e, depois, a
horizontal, ou vice-versa.
• Para
quatro
memórias
iguais,
esta
associação duplica o tamanho do barramento
de dados e adiciona um bit ao de endereços.
L1
Cache
L2
SRAM
L3
DRAM
Discos
24/02/2015
8
139
24/02/2015
8
MEMÓRIA FLASH
Mem. externa
140
MEMÓRIA FLASH
Comparação
• As memórias flash, embora sejam para leitura e escrita,
não são classificadas como RAM, elas não precisam de
energia elétrica para manter a gravação, não são voláteis.
• As memórias ROM, PROM, EPROM e EEPROM são não
voláteis mas somente para escrita (em uso normal),
normal) e as
memórias SRAM e DRAM são para leitura e escrita, mas
voláteis
• A memória flash tem a vantagem de ser para leitura e
escrita, e a vantagem de ser não volátil.
MEMÓRIA FLASH
24/02/2015
8
141
24/02/2015
8
MEMÓRIA FLASH
142
MEMÓRIA FLASH
Comparação
Uso
• As flash’s passou a tomar o lugar das EEPROM’s por
diversas vantagens:
• Pode-se gravar e apagar sem desgaste.
• A densidade é maior.
• Não requer tensão mais alta para gravação.
• Desvantages da flash sobre a EEPROM:
• Menor durabilidade da gravação.
• Maior demora no processo de gravação.
• Maior custo por bit.
• Com a invenção da flash, foi possível construir
equipamentos
que
mantivessem
suas
configurações mesmo sem energia elétrica, sem o
uso de pilhas, tal como é necessário com as RAM’s.
• De início,
início um bit flash era muito caro de modo que
esse tipo de memória era usado, apenas, para
armazenamento de informações de configuração,
enquanto o armazenamento de dados continuava
sendo realizado por meio das EEPROM’s.
• A primeira geração de memória flash usava portas
NOR.
24/02/2015
143
24/02/2015
144
24
24/02/2015
8
8
MEMÓRIA FLASH
MEMÓRIA FLASH
Uso
Comunicação com a memória
• Com a invenção da flash, foi possível construir os pendrives e
os cartões de memória para armazenamento de grandes
volumes, o que decretou a morte dos discos magnéticos
flexíveis – floppy disc.
• Esta invenção permitiu que equipamentos portáteis
preservassem suas configurações durante a troca de baterias.
• Também permitiu-se construir memórias destacáveis para
câmeras fotográficas e telefones celulares.
• Mesmo com a memória flash, alguns equipamentos portáteis
usam uma bateria interna para a manutenção do relógio
durante a troca das baterias externas.
• A segunda geração usa portas NAND e é mais barata e rápida
na
gravação do que a primeira.
24/02/2015
145
• ROM, PROM, EPROM, EEPROM, SRAM e
DRAM fazem comunicação paralela.
• Por esse motivo, permitem que programas sejam
executados diretamente sobre elas, pela CPU,
exceto em informática, onde a CPU executa
programas somente na DRAM.
DRAM
• A flash também pode ser construída com acesso
paralelo, porém, o uso do acesso serial facilita a
construção de unidades de memória destacáveis.
• Chip’s de EEPROM ou de flash podem ser
construídos com acesso serial para reduzir o
tamanho do chip e o número de pinos, reduzindo
o custo com encapsulamento.
8
24/02/2015
8
MEMÓRIA FLASH
146
MEMÓRIA FLASH
Comunicação com a memória
Exemplos
Interface serial, firmware
• Nenhum microprocessador ou microcontrolador
pode executar diretamente um programa gravado
em memória de acesso serial.
serial
• Primeiramente, o executor precisa copiar o
programa para uma memória de acesso paralelo.
24/02/2015
Memória
https://encrypted-tbn3.google.com/images?q=tbn:ANd9GcR7ssDW0tfllHnWUUgh0cKdqF-4jQka7t7pvdrKgomRRp2BbA2X_iSJJopJ
Memória controlador
147
24/02/2015
148
http://www.build-your-own-computer.net/image-files/usb-flash-memory-drive-01.jpg
8
8
MEMÓRIA FLASH
MEMÓRIA FLASH
Memórias externas flash:
Firmware
controlador
datum
register
flash
Conversor
S/P
I/O
serial
address
decoder
EEPROM
•Tamanho da flash
•Fabricante
24/02/2015
149
• A memória flash é aplicada na gravação de firmware
de diversos equipamentos portáteis e dispositivos
