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-NÃO SUPORTAM TENSÃO REVERSA.
-APRESENTAM BAIXO GANHO: 2 A 20.
- VCE sat DE 1V A 2V
-FAIXA: 1400V -400A
CONFIGURAÇÃO DARLINGTON:
AUMENTA O GANHO (75 A 200), MAS
DIMINUI A VELOCIDADE E AUMENTA O
VCEsat(2V A 5V).
MOSFET OU IGFET:
METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD
EFFECT TRANSISTOR.
INSULATED GATE FET
1-TIPOS: DEPLEÇÃO OU CANAL FECHADO
E ENRIQUECIMENTO OU CANAL ABERTO
2-ESTRUTURA INTERNA :
CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE
DEPLEÇÃO CANAL N:
ASPECTOS IMPORTANTES:
-JÁ EXISTE CORRENTE ID MESMO SEM TENSÃO NO
GATE.
-O SUBSTRATO É LIGADO À FONTE.
CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE
ENRIQUECIMENTO CANAL N
ASPECTOS IMPORTANTES:
-SÓ COMEÇA CONDUZIR QUANDO A TENSÃO DE GATE
ATINGE O LIMIAR.
-APLICADOS NA CONFECÇÃO DE CI’s CMOS.
-FAIXA: 1000V- 200A - 25MHz.
-APRESENTA PERDA POR CAUSA DE RDS.
-O CANAL N É O MAIS USADO POR SER:
MAIS BARATO E POR TER MAIOR
CONDUTIVIDADE.
- A TENSÃO LIMIAR VTh FICA NA FAIXA DE
2V A 4V.
-A TENSÃO VDS FICA NA ORDEM DE 4V.
-INSULATED BIPOLAR TRANSISTOR.
-CONDUCTIVITY MODULATED FIELD
EFFECT TRANSISTOR.
-NÃO DISSIPA POTÊNCIA NO DISPARO PELO
FATO DE NÃO ABSORVER CORRENTE ATRAVÉS
DO GATE. É DISPARADO POR TENSÃO.
-APRESENTA MENORES PERDAS QUANDO EM
CONDUÇÃO.
CANAL N:
CANAL P:
FORMA DE DISPARO: QUANDO A TENSÃO VGE
ULTRAPASSA O VGEth ( 2V A 5V). PARA SATURAR
VGE DEVE FICAR NA FAIXA DE 10V
FORMA DE CORTE: RETIRANDO A TENSÃO
APLICADA ENTRE GATE E EMISSOR (VGE).
VGEth: 4,5V a 7,5V