Estudo de Física sobre interação em campo magnético

Estudo de Física sobre interação em campo magnético externo
é publicado em periódico de renome
Fruto dos estudos sobre nanotecnologia, o artigo Topological Spin Excitations
Induced by an External Magnetic Field Coupled to a Surface with Rotational Symmetry
(Excitações de spin topológicas induzida por um campo magnético externo acoplado a
uma superfície com simetria rotacional) foi um dos temas da Brazilian Journal of Physics,
periódico da Springer.
A pesquisa desenvolvida pelo professor doutor Vagson Luiz de Carvalho,
campus Senhor do Bonfim, em coautoria com o professor Rossen Dandoloff, do
Laboratoire de Physiqué Theoretiqué et Modelizasion, Universidade de Cergy-Pontoise,
França, trata da descoberta de excitações em sistemas magnéticos cuja estabilidade
pode ser dada devido a argumentos de teoria de homotopia. Segundo o pesquisador
Vagson, tais excitações aparecem devido à inserção de um comprimento característico
inserido no sistema magnético. “Esse comprimento característico induz uma frustração
geométrica no sistema. No nosso caso, o comprimento característico é inserido por dois
fatores: a curvatura da superfície magnética e a interação dessa superfície com um
campo magético externo”, explica.
Diferentemente da última publicação, este trabalho discute a existência de
novos estados excitados devido a uma interação com um campo magnético externo. “Tais
novas excitações podem direcionar pesquisas experimentais para a manipulação de
membranas magnéticas e podem ainda despertar o interesse da comunidade de físicos
que realizam pesquisas em isolantes topológicos e grafeno”, destaca Vagson.
Para o futuro, o pesquisador projeta que o trabalho calcule o campo magnético
externo gerado por um nanomagneto toroidal. “O intuito é determinar qual o estado de
configuração magnética de menor energia quando realizamos um arranjo de
nanopartículas magnéticas com essa geometria, o que, dependendo dos resultados
encontrados, pode direcionar pesquisas na área de miniaturização de dispositivos para
armazenamento de dados”, finaliza.