para computação, tomando lugar da EEPROM.
• Cada vez mais a memória flash vem substituindo a
EEPROM porém esta segunda é mais confiável do
EEPROM,
que a primeira, pois precisa de níveis de tensão
maiores para efetuar a gravação.
• A gravação feita em EEPROM também é mais
durável do que a feita em memória flash.
24/02/2015
150
25
24/02/2015
8
8
MEMÓRIA FLASH
MEMÓRIA FLASH
Firmware
Kit didático para microprocessador
Programmable flash memory chip (stores the PCB portion of the drive’s firmware)
24/02/2015
8
http://tierradatarecovery.co.uk/wp-content/uploads/2010/10/underneath_a_hard_drive.jpg
151
• O programa é editado no computador.
• Por meio de conexão serial, o programa é transferido do
computador para o kit didático.
• O programa é gravado em uma memória flash.
• Ao ligar
g o kit didático, um p
programa
g
de inicialização ((boot))
da placa entra em execução, transferindo o conteúdo da
memória flash para a DRAM.
• O programa do usuário pode ser executado.
• Ao desligar o kit didático, o conteúdo da DRAM é perdido,
mas o conteúdo da memória flash é preservado.
• O processador ou controlador não se comunica diretamente
com a memória flash, a não ser quando for gravar um dado
24/02/2015
152
não temporário, fruto da execução do programa.
9
MEMÓRIA FLASH
TAMANHO
Kit didático para microcontrolador
• O programa é editado no computador.
• Por meio de conexão serial, o programa é transferido do
computador para o kit didático.
• O programa é gravado na flash interna do microcontrolador.
• A flash interna possui acesso paralelo.
paralelo
• O programa do usuário pode ser executado.
• Ao desligar o kit didático, conteúdo da memória flash é
preservado.
• Dados temporários são gravados na SRAM ou DRAM
interna.
• Dados não temporários são gravados em uma flash ou
EEPROM destinados a dados.
24/02/2015
153
9
24/02/2015
9
TAMANHO
Apresentação de tamanhos
154
TAMANHO
Erro na definição do tamanho da memória
• Memórias flash e em disco costumam ter a
especificação do tamanho feita de forma errada.
• Isto vale para:
• Pendrive
• Memoryy Card
• Hard Disc
• Floppy Disc
• CD
• DVD
• Blu-Ray
• Outros
10.415 / 1024  10,17
24/02/2015
TAMANHO
155
24/02/2015
156
26
24/02/2015
9
9
TAMANHO
TAMANHO
Definição de prefixos
Pref. Sigla
Unid.
Quilo
k
Mega
M
Giga
G
Tera
T
DEC
100
103
106
109
1012
BIN
20
210
220
230
240
24/02/2015
9
Definição de prefixos
Pref. Sigla DEC
Unid.
10000
Quilo
k
10001
Mega
M
10002
Giga
G
10003
Tera
T
10004
157
24/02/2015
158
9
TAMANHO
TAMANHO
Origem do erro
Erros percentuais
Pref. Sigla
• Usa-se os prefixos decimais para determinar o
tamanho real da memória.
• A informação do tamanho é usada no contexto
digital, onde se deveria usar os prefixos binários.
24/02/2015
9
159
Unid.
-
Quilo
k
Mega
M
Giga
G
Tera
T
Consequências
Valor %
1000 0
1024 0
10001
10241
1000 2
1024 2
10003
10243
1000 4
1024 4
 100%
 97,66%
 95,37%
 93,13%
 90,95%
24/02/2015
9
TAMANHO
160
TAMANHO
Tamanhos no Windows – Arquivo
• Para saber o tamanho real da memória,
basta fazer uma regra de três simples.
• Este cuidado deve ser tomado quando
se trabalha com programação de
processadores ou controladores que
lidem com este tipo de memória.
• A inobservância deste detalhe pode
provocar a tentativa de acesso de uma
posição de memória inválida.
24/02/2015
BIN
10240
10241
10242
10243
10244
Tamanho em KB, MB ou TB.
Tamanho em bytes.
750.080 / 1024 = 732,5
161
24/02/2015
162
27
24/02/2015
9
TAMANHO
9
TAMANHO
Tamanhos no Windows – Unidade
Tamanhos no Windows – Disco
• 232,88 ×10243  250 × 109
• São 250 bilhões de bytes.
• As pessoas acham que são 250GB.
16.607.252.480 / 10243  15,47GB
25.335.836.672 / 10243  23,59GB
24/02/2015
9
41.943.089.152 / 10243  39,06GB
163
24/02/2015
9
TAMANHO
164
TAMANHO
Tamanhos no Windows – Disco
Exemplo 1
• Memória flash ou disco de 1k bytes.
• Tamanho Real (TR): 1000 bytes.
10241  1k real

