Gabarito - Prof. Valdir

01- Explique e exemplifique a estrutura física de um transistor
bipolar.
R: Um transistor bipolar e formado a partir de duas junções
PN, a primeira sendo composta por base e coletor e a segunda por
base e emissor, podendo assim ser do tipo PNP ou NPN.
02- A barreira de potencial , consecutivamente para transistores de
o Si e Ge , é aproximadamente:
a) 0,7v e 0,3v
b) 0,3v e 0,7v
03- Para operar como amplificador de corrente, a junção baseemissor deve ser polarizada:
a)diretamente
b)reversamente
c)ambas
04- A corrente de emissor IE é a somatória de:
a)IB + IE
b)IB + IC
c)Nenhuma das anteriores.
05- A corrente de coletor IC é controlada pela:
a)Vcc
b)IB
c)IE
d)Nenhuma das anteriores
06- Sabendo-se que o ganho de corrente em um transistor é
chamado de Beta β, é determinado pela relação da corrente de
saída em função da entrada, determine a equação de ganho Beta.
β = Ic
Ib
07- Se o Beta de um transistor for 200 e a corrente de coletor for
100mA, calcule a corrente de base.
Ib = Ic
Ib = 0,5mA
Β
08- A corrente de coletor é de 5mA e a corrente de base é de
0,02mA. Qual é o valor de Beta?
β = Ic β = 250
Ib
09- Um transistor tem um ganho de 125 e uma corrente de base de
30µA. Calcule a corrente de coletor.
Ic = Ib x B
Ic = 3,75mA
10- Quando o resistor de base diminui, a tensão do coletor
provavelmente
a)diminuirá
b)aumentará
c)permanecerá igual
11- Determinar os valores solicitados, com base no circuito que segue :
Rc
Ic
B
C
E
a- Vce = 5,2 V
Vcc = 9 V
Ic = 200 mA
Ib = 0,6 mA
Vrc = ___3,8_____ V
β = __333,33_ _.
b- Vcc = 12 V
Rc = 680 Ω
Vrc = 7 V
Vce = ___5____ V
Ic = _ 10,29__ mA
.
c- Ic = 50mA
Rc = 300Ω
Vce = 10V
Vrc = ___15_____ V
Vcc = ____25______V
Vcc
12- Calcular VCE e Hfe do transistor no circuito a seguir
Vrc = Ic x Rc
Vrc = 16,4V
Ic= 20 ma
Rc
R1
820Ω
100kΩ
Vce = Vcc – Vrc
Vce = 3,6V
U2
Vcc
20 V
Vrb = Vcc - Vbe
Vrb = 19,3V
Ib = Vrb / Rb
Ib = 193µA
β = Ic / Ib
β = 103,62
13-
Calcular RB e RC no circuito a seguir :
Ic= 10 ma
VCE = 10 V
RB
rc
.
.
hfe = Vrc
200= Vcc – Vce
Vrc = 10V
Rc = Vrc / Ic
Rc = 1KΩ
Ib = Ic / hfe
Vcc
Q2
Ib = 50µA
20 V
Vrb = Vcc – vce
Vrb = 19,3V
Rb = Vrb / Ib
Rb = 386KΩ
14- Calcular Rb para que o transistor trabalhe como chaveador nos seguintes exercícios .
a-
Vrb = Vcc – vce
Vrb = 11,3V
L1
12V
BAT1
12V
SW1
RB
Q1
Ib = 10% de Ic
Ib = 5mA
BC547
Rb = Vrb / Ib
Rb = 2,26KΩ
Ic = 50mA
b-
Vrb = vcc – vce
Vrb = 11,3V
Ib = 10% de Ic
Ib = 1mA
Rb = Vrb / Ib
Rb = 11,3KΩ
15- Responda as seguintes questões .
a- A principal característica do transistor bipolar é permitir controlar:
( ) a - A corrente de base através da corrente de emissor.
( ) b - A tensão no coletor através da tensão na base.
( X ) c- A corrente de coletor através da corrente de base.
( ) d- A corrente de base através da tensão no coletor.
b- Dizemos que um transistor bipolar está saturado quando :
( X ) a - A tensão Vce é aproximadamente 0V e Ic é máxima.
( ) b- A tensão Vce é máxima e Ic é máxima.
( ) c- A tensão Vce é mínima e Ic = 0,7 A.
V1
U1
D1
XMM1
LM317
T1
120 V
60 Hz
0Deg
1N4007GP
D2
C1
R1
10uF-POL
.
TS_PQ4_10
R3
1N4007GP
1.00KΩ
R2
.