1
1000  TR
TR  0,977 kbytes
Último endereço:
• 298,09
 320 ×
• São 320 trilhões de bytes.
• As pessoas acham que são 320GB.
×10243
24/02/2015
9
11 1110 0111 b
3E7 h
999 d
109
165
9
TAMANHO
24/02/2015
24/02/2015
166
TAMANHO
Exemplo 2
Exemplo 3
• Memória flash ou disco de 2k bytes.
• TR: 2.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 500k bytes.
• TR: 500.000 bytes.
 10241  1k real

1
2 1000  TR
TR  1,953 kbytes
 10241
 1k real

1
500 1000  TR
TR  488,3 kbytes
Último endereço:
Último endereço:
111 1100 1111 b
7CF h
1999 d
111 1010 0001 0001 1111 b
7 A1 1F h
499 999 d
167
24/02/2015
168
28
24/02/2015
9
9
TAMANHO
Exemplo 4
Exemplo 5
• Memória flash ou disco de 0,5k bytes.
• TR: 500 bytes.
• Memória flash ou disco de 1,5k bytes.
• TR: 1.500 bytes.
 10241
 1k real

1
1,5 1000  TR
TR  1,465 kbytes
 1024
 1k real

1
0,5 1000  TR
TR  0,488 kbytes
1
TR  0,488k real  0 ,977 k real
TR  1,465 kbytes
1 1111 0011 b
1F3 h
499 d
101 1101 1011 b
5DB h
1 499 d
169
24/02/2015
9
170
TAMANHO
Exemplo 6
Exemplo 7
• Memória flash ou disco de 1M bytes.
• TR: 1.000.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 0,5M bytes.
• TR: 500.000 bytes.
1024 2  1M real

2
1000  TR
TR  0,954 Mbytes
TR  976,6 kbytes
 1024 2
 1M real

2
0,5 1000  TR
TR  0,477 Mbytes
TR  488,3 kbytes
Último endereço:
Último endereço:
1111 0100 0010 0011 1111 b
F 42 3F h
999 999 d
111 1010 0001 0001 1111 b
7 A1 1F h
499 999 d
24/02/2015
171
24/02/2015
9
TAMANHO
172
TAMANHO
Exemplo 8
Exemplo 9
• Memória flash ou disco de 1,5M bytes.
• TR: 1.500.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 500M bytes.
• TR: 500.000.000 bytes.
 1024 2
 1M real

2
1
,
5

1000
 TR

TR  1,431 Mbytes
TR  1465 kbytes
0 ,5M  0,477 M real

 1M  0 ,954M reall
 1024 2
 1M real

2
500 1000  TR
TR  476,8 Mbytes
TR  488281 kbytes
TR  0,477 M real  0 ,954M real
TR  1,431 Mbytes
TR  1465 kbytes
Último endereço:
Último endereço:
24/02/2015
 0,488k real
 0 ,977 k real
Último endereço:
TAMANHO
9
0 ,5k

 1k
Último endereço:
24/02/2015
9
TAMANHO
1 0110 1110 0011 0101 1111 b
16 E3 5F h
1 499 999 d
1 1101 1100 1101 0110 0010 1111 1111 b
1D CD 64 FF h
499 999 999 d
173
24/02/2015
174
29
24/02/2015
9
9
TAMANHO
Exemplo 10
Exemplo 11
• Memória flash ou disco de 1G bytes.
• TR: 1.000.000.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 0,5G bytes.
• TR: 500.000.000 bytes.
10243  1Greal

3
1000  TR
TR  0,931 Gbytes
TR  953,7 Mbytes
 10243
 1Greal

3
0,5 1000  TR
TR  0,466 Gbytes
TR  477,8 Mbytes
Último endereço:
Último endereço:
3B 9A C9 FF h
999 999 999 d
1D CD 64 FF h
499 999 999 d
24/02/2015
9
TAMANHO
175
24/02/2015
9
TAMANHO
TAMANHO
Exemplo 12
Exemplo 13
• Memória flash ou disco de 1,5G bytes.
• TR: 1.500.000.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 1T bytes.
• TR: 1.000.000.000.000 bytes.
 10243
 1Greal

3
1,5 1000  TR
TR  1,397 Gbytes
TR  1431 Mbytes
0 ,5G  0,466Greal

 1G  0 ,931Greal
1024 4  1Treal

4
1000  TR
TR  0,909 Tbytes
TR  931,3 Gbytes
TR  0,466Greal  0 ,931Greal
TR  1,397 Gbytes
TR  1431 Mbytes
Último endereço:
E8 D4 A5 0F FF h
999 999 999 999 d
Último endereço:
24/02/2015
9
59 68 2E FF h
1 499 999 999 d
177
24/02/2015
9
TAMANHO
178
TAMANHO
Exemplo 14
Exemplo 15
• Memória flash ou disco de 0,5T bytes.
• TR: 500.000.000.000 bytes.
• Memória flash ou disco de 1,5T bytes.
• TR: 1.500.000.000.000 bytes.
 1024 4
 1Treal

4
0,5 1000  TR
TR  0,455 Tbytes
TR  465,7 Gbytes
 1024 4
 1Treal

4
1,5 1000  TR
TR  1,364 Tbytes
TR  1396 Gbytes
Último endereço:
74 6A 52 87 FF h
499 999 999 999 d
24/02/2015
176
0 ,5T

 1T
 0,455Treal
 0 ,909Treal
TR  0,455Treal  0 ,909Treal
TR  1,364 Tbytes
TR  1396 Gbytes
Último endereço:
179
24/02/2015
1 5D 3E F7 97 FF h
1 499 999 999 999 d
180
30
24/02/2015
9
9
TAMANHO
TAMANHO
Exemplo 16
Exemplo 17
• Unidade de memória com 1015 bytes.
• Calcular o tamanho real e comercial em kbytes.
• 1 HD de 500GB comerciais.
• 1 HD de 740GB comerciais.
• Calcule o tamanho real em GB e em TB.
1015
 0,9912kB
1024
1015

 1,015kB
1000

TREAL
TCOMCIAL
3
 1000 
 500  
  488,28GB
 1024 
3
 1000 
 640  
  596,05GB
 1024 
 1000 
 1140  
  1061,7GB
 1024 
10003
 1140 
 1,0368TB
1024 4
1140

 1,140TB
1000
HD1
TREAL
HD 2
TREAL
TOTAL
TREAL
TOTAL
TREAL
24/02/2015
9
181
24/02/2015
TOTAL
TCOMERCIAL
9
TAMANHO
TAMANHO
Sugestão de exercícios
Sugestão de exercícios
• Você possui um pendrive ou cartão de memória ou HD de
tamanho A. Sabe-se que seu rótulo traz o tamanho comercial
(bytes) e não o tamanho real. Determine o tamanho verdadeiro
(forma decimal). Dê a resposta em duas formas:
• Usando bytes, sem prefixos.
Exercício
A
1
6T
• Usando os prefixos k, M, G ou T.
2
10T
• Use até 5 dígitos significativos.
3
12G
4
60G
5
800M
6
44M
7
300k
8
135k
24/02/2015
9
6TBcomercial
 6.000.000.000.000 B
10TBcomercial
12GBcomercial
 10.000.000.000.000 B
 12.000.000.000 B
60GBcomercial
 60.000.000.000 B
i l
800MBcomercial  800.000.000 B
300kBcomercial  300.000 B
135kBcomercial  135  000 B
24/02/2015
184
9
TAMANHO
TAMANHO
Sugestão de exercícios
6TBcomercial
10TBcomercial
12GBcomercial
60GBcomercial
800MBcomercial
44 MBcomercial
300kBcomercial
135kBcomercial
24/02/2015
Sugestão de exercícios
4
 1000 
 6
 TBreal
 1024 
4
1000


 10  
 TBreal
 1024 
3
 1000 
 12  
 GBreal
 1024 
3
 1000 
 60  
 GBreal
 1024 
2
 1000 
 800  
 MBreal
1024


2
 1000 
 44  
 MBreal
 1024 
1
 1000 
 300  
 kBreal
 1024 
1
 1000 
 135  
 kBreal
 1024 
 44.00.000 B
44 MBcomercial
183
1000 4
 6
TBreal
1024 4
1000 4
 10 
TBreal
1024 4
3
1000
 12 
GBreal
10243
10003
 60 
GBreal
10243
1000 2
MBreal
 800 
1024 2
2
1000
MBreal
 44 
1024 2
1
1000
kBreal
 300 
10241
10001
kBreal
 135 
10241
182
6TBcomercial
 5,4570TBreal
 6
1012
TBreal
2 40
12
10
TBreal
2 40
10TBcomercial
 10 
 11,176GBreal
12GBcomercial
109
 12  30 GBreal
2
 55,879GBreal
60GBcomercial
 60 
 762,94 MBreal
800MBcomercial  800 
 9,0949TBreal
 41,962 MBreal
44 MBcomercial
 292,97kBreal
 131,84kBreal
 44 
109
GBreal
230
106
MBreal
2 20
300kBcomercial  300 
185
24/02/2015135kB
comercial
10 6
MBreal
2 20
 135 
3
10
kBreal
210
3
10
kBreal
210
4
 103 
 6   10  TBreal
2 
4
 103 
 10   10  TBreal
2 
 5,4570TBreal
 9,0949TBreal
3
 103 
 12   10  GBreal  11,176GBreal
2 
3
 103 
 60   10  GBreal  55,879GBreal
2


2
 103 
 800   10  MBreal  762,94 MBreal
2 
2
 103 
 44   10  MBreal
2 
1
 103 
 300   10  kBreal
2


1
 103 
 135   10  kBreal
2 
 41,962MBreal
 292,97kBreal
 131,84kBreal
186
31
24/02/2015
9
9
TAMANHO
Convenção
Disco rídigo
• Quando o tamanho mencionado for o
real, isto é, empregando os prefixos
k,M,G e T binários, não é dito nada, isto
é pressuposto, é o padrão.
• Quando o tamanho mencionado for o
comercial, isto é, empregando os
prefixos k,M,G e T decimais, será
mencionado que o tamanho é comercial.
• A informação em uma unidade de
memória em disco rígido é dividida em
setores, trilhas e cabeças.
• Esta forma de divisão do espaço
p ç p
pode
gerar unidades com uma capacidade
de armazenamento que não é dada
por uma potência de dois ou de dez.
24/02/2015
9
TAMANHO
187
24/02/2015
188
TAMANHO
Disco rídigo
http://linu.com.br/papers/paper063_arquivos/image004.gif